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双面抛光晶圆干涉测量法及误差分析 被引量：1
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作者 边小月 韩森 吴泉英 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期916-932,共17页
为了实现双面抛光晶圆总厚度变化(TTV)和变形程度中弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp)的测量,提出了一种干涉测量方法。采用两个带有标准镜的菲索式相移干涉仪对晶圆正反面同时进行测量,将测量所得晶圆正反面形貌与未放置晶圆时两个干涉仪的空... 为了实现双面抛光晶圆总厚度变化(TTV)和变形程度中弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp)的测量,提出了一种干涉测量方法。采用两个带有标准镜的菲索式相移干涉仪对晶圆正反面同时进行测量,将测量所得晶圆正反面形貌与未放置晶圆时两个干涉仪的空腔形貌进行组合运算,可得到不受标准镜误差影响的双面抛光晶圆的表面相关参数。在组合运算中,由于两个标准镜未精确对准会产生映射误差,影响相关参数的测量结果。针对这一问题,在晶圆测量之前,将三点定位装置固定在两个标准镜之间,基于三点定圆定理不断调整两个标准镜的位置,可使映射误差极小,进而减小映射误差对测量结果的影响。实验结果表明,50 mm晶圆横向和纵向的映射误差分别为21.592μm和37.480μm,TTV、弯曲度和翘曲度分别为0.198μm、−0.326μm和1.423μm。为了进一步验证调整方法的有效性,采用单个干涉仪对晶圆进行翻转测量,由测量结果可知晶圆的TTV、弯曲度和翘曲度分别为0.208μm、−0.326μm和1.415μm。所提干涉法在调整好两个标准镜的位置后,可以方便快速的用于大批量大尺寸晶圆的测量,提高了晶圆的检测效率,同时具有较高的测量精度。 展开更多
关键词 干涉测量 双面抛光晶圆 误差分析 总厚度变化 翘曲度 弯曲度
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超薄石英玻璃晶圆双面抛光过程中破裂的探究
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作者 李怀阳 花宁 隋镁深 《中国建材科技》 2018年第6期57-59,共3页
本文对超薄石英玻璃晶圆在双面抛光过程当中破裂的产生原因进行了研究,从受力分析及实验检测两方面分析了抛光机施压和转速对晶圆破裂的影响。研究表明:晶圆在双面抛光过程中破裂的主要原因是由于其边缘所承受的切应力和正应力超过晶圆... 本文对超薄石英玻璃晶圆在双面抛光过程当中破裂的产生原因进行了研究,从受力分析及实验检测两方面分析了抛光机施压和转速对晶圆破裂的影响。研究表明:晶圆在双面抛光过程中破裂的主要原因是由于其边缘所承受的切应力和正应力超过晶圆机械强度极限。双面抛光机转速和施加压力的大小是导致晶圆破裂缺陷产生的主要影响因素。本文对4英寸0.3mm超薄石英玻璃晶圆的加工工艺参数进行了研究,当下盘转速高于22rpm或施加轻压小于0.2bar时,晶圆破裂比例大幅提高。当下盘转速为20rpm、施加轻压0.4bar时能够在避免破裂缺陷的同时实现最快加工速度。 展开更多
关键词 双面抛光 超薄石英玻璃晶圆 破裂 压力 转速
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超薄硅双面抛光片抛光工艺技术 被引量：4
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作者 赵权 杨洪星 +3 位作者 刘春香 吕菲 王云彪 武永超 《电子工业专用设备》 2011年第3期21-23,42,共4页
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式... MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。 展开更多
关键词 超薄 硅双面抛光片 抛光工艺
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