理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.展开更多
为防止雷电电磁脉冲或其他强电磁脉冲耦合过电压进入电源线毁坏电子设备,研究分析了电磁脉冲耦合的特点,设计了一种带双重隔离的单相交流电源隔离防护电路,并对实验电路进行仿真;依据仿真结果搭建了功率为2 k W的实验样机,并进行高电压...为防止雷电电磁脉冲或其他强电磁脉冲耦合过电压进入电源线毁坏电子设备,研究分析了电磁脉冲耦合的特点,设计了一种带双重隔离的单相交流电源隔离防护电路,并对实验电路进行仿真;依据仿真结果搭建了功率为2 k W的实验样机,并进行高电压检测。测试结果表明,该样机对雷电电磁脉冲和其它强电磁脉冲耦合过电压具有较好的防护效果,能有效提升雷达等武器装备的全天候作战能力,减小军事和经济损失。展开更多
文摘理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.
文摘为防止雷电电磁脉冲或其他强电磁脉冲耦合过电压进入电源线毁坏电子设备,研究分析了电磁脉冲耦合的特点,设计了一种带双重隔离的单相交流电源隔离防护电路,并对实验电路进行仿真;依据仿真结果搭建了功率为2 k W的实验样机,并进行高电压检测。测试结果表明,该样机对雷电电磁脉冲和其它强电磁脉冲耦合过电压具有较好的防护效果,能有效提升雷达等武器装备的全天候作战能力,减小军事和经济损失。
