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题名一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析
被引量:1
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作者
崔磊
杨通
张如亮
马丽
李旖晨
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机构
国网智能电网研究院有限公司
西安理工大学电子工程系
西安理工大学应用物理系
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出处
《中国电力》
CSCD
北大核心
2022年第9期98-104,共7页
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基金
国家重大研发计划资助项目(2015ZX02301002)
国网智能电网研究院有限公司科技项目(53ZCGB190001)。
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文摘
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻型IGBT。针对常规逆阻IGBT终端面积大的问题,提出了一种改进型复合终端结构,采用双掺杂场限环,在P型场限环旁边引入N型轻掺杂区。改进结构减小了耗尽区横向扩展速率,增强器件可靠性,节省终端面积占用并提高了终端效率。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
逆阻
场限环
复合终端
双掺杂场限环
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Keywords
insulated gate bipolar transistor
reverse blocking
field limiting ring
composite terminal
double doped field limiting ring
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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