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一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器 被引量:8
1
作者 董春雷 宁振球 +2 位作者 金星 张正民 万文艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期58-62,共5页
介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应... 介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40℃~125℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。 展开更多
关键词 RC振荡电路 2阶温度补偿 工艺漂移 数字修调
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ATCXO数字数据修调电路设计 被引量:4
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作者 董紫淼 梁科 +1 位作者 林长龙 李国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期658-663,共6页
采用金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)管搭建门电路的方法设计了一款新型的数据修调控制电路,其主要功能是准确控制高精度温度补偿型石英晶体谐振器专用芯片的修调电路部分。该修调控制电路采用串行外设接口(SPI)传输协议进行数据传... 采用金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)管搭建门电路的方法设计了一款新型的数据修调控制电路,其主要功能是准确控制高精度温度补偿型石英晶体谐振器专用芯片的修调电路部分。该修调控制电路采用串行外设接口(SPI)传输协议进行数据传输,并采用一种新型的可擦可编程只读存储器(EEPROM),简化了EEPROM读写电路的设计复杂度,使电路具有掉电保存的功能。对所设计的电路进行了现场可编程门阵列(FPGA)验证、逻辑综合、静态时序分析、版图设计和验证。其结果表明本设计降低了电路的复杂度,节约了芯片面积,使电路控制系统的设计更为简洁。 展开更多
关键词 高精度温度补偿型石英晶体谐振器(ATCXO) 数字修调 专用集成电路(ASIC)流程 现场可编程门阵列(FPGA)验证 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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一种低成本高精度环形振荡器的设计
3
作者 江军 谢亮 金湘亮 《中国集成电路》 2023年第1期41-45,共5页
本文设计了一款输出频率为20MHz的环形振荡器,此振荡器基于一种锁频环技术,不需要使用LC谐振电路,晶振,和MEMS振荡器即可实现。同时详细分析了环形振荡器中使用的补偿技术,包括温度补偿和电压补偿。运用低压差稳压器、数字修调、电流基... 本文设计了一款输出频率为20MHz的环形振荡器,此振荡器基于一种锁频环技术,不需要使用LC谐振电路,晶振,和MEMS振荡器即可实现。同时详细分析了环形振荡器中使用的补偿技术,包括温度补偿和电压补偿。运用低压差稳压器、数字修调、电流基准电路,使得输出频率精度受工艺漂移、温度波动、电源电压变化影响较小。电路设计工艺为东部的0.18μm BCD。仿真工作条件为:温度范围-50~150摄氏度,电压范围3~5.5V,在5个工艺角下仿真,仿真结果表明,在相同的工作条件下,经过补偿技术的电路频率稳定性得到了显著的提高,电源电压的工作范围得到了提升。 展开更多
关键词 环形振荡器 温度补偿 电流基准 数字修调
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一种采用数字修调技术的低温漂带隙基准设计 被引量:4
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作者 曹璐 刘宏 田彤 《电子设计工程》 2017年第5期150-153,157,共5页
基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流,进而补偿由于工艺角变... 基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流,进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变,实现低温漂基准电压源。仿真结果表明,5 V电源电压下,在-50^+150℃,基准电压温度系数为3ppm/℃,与无数字修调的带隙基准相比,温度系数减小了5 ppm/℃。低频时电源抑制比为-90 d B,整体功耗电流约为60μA。 展开更多
关键词 微电子学 带隙基准 数字修调 低温漂 温度系数
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一种带电流补偿结构的带隙基准源
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作者 华攀 宣志斌 +1 位作者 黄少卿 于文涛 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第10期1241-1249,共9页
为了进一步减小基准电压源的温度系数,针对传统的基准电路无法补偿BJT管高阶系数温漂影响的问题,提出了一种带电流补偿结构的带隙基准源。补偿电路结构采用双支路提供不同温度系数的补偿电流的方式,用于调节基础结构在不同温度段产生的... 为了进一步减小基准电压源的温度系数,针对传统的基准电路无法补偿BJT管高阶系数温漂影响的问题,提出了一种带电流补偿结构的带隙基准源。补偿电路结构采用双支路提供不同温度系数的补偿电流的方式,用于调节基础结构在不同温度段产生的温漂。另外根据补偿原理进行结构的改进,提出两种设计结构的优化结果,同时使用电阻修调结构矫正不同工艺角下的电压温度漂移。电路采用0.18μm BCD工艺实现。仿真结果表明,该带隙基准源在-55~+125℃温度范围内,最大输出基准电压变化为0.2394 mV,温度系数为1.078×10^(-3)/℃,10 Hz频率时电源抑制比-77 dB。使用蒙特卡洛方法进行仿真,其失调电压平均值为1.5667 mV。已应用于某一高精度的数模混合电源芯片中。 展开更多
关键词 电压基准 电流补偿 温度系数 数字修调
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一种带有数字修调的高精度带隙基准电路 被引量:3
6
作者 杨琦 张国俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期320-323,327,共5页
采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4mV减小到3.4μV... 采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4mV减小到3.4μV,提高了带隙基准的固有精度。基于CSMC 0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,在-40℃~120℃的温度范围内,基准的温度系数为5.2×10^(-6)/℃,电源抑制比分别为-167.5dB@dc,-89.6dB@1 MHz。 展开更多
关键词 带隙基准 高精度 数字修调 开关电源
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一种高精度片上RC振荡器的设计 被引量:2
7
作者 池增奇 韩志刚 阴智昊 《中国集成电路》 2017年第6期26-29,67,共5页
本文设计了一种受温度及电源电压影响较小的RC振荡器。运用低压差稳压器、数字修调、电流基准电路,经过电阻电容充放电,使得输出频率精度受工艺漂移、温度波动、电源电压变化影响较小。电路设计工艺为上海先进半导体公司(ASMC)的0.35μm... 本文设计了一种受温度及电源电压影响较小的RC振荡器。运用低压差稳压器、数字修调、电流基准电路,经过电阻电容充放电,使得输出频率精度受工艺漂移、温度波动、电源电压变化影响较小。电路设计工艺为上海先进半导体公司(ASMC)的0.35μm CMOS。仿真工作条件为:温度范围-40~75摄氏度,电源电压3~5V,在3个工艺角下仿真。仿真结果表明,在相同的工作条件下,频率稳定性得到了显著的提高,电源电压的工作范围得到了提升。 展开更多
关键词 RC振荡电路 低压差稳压器 数字修调 电流基准
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数字修调技术在高速高精度流水线ADC中的应用 被引量:2
8
作者 王继安 邢俊青 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期169-172,共4页
数字修调技术采用MOS开关控制电路实现对修调数据的传输和电路拓扑结构的改变,相对于传统的修调技术,数字修调技术具有灵活性、可重复性和低成本等特点。基于0.35μmBiCMOS工艺,对采用数字修调技术的A/D转换电路进行仿真验证。结果表明... 数字修调技术采用MOS开关控制电路实现对修调数据的传输和电路拓扑结构的改变,相对于传统的修调技术,数字修调技术具有灵活性、可重复性和低成本等特点。基于0.35μmBiCMOS工艺,对采用数字修调技术的A/D转换电路进行仿真验证。结果表明,设计的A/D转换器,其SFDR达65 dB,INL和DNL分别达到0.35 LSB和0.26 LSB,采样率达到250 MSPS. 展开更多
关键词 A/D转换器 数字修调 可调整性 重复性
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基于数字修调技术带隙基准电压源的设计 被引量:1
9
作者 付英 刘斌 《渤海大学学报(自然科学版)》 CAS 2014年第4期325-329,384,共6页
带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下,基准源的输出电压会有很大的变化.为了减少工艺角变化的影响,引入数字修调技术,对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调,以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值.基于华虹NEC... 带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下,基准源的输出电压会有很大的变化.为了减少工艺角变化的影响,引入数字修调技术,对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调,以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值.基于华虹NEC 0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,修调后的带隙基准源在-40℃-85℃范围内,各工艺角下基准电压的温度系数均小于6 ppm/℃. 展开更多
关键词 带隙基准 工艺角 数字修调 温度系数
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基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器
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作者 王继安 邢俊青 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期348-351,共4页
设计了一种基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器,介绍了宽带高增益放大器在高速跟踪保持电路中的应用。该运算放大器采用两级放大电路—共源共基和共源共栅结构实现。基于0.35μmBiCMOS工艺仿真验证,运放开环增益大于60dB,单位增益... 设计了一种基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器,介绍了宽带高增益放大器在高速跟踪保持电路中的应用。该运算放大器采用两级放大电路—共源共基和共源共栅结构实现。基于0.35μmBiCMOS工艺仿真验证,运放开环增益大于60dB,单位增益带宽大于2.1GHz,输出摆幅可达1.5V。 展开更多
关键词 数字修调 运算放大器 共源共基 共源共栅
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一种基于斩波拓扑的高精度RC振荡器 被引量:1
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作者 周朝阳 刘云涛 +1 位作者 王立晶 方硕 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期73-78,共6页
设计了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的基于斩波拓扑的高精度RC振荡器。该结构对比较器失调有较好的抑制效果,并补偿了比较器传输延时对输出时钟频率的影响,达到了较好的温度特性。同时使用LDO对振荡器的主体电路供电,有效抑制了电源电... 设计了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的基于斩波拓扑的高精度RC振荡器。该结构对比较器失调有较好的抑制效果,并补偿了比较器传输延时对输出时钟频率的影响,达到了较好的温度特性。同时使用LDO对振荡器的主体电路供电,有效抑制了电源电压波动对输出频率的影响。另外该振荡器使用电容修调网络,减小了工艺漂移对中心频率的影响。仿真结果表明,所设计的振荡器在不同工艺角下均可以通过修调将频率校准至典型值2 MHz。在-40~125℃的温度范围内,输出频率的波动仅为0.87%。在3~6 V的电源电压范围,输出频率的波动仅为0.21%。与同类型的片上RC振荡器相比,该电路对温度、电源电压和工艺的漂移有更好的抑制作用。 展开更多
关键词 RC振荡器 斩波拓扑 数字修调技术 高精度
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一种单引脚修调电路的设计 被引量:2
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作者 李晶 汪西虎 许建蓉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期828-833,共6页
使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法。但是,传统的修调电路采用I^2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源。因此,提出了一种使用归零码码型设计的新型数字修调控制电路... 使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法。但是,传统的修调电路采用I^2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源。因此,提出了一种使用归零码码型设计的新型数字修调控制电路,仅需一个芯片引脚,即可实现修调数据的传输及对修调过程的控制。该电路已成功应用于一款过压保护芯片中,使用该修调电路对芯片的参数进行校正并测试。结果表明,其关键性能参数基准电压和过压阈值的标准差由修调前的14 mV和110 mV降低至8 mV和49 mV,并且芯片的成品率由80%提升至99%以上。 展开更多
关键词 集成电路 数字修调控制电路 一次可编程(OTP)结构 修调 归零码
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可修调的高阶曲率补偿基准电压源 被引量:1
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作者 万文艳 程新红 +1 位作者 宁振球 董春雷 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期759-762,766,共5页
设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB ... 设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40℃~125℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875V时,温度系数为4.1×10^-6/℃,低频电源抑制比达到-70dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。 展开更多
关键词 带隙基准源 曲率补偿 数字修调 熔丝修调
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A 10-bit 110 MHz SAR ADC with asynchronous trimming in 65-nm CMOS
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作者 Daiguo Xu Shiliu Xu +1 位作者 Xi Li Jie Pu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第4期94-102,共9页
A 10-bit 110 MHz SAR ADC with asynchronous trimming is presented.In this paper,a high linearity sampling switch is used to produce a constant parasitical barrier capacitance which would not change with the range of in... A 10-bit 110 MHz SAR ADC with asynchronous trimming is presented.In this paper,a high linearity sampling switch is used to produce a constant parasitical barrier capacitance which would not change with the range of input signals.As a result,the linearity of the SAR ADC will increase with high linearity sampled signals.Farther more,a high-speed and low-power dynamic comparator is proposed which would reduce the comparison time and save power consumption at the same time compared to existing technology.Additionally,the proposed comparator provides a better performance with the decreasing of power supply.Moreover,a highspeed successive approximation register is exhibited to speed up the conversion time and will reduce about 50%register delay.Lastly,an asynchronous trimming method is provided to make the capacitive-D AC settle up completely instead of using the redundant cycle which would prolong the whole conversion period.This SAR ADC is implemented in 65-nm CMOS technology the core occupies an active area of only 0.025 mm-2 and consumes 1.8 mW.The SAR ADC achieves SFDR 〉 68 dB and SNDR 〉 57 dB,resulting in the FOM of 28 f J/conversion-step.From the test results,the presented SAR ADC provides a better FOM compared to previous research and is suitable for a kind of ADC IP in the design SOC. 展开更多
关键词 analog-to-digital converter asynchronous trimming high-speed successive approximation register
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