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硅晶圆分层划片工艺试验研究 被引量:5
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作者 尹韶辉 杨宏亮 +2 位作者 陈逢军 耿军晓 张俊杰 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-7,共7页
目的优化硅晶圆划片工艺参数,提高划片质量。方法提出一种硅晶圆分层划片工艺方法,利用自主研发的精密全自动划片机,通过全因素试验,研究了主轴转速、进给速度和切削深度等工艺参数对分层划片与传统单次划片的工艺性能的影响,检测了崩... 目的优化硅晶圆划片工艺参数,提高划片质量。方法提出一种硅晶圆分层划片工艺方法,利用自主研发的精密全自动划片机,通过全因素试验,研究了主轴转速、进给速度和切削深度等工艺参数对分层划片与传统单次划片的工艺性能的影响,检测了崩边宽度、相对缝宽、切缝表面粗糙度,通过检测划片过程中主轴电流大小来间接反映切削力的大小。最后对分层划片工艺进行优化试验,得出最佳工艺参数组合。结果随着划片深度的增加,主轴电流增大,进给速度对主轴电流的影响较小,分层划片可以有效减少划片过程产生的切削力,提高划切效果。分层划片试验发现,随主轴转速的增加,相对缝宽增大;随进给速度增大,相对缝宽先减小后增大。进给速度为15 mm/s,转速为10 000 r/min时,相对缝宽最小,为1.048。随着主轴转速的增加,崩边宽度减小;随着进给速度的增大,崩边宽度增大。进给速度为1 mm/s,转速为25 000 r/min时,崩边宽度最小,为5.31μm。结论与传统单次划片方式相比,分层划片工艺能够得到更好的划片效果,可一定程度上降低崩边宽度,减小相对缝宽值,减少微裂纹,提高划切质量。 展开更多
关键词 硅晶圆 单次划片 分层划片 崩边 相对缝宽 切削力 划切质量
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划片机冷却水罩对划切品质影响的研究 被引量:1
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作者 闫伟文 《电子工业专用设备》 2015年第10期35-36,55,共3页
系统地介绍了划片机的划切原理、冷却水罩对划切效果的影响、以及对划片机的冷却水罩对划切品质影响要素进行分析,并通过改进划片机的冷却水罩的结构提高了划片机的划切品质。
关键词 划片机 冷却水罩 划切品质
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提高紫外激光划切质量的方法与措施 被引量:2
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作者 刘红英 杨松涛 《电子工业专用设备》 2013年第10期1-5,22,共6页
随着紫外激光加工在半导体、微电子等领域的广泛应用,紫外激光加工质量已受到业界广泛关注。应用"六西格玛"质量分析方法对紫外加工质量缺陷产生原因进行分析,并为提高紫外激光划切质量提出一些方法与措施。
关键词 紫外激光 划切设备 质量缺陷
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乙醇辅助激光烧蚀切割硅晶圆工艺
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作者 田文涛 刘炜程 +2 位作者 孙旭辉 郑宏宇 王志文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期266-273,共8页
为了减小激光切割硅晶圆时的热效应,选择去离子水作为辅助液体进行激光切割实验,研究了水下切割时激光烧蚀激发气泡对硅片表面造成的不良影响。为解决水下激光切割进程中诱导气泡大面积粘结在硅片表面的问题,提出了去离子水混入乙醇溶... 为了减小激光切割硅晶圆时的热效应,选择去离子水作为辅助液体进行激光切割实验,研究了水下切割时激光烧蚀激发气泡对硅片表面造成的不良影响。为解决水下激光切割进程中诱导气泡大面积粘结在硅片表面的问题,提出了去离子水混入乙醇溶液的实验方案,分析了水下激光切割中激光参数和乙醇浓度对切割质量的影响。实验结果表明,采用乙醇溶液作为辅助介质能明显减少粘结气泡的数量,减轻气泡破溃冲击带来的负面影响。实验采用乙醇浓度5 wt.%时切割得到的硅片比纯水中切割得到的硅表面影响区减小50%以上、切缝宽减幅约20%,有效提升了激光切割质量。 展开更多
关键词 激光切割 乙醇 气泡 表面质量
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光学系统中环形光源对半导体成像影响研究
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作者 季峥 岳芸 +1 位作者 王兵锋 王宏智 《电子工业专用设备》 2015年第9期19-21,52,共4页
以某国产200 mm(8英寸)砂轮划片机光学系统为例,以CCD为检测物并以国外进口同级别设备光学图像为参考标准。通过与进口设备对比,分析环形光源对成像的影响因素,研究应用几何光学原理,实现成像质量的提高。
关键词 环形光源 划片机 图像
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