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酚醛-重氮萘醌正性抗蚀剂溶解抑制机理 被引量:6
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作者 高英新 包永忠 +1 位作者 黄志明 翁志学 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期33-43,共11页
本文综述了酚醛 重氮萘醌正性抗蚀剂的溶解抑制机理,主要包括(1)分子间氢键作用机理;(2)偶联反应机理;(3)两步即静态、动态溶解抑制机理;(4)表面沉积溶解抑制机理;(5)酚醛树脂的分子溶解及相关的抑制机理.
关键词 酚醛树脂 重氮萘醌 正性抗蚀剂 溶解抑制
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聚酰亚胺正性光刻胶材料的制备及性能研究综述 被引量:3
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作者 郑凤 路庆华 《上海航天》 CSCD 2017年第3期136-147,共12页
对聚酰亚胺(PI)+二叠氮萘醌(DNQ)型及聚酰亚胺前驱体(聚酰胺酸,PAA)+DNQ型正性光刻胶材料的研究成果进行了综述。讨论了这两种正性光刻胶材料中成膜剂的设计和制备方法。其中:前者在PAA主链中引入疏水基团,抑制PAA的溶解性;后者在PI主... 对聚酰亚胺(PI)+二叠氮萘醌(DNQ)型及聚酰亚胺前驱体(聚酰胺酸,PAA)+DNQ型正性光刻胶材料的研究成果进行了综述。讨论了这两种正性光刻胶材料中成膜剂的设计和制备方法。其中:前者在PAA主链中引入疏水基团,抑制PAA的溶解性;后者在PI主链中引入亲水基团,促进PI的溶解性,从而使其能被用于正性光敏聚酰亚胺。讨论了DNQ光敏剂的结构设计和种类、光刻胶的配比和光刻性能,以及正性光敏聚酰亚胺在航天领域中的应用现状与展望。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 聚酰胺酸 光刻胶 二叠氮萘醌 光敏剂 制备 光刻性能 航天应用
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重氮萘醌衍生物在光刻胶和药物载体领域的研究进展
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作者 毕研刚 邹丽丽 +7 位作者 崔淑英 李晓珂 徐晶 傅天林 王振羽 刘海燕 洪海哲 豆帆 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S02期554-557,共4页
重氮萘醌(DNQ)及其衍生物的结构中具有重氮基团和羰基等多个光敏活性官能团,经光照后其重氮基团发生Wolff重排,转化为亲水性茚羧酸。在光刻胶领域,茚羧酸可促进正性光刻胶树脂的分解和溶解性能,有利于提高图案的分辨率;DNQ结构中有非极... 重氮萘醌(DNQ)及其衍生物的结构中具有重氮基团和羰基等多个光敏活性官能团,经光照后其重氮基团发生Wolff重排,转化为亲水性茚羧酸。在光刻胶领域,茚羧酸可促进正性光刻胶树脂的分解和溶解性能,有利于提高图案的分辨率;DNQ结构中有非极性的苯环可用于封装疏水性纳米药物,当其发生光敏反应时,通过其结构极性转变,能实现纳米药物的定量、定时和定位输送。本文总结了DNQ及其衍生物在光刻胶和纳米药物控制释放领域的应用和研究进展,介绍了其作为光致产酸剂的作用机理研究;展望了其在化学和生物医疗等领域的应用前景。 展开更多
关键词 重氮萘醌 光敏活性 光刻胶 作用机理 纳米药物载体
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g-线/i-线光刻胶研究进展 被引量:7
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作者 顾雪松 李小欧 +1 位作者 刘亚栋 季生象 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1091-1104,共14页
光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌... 光刻胶是半导体领域中不可或缺的关键材料。光刻胶行业常年被日本和美国等国家所垄断,随着国际竞争的日益激烈,光刻胶国产化迫在眉睫。本文针对g-线(436 nm)和i-线(365 nm)光刻胶进行了总结,按照其组成不同,将其分为酚醛树脂/重氮萘醌、化学放大胶和分子玻璃等类型,并分别进行介绍。目前,市场用量较大的g/i-线光刻胶主要是酚醛树脂/重氮萘醌系列,本文详细介绍了国内外对酚醛树脂/重氮萘醌的研究报道,阐述了其曝光机理以及光敏剂、添加剂等对光刻胶性能的影响。本文期望能对g-线/i-线光刻胶的开发提供参考。 展开更多
关键词 光刻胶 g-线 i-线 酚醛树脂/重氮萘醌 化学放大胶 分子玻璃
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Novel One-component Positive-tone Chemically Amplified I-Line Molecular Glass Photoresist Based on Tannic Acid 被引量:3
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作者 WEI Qi WANG Liyuan 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2015年第4期585-589,共5页
Molecular glass resist has been considered as one of the best choices for a new generation of lithography. In this work, a new type of photoaetive compound was obtained by the esterification of tannic acid with 2-diaz... Molecular glass resist has been considered as one of the best choices for a new generation of lithography. In this work, a new type of photoaetive compound was obtained by the esterification of tannic acid with 2-diazo-1- naphthoquinone-4-sulfonyl chloride(2,1,4-DNQ-Cl) and ditertbutyl dicarbonate. The new obtained compound pos- sessed both a photosensitive group of diazonaphthoquinone sulfonate(2,1,4-DNQ) and a group of acidolytic protection. Upon the irradiation of the compound under 365 nm light, the former group was photolyzed and converted into indene carboxylic acid along with a small amount of sulfonic acid, which could lead to the deprotection of the latter group. As a result, a novel i-line molecular glass photoresist was formed with the chemical modification of tannic acid. The expe- rimental results show that the modificated compound had a fair solubility in many organic solvents. The lithographic performance of the resist was evaluated on an i-line exposure system with high photosensitivity and resolution as well. 展开更多
关键词 Tannic acid 2 1 4-diazonaphthoquinone(DNQ) sulfonate I-Line resist Chemically amplified
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