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直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究
被引量:
4
1
作者
丁发柱
石玉龙
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2006年第1期1-4,共4页
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金...
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金刚石薄膜形核和生长过程,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了金刚石的样品,结果表明,施加偏压不仅能大大促进金刚石的形核密度(1010cm-2)、提高金刚石薄膜的生长速率,金刚石薄膜的取向也随机取向变为(111)定向生长。
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关键词
直流等离子体
热丝化学气相沉积
金刚石形核及生长
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职称材料
题名
直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究
被引量:
4
1
作者
丁发柱
石玉龙
机构
青岛科技大学 材料与环境科学学院
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2006年第1期1-4,共4页
基金
山东省自然科学基金项目(Y2001F10)
文摘
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金刚石薄膜形核和生长过程,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了金刚石的样品,结果表明,施加偏压不仅能大大促进金刚石的形核密度(1010cm-2)、提高金刚石薄膜的生长速率,金刚石薄膜的取向也随机取向变为(111)定向生长。
关键词
直流等离子体
热丝化学气相沉积
金刚石形核及生长
Keywords
direct
current
plasma
hot
filament
chemical
vapor
deposition
diamond
nucleation
and
gmwth
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究
丁发柱
石玉龙
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2006
4
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