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金刚石薄膜电容的欧姆接触
1
作者
宁延一
曲长庆
+3 位作者
赵影
白明
杨保和
常明
《天津理工学院学报》
2001年第2期9-14,共6页
用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能 ,高击穿电压 ,耐高温 ,基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点 .金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 .本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲...
用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能 ,高击穿电压 ,耐高温 ,基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点 .金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 .本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线 .
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关键词
金刚石薄膜
电容
扫描电子显微镜
欧姆接触
形貌分析
I-V曲线
下载PDF
职称材料
题名
金刚石薄膜电容的欧姆接触
1
作者
宁延一
曲长庆
赵影
白明
杨保和
常明
机构
天津理工学院光电信息与电子工程系
出处
《天津理工学院学报》
2001年第2期9-14,共6页
基金
国家 8 6 3和天津自然科学基金重点项目 (0 0 380 0 2 11)
文摘
用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能 ,高击穿电压 ,耐高温 ,基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点 .金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 .本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线 .
关键词
金刚石薄膜
电容
扫描电子显微镜
欧姆接触
形貌分析
I-V曲线
Keywords
diamond
film
capacitances
SEM
ohm
contact
分类号
TM53 [电气工程—电器]
O484.42 [理学—固体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚石薄膜电容的欧姆接触
宁延一
曲长庆
赵影
白明
杨保和
常明
《天津理工学院学报》
2001
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