利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)设备，在硅基片上进行了金刚石薄膜的沉积 实验.结果表明，在基片温度约为950 ℃，碳源浓度为1％，反应室内气体压力为4666.28 Pa 时可获得高质量金刚石薄膜.研究认为，在该实验条件下，氢原子脱附几...利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)设备，在硅基片上进行了金刚石薄膜的沉积 实验.结果表明，在基片温度约为950 ℃，碳源浓度为1％，反应室内气体压力为4666.28 Pa 时可获得高质量金刚石薄膜.研究认为，在该实验条件下，氢原子脱附几率大，形成的碳悬 键不易倒伏，容易被碳原子替代，从而形成SP3杂化键，因而有利于提高金刚石的成核密度.展开更多
