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Design and Modelling of Piezoelectric Road Energy Harvesting 被引量:2
1
作者 Andrew Sherren Kyle Fink +3 位作者 Joshua Eshelman Luay Yassin Taha Sohail Anwar Craig Brennecke 《Open Journal of Energy Efficiency》 2022年第2期24-36,共13页
In recent years, road piezoelectric energy harvesting (RPEH) has attracted great attention from industry and academia, as it can provide power to traffic ancillary facilities and low-power wireless sensor devices to s... In recent years, road piezoelectric energy harvesting (RPEH) has attracted great attention from industry and academia, as it can provide power to traffic ancillary facilities and low-power wireless sensor devices to support car networking and intelligent transportation. The output power of RPEH in a recent research project demonstrated a watt level RPEH. In this proposal, we propose to harvest energy from piezoelectric modules (also called stacks) to power selected highways, tolls, and bridges in Pennsylvania. The project incorporates electrical, mechanical, and civil engineering works. The proposed smart highway RPEH will be conducted using optimization parameters to evaluate the system performance and trade-offs. MATLAB will be used with other optimization solvers in problem modeling and optimization. During this project, an RPEH hardware system will be constructed. The system will include a piezoelectric module, rectifier (AC-DC), Storage battery, data acquisition system (DAQ), and computer. The captured data will be analyzed using MATLAB/Simulink. The results show that optimum harvested parameters were addressed when the thickness is selected as 2 mm. 展开更多
关键词 Energy Harvesting Piezoelectric Harvesters Road Pavement device modelling
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Compact model for ballistic single wall CNTFET under quantum capacitance limit 被引量:1
2
作者 Amandeep Singh Mamta Khosla Balwinder Raj 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第10期48-55,共8页
This paper proposes a compact model for carbon nanotube field effect transistor(CNTFET) based on surface potential and conduction band minima. The proposed model relates the I–V characteristics to chirality under q... This paper proposes a compact model for carbon nanotube field effect transistor(CNTFET) based on surface potential and conduction band minima. The proposed model relates the I–V characteristics to chirality under quantum capacitance limit. C–V characteristics have been efficiently modelled for different capacitance models which are used to find the relationship between CNT surface potential and gate voltage. The role of different capacitances is discussed and it has been found that the proposed circuit compact model strictly follows quantum capacitance limit. The proposed model is efficiently designed for circuit simulations as it denies self-consistent numerical simulation. Furthermore, this compact model is compared with experimental results. The model has been used to simulate an inverter using HSPICE. 展开更多
关键词 carbon nanotube(CNT) device modelling ballistic CNTFET quantum capacitance
原文传递
Experimental and Simulation Validation of Piezoelectric Road Energy Harvesting
3
作者 Andrew Sherren Kyle Fink +7 位作者 Joshua Eshelman Luay Yassin Taha Sohail Anwar Craig Brennecke Hussein M. Abdeltawab Shihui Shen Faeze Ghofrani Cheng Zhang 《Open Journal of Energy Efficiency》 2022年第3期122-141,共20页
This project strived to develop a prototype road piezoelectric energy harvester RPEH system using five Lead Zirconate Titanate (PZT) PZT 5H modules (stacks) that are embedded in the road by means of a housing unit to ... This project strived to develop a prototype road piezoelectric energy harvester RPEH system using five Lead Zirconate Titanate (PZT) PZT 5H modules (stacks) that are embedded in the road by means of a housing unit to harvest energy from vehicles stressing the modules. The work is an extension of our previous published work in the same journal. The design considered many factors to optimize the harvested energy. The proposed system first captures mechanical energy using a designed module that transfers the energy to the piezoelectric stacks. Then the captured energy will be converted into electrical energy by the piezoelectric phenomenon. The harvested energy is stored in a storage device, then analyzed by an oscilloscope through the acquisition of the harvested voltage, current, power, and energy. When testing the RPEH with the wheel tracking machine, varying resistor loads where connected to the output of the RPEH to address the optimum power delivered to the load. The optimum load was found to be 950 kΩ, and the optimal harvested energy was recorded as 45 uJ. 展开更多
关键词 Energy Harvesting Piezoelectric Harvesters Road Pavement device modelling
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硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展
4
作者 洪敏 陈仙 +3 位作者 徐学良 唐新悦 张正元 张培健 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期472-482,共11页
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、... 全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。 展开更多
关键词 超薄柔性芯片 弯曲应力效应 MOSFET 压阻系数 器件建模
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自对准GaAs MESFET的二维数值分析
5
作者 张延曹 宫俊 周南生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期54-57,共4页
本文对源漏n+浅结注入的自对准GaAsMESFET内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析,分析表明,不同n+注入深度对器件的特性有一定的影响,当n+注入深度为有源层厚度的1/4时,畴的体积最小.适当... 本文对源漏n+浅结注入的自对准GaAsMESFET内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析,分析表明,不同n+注入深度对器件的特性有一定的影响,当n+注入深度为有源层厚度的1/4时,畴的体积最小.适当选取n+区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压. 展开更多
关键词 半导体器件 模拟 自对准器件 砷化镓
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光电集成电路的CAD系统 被引量:1
6
作者 冯威 高建军 《半导体情报》 2000年第1期46-50,共5页
介绍了光电集成电路 ( OEIC) CAD系统的设计技术和软件功能。
关键词 光电集成电路 CAD 光通信
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电力系统电磁暂态仿真IGBT详细建模及应用 被引量:27
7
作者 沈卓轩 姜齐荣 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期235-247,共13页
在电力系统电磁暂态离线和实时仿真中,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的全控型电力电子器件常采用理想开关模型。IGBT器件在交直流变换器、直流断路器中获得了广泛的应用,器件的运行状态会对系统暂态过程产生影响,而系统的暂态过程... 在电力系统电磁暂态离线和实时仿真中,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的全控型电力电子器件常采用理想开关模型。IGBT器件在交直流变换器、直流断路器中获得了广泛的应用,器件的运行状态会对系统暂态过程产生影响,而系统的暂态过程也会增加器件的电压、电流应力,严重时可能造成器件损坏,进而影响整个设备及系统的安全可靠运行。基于理想开关模型的电磁暂态仿真无法准确模拟暂态过程中该器件的特性及其受到的应力。研究系统电路、器件及其控制之间的动态相互作用,就对电磁暂态仿真中IGBT准确建模提出了更高的要求。近年来,多种IGBT详细模型和解耦方法被提出,并被应用在离线及实时电磁暂态仿真中。得益于高性能计算设备的快速发展,详细模型可高效应用于含有大量IGBT器件的交直流系统仿真中。文中对不同类型建模方法进行归纳,分析其功能、计算复杂度和准确度,并详细介绍了系统解法、并行算法与仿真平台等方面内容。另外,还举例介绍了IGBT详细建模的应用场景,分析了在建模、系统解法、并行算法及应用领域等方面的难点与限制,并提出了相应的建议。 展开更多
关键词 电磁暂态仿真 电力系统 绝缘栅双极型晶体管 器件模型 模块化多电平变换器
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双向竖井贯流泵站模型泵装置模型试验 被引量:15
8
作者 陈容新 关醒凡 +1 位作者 王伟 陆伟刚 《排灌机械》 2007年第1期33-37,共5页
按照流体力学相似原理建立了黄麻涌双向竖井贯流泵站流道的装置模型,试验测定了模型泵装置在指定叶片角度下运行的装置综合特性曲线,将泵装置综合特性曲线换算成原型泵的特性曲线,同时试验测定在不同工况运行状态下的汽蚀性能,并观察进... 按照流体力学相似原理建立了黄麻涌双向竖井贯流泵站流道的装置模型,试验测定了模型泵装置在指定叶片角度下运行的装置综合特性曲线,将泵装置综合特性曲线换算成原型泵的特性曲线,同时试验测定在不同工况运行状态下的汽蚀性能,并观察进出水流道的流态,得到了汽蚀性能结果,提出了建设泵站的注意事项和相应的改进措施。 展开更多
关键词 贯流泵 竖井 双向 装置模型 模型泵
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多能源混合微网容量优化配置研究综述 被引量:12
9
作者 邢鹏翔 张世泽 +2 位作者 曾梦迪 王义 吴优 《武汉大学学报(工学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期375-383,共9页
多能源混合微网的容量优化配置是合理利用可再生能源、保障系统供电稳定性、可靠性和经济性的前提.总结了微网系统容量优化配置的一般方法,对常用于微网系统中的风力发电机、光伏、柴油发电机和蓄电池储能系统的数学模型进行了论述,并... 多能源混合微网的容量优化配置是合理利用可再生能源、保障系统供电稳定性、可靠性和经济性的前提.总结了微网系统容量优化配置的一般方法,对常用于微网系统中的风力发电机、光伏、柴油发电机和蓄电池储能系统的数学模型进行了论述,并介绍了蓄电池储能系统的寿命评估方法;列举了微网容量优化的约束条件和目标函数,以及应用于优化计算的人工智能算法,并对已开发应用的微网系统容量优化配置软件进行了介绍. 展开更多
关键词 微网 优化配置 元件模型 约束条件 目标函数
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Linux2.6内核设备模型分析 被引量:5
10
作者 李正平 徐超 +1 位作者 陈军宁 代广珍 《计算机技术与发展》 2007年第3期141-143,共3页
Linux2.6内核提供了统一的内核设备模型,能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp,具有优良的适应性。基于Linux2.6.10内核源代码,介绍了2.6内核中的设备模型,详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件,重点分析了内核对象机制的基... Linux2.6内核提供了统一的内核设备模型,能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp,具有优良的适应性。基于Linux2.6.10内核源代码,介绍了2.6内核中的设备模型,详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件,重点分析了内核对象机制的基本原理以及构建在内核对象机制上的设备模型组件。 展开更多
关键词 LINUX 2.6内核 设备模型 kohject
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通用自动测试系统模型化设计 被引量:8
11
作者 申莉 沈士团 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期794-798,共5页
针对通用测试系统对系统统一模型的迫切需求以及目前ATE(AutomaticTest Equipment)模型化设计的不足,基于信号建立了一套完整、有效的ATE系统模型.此模型将ATE系统的硬件资源以及UUT(Unit Under Test)均进行了模型化处理.提出了基于TFF(... 针对通用测试系统对系统统一模型的迫切需求以及目前ATE(AutomaticTest Equipment)模型化设计的不足,基于信号建立了一套完整、有效的ATE系统模型.此模型将ATE系统的硬件资源以及UUT(Unit Under Test)均进行了模型化处理.提出了基于TFF(Test Foundation Framework)的基本信号模型;提出了完全基于信号的仪器驱动模型;提出了基于测试与诊断相结合思想的UUT模型;提出了基于模型间信息共享的思想和路径以逻辑开关描述思想的路径模型.该模型体系为系统资源配置、仪器可互换、测试程序自动生成以及故障诊断提供了强有力的模型基础,从而大大加快了ATE的设计过程,从很大程度上降低了开发成本. 展开更多
关键词 自动测试 模型 基于信号 仪器设备模型 路径模型 UUT模型
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ESD应力下的NMOSFET模型 被引量:8
12
作者 路香香 姚若河 罗宏伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期842-847,共6页
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区... 随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。 展开更多
关键词 静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型
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消防系统在群智能建筑平台下的仿真实验研究 被引量:7
13
作者 刘夕广 谢立强 +3 位作者 杨启亮 邢建春 姜子炎 赵千川 《建筑科学》 CSCD 北大核心 2020年第4期149-154,共6页
群智能建筑平台以其扁平化、无中心的系统架构,不仅具有自组织、自识别能力,更可通过并行计算搭载丰富的智能算法。为了实现消防系统在群智能建筑平台下的应用,本文搭建了群智能建筑仿真平台,构建了消防设备的仿真模型,设计了在仿真平... 群智能建筑平台以其扁平化、无中心的系统架构,不仅具有自组织、自识别能力,更可通过并行计算搭载丰富的智能算法。为了实现消防系统在群智能建筑平台下的应用,本文搭建了群智能建筑仿真平台,构建了消防设备的仿真模型,设计了在仿真平台下运行的消防系统应用程序,通过模拟某建筑的消防系统运行规律,验证了消防系统在群智能建筑平台下运行的有效性,为消防系统的智能化应用奠定了基础。 展开更多
关键词 群智能建筑 仿真实验 消防系统 信息模型 设备模型
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双极型压控晶体管模型及原理 被引量:4
14
作者 曾云 颜永红 +2 位作者 陈迪平 曾健平 冯辉煜 《微细加工技术》 EI 1997年第3期63-65,共3页
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型,并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电,有较大的电流密度和功率,导电能力又受电压控制,具有较大的输入阻抗,兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。
关键词 晶体管 模型 BJT 双极型 压控晶体管
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InGaAs/InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 被引量:5
15
作者 高新江 张秀川 陈扬 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期617-622,共6页
基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带... 基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。模拟结果与实际器件特性测量结果相符合,表明运用该模型与数值模拟方法可对不同结构参数的InGaAs/InP SAGCM-APD进行结构设计、工艺改进和特性分析。 展开更多
关键词 INGAAS/INP SAGCM—APD 器件模型 数值模拟 器件特性
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适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型 被引量:4
16
作者 颜渝瑜 钱晓州 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期232-242,共11页
提出了一个模拟SiCe基区HBT器件特性的物理模型,在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间... 提出了一个模拟SiCe基区HBT器件特性的物理模型,在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了SiGe基区HBT器件的电流和电荷公式。同时开发了SiGe基区HBT的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的SPICE程序模拟了实际SiGe基区HBT的器件和电路,通过同实际测量结果的比较,验证了模型的精确性。 展开更多
关键词 半导体器件 HBT 异质结晶体管 器件模型
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Linux输入子系统在触摸屏驱动上的实现 被引量:5
17
作者 於琪建 张海峰 《机电工程》 CAS 2009年第3期32-34,101,共4页
为了简化传统Linux驱动程序设计及便于对驱动模块的管理与维护,采用了基于内核对象的输入子系统,完成了Linux设备驱动框架,改进了传统基于文件操作接口的驱动程序设计方法,提出了只需向系统报告输入事件的开发方法,并顺利地实现了触摸... 为了简化传统Linux驱动程序设计及便于对驱动模块的管理与维护,采用了基于内核对象的输入子系统,完成了Linux设备驱动框架,改进了传统基于文件操作接口的驱动程序设计方法,提出了只需向系统报告输入事件的开发方法,并顺利地实现了触摸驱动的开发。试验结果表明,该驱动运行稳定并能精确控制触摸屏。 展开更多
关键词 设备驱动 设备模型 输入子系统 触摸屏
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基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取 被引量:4
18
作者 陈松涛 刘晓彦 +1 位作者 杜刚 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期406-411,共6页
对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降... 对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖 ,对已有参数进行了修正。模型以及参数提取结果都分别进行了验证。 展开更多
关键词 BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术
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一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 被引量:1
19
作者 廖怀林 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期329-334,共6页
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模... 从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续 。 展开更多
关键词 深亚微米器件 模拟电路 SOI MOSFET 模型
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通用测试系统资源描述模型研究 被引量:3
20
作者 孟文龙 陈明 《测控技术》 CSCD 2006年第12期51-53,57,共4页
面向信号软件结构是通用自动测试系统软件的发展方向,面向信号软件中使用的是虚拟资源,系统必须通过测试资源描述进行资源配置,才能驱动测试设备完成测试任务。分析了测试资源描述的设备模型、适配器模型、系统配置模型以及测试系统资... 面向信号软件结构是通用自动测试系统软件的发展方向,面向信号软件中使用的是虚拟资源,系统必须通过测试资源描述进行资源配置,才能驱动测试设备完成测试任务。分析了测试资源描述的设备模型、适配器模型、系统配置模型以及测试系统资源配置过程,并在实践中进行了应用。 展开更多
关键词 通用测试系统 测试资源描述 设备模型 适配器模型 配置模型
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