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氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究
被引量：
2
1
作者
于威
王建涛
+3 位作者
李云
郭少刚
朱海荣
傅广生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期1035-1040,共6页
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率...
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小。薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加。
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关键词
纳米晶硅
富硅氧化硅
低温沉积
微结构
下载PDF
职称材料
题名
氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究
被引量：
2
1
作者
于威
王建涛
李云
郭少刚
朱海荣
傅广生
机构
河北大学物理科学与技术学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期1035-1040,共6页
文摘
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小。薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加。
关键词
纳米晶硅
富硅氧化硅
低温沉积
微结构
Keywords
nanocrystalline
silicon
silicon
rich
silicon
oxide
deposition
at
lower
temperatures
microstructure
分类号
O77 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究
于威
王建涛
李云
郭少刚
朱海荣
傅广生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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