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基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量：
2
1
作者
倪烨
徐浩
+3 位作者
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出...
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
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关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅通孔互联
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职称材料
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
被引量：
6
2
作者
王家畴
荣伟彬
+1 位作者
李昕欣
孙立宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减...
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。
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关键词
体硅工艺
深度反应离子刻蚀
背片技术
面内侧面压阻
纳米级定位平台
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职称材料
650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究
3
作者
赵勇
《安徽师范大学学报（自然科学版）》
2024年第1期27-32,共6页
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。
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关键词
超结MOSFET
工艺仿真
深槽刻蚀填充技术
半导体
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职称材料
用于血样前处理的BioMEMS微流控芯片
被引量：
4
4
作者
陈兴
崔大付
+1 位作者
刘长春
李辉
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1991-1995,共5页
基于BioMEMS技术,研制成三种血液样品前处理微流控芯片,分别介绍了血样前处理微流控芯片的原理、结构、制备技术以及样品前处理效果.基于错流过滤原理,设计了用于血细胞分离的错流过滤微结构,采用深刻蚀技术在硅片上刻蚀出直径为20μm,...
基于BioMEMS技术,研制成三种血液样品前处理微流控芯片,分别介绍了血样前处理微流控芯片的原理、结构、制备技术以及样品前处理效果.基于错流过滤原理,设计了用于血细胞分离的错流过滤微结构,采用深刻蚀技术在硅片上刻蚀出直径为20μm,高度为50μm的圆柱阵列;基于化学法破裂细胞,设计了用于血细胞破裂的夹流式微沟道,采用湿法腐蚀技术在硅片上腐蚀出深度约为80μm的微沟道;基于固相萃取原理,设计了用于DNA提纯的介孔固相载体,采用电化学阳极腐蚀技术在硅微沟道内表面制得表面积为300m2/g的介孔层.分别在芯片上实现了血细胞的分离、血细胞的破裂以及DNA的提纯.
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关键词
BIOMEMS
样品前处理
微流控芯片
深刻蚀技术
电化学阳极腐蚀技术
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职称材料
题名
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量：
2
1
作者
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
机构
北京无线电测量研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
文摘
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅通孔互联
Keywords
wafer
level
package
deep
etching
technology
through
silicon
via
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
被引量：
6
2
作者
王家畴
荣伟彬
李昕欣
孙立宁
机构
哈尔滨工业大学机器人研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期636-641,共6页
基金
国家杰出青年基金资助项目(No.50725518)
国家“863”高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA04Z315)
长江学者和创新团队发展计划资助项目
文摘
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。
关键词
体硅工艺
深度反应离子刻蚀
背片技术
面内侧面压阻
纳米级定位平台
Keywords
silicon
hulk
mieromachining
deep
Reactive
Ion
etching
（DRIE）
paste
silicon
technology
sidewall
piezoresistor
in
plane
nano-positioning
stage
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究
3
作者
赵勇
机构
江苏鲸充新能源技术有限公司
出处
《安徽师范大学学报（自然科学版）》
2024年第1期27-32,共6页
基金
国网江苏省电力有限公司科技项目(J2020111).
文摘
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。
关键词
超结MOSFET
工艺仿真
深槽刻蚀填充技术
半导体
Keywords
superjunction
MOSFET
process
simulation
deep
trench
etching
and
filling
technology
semiconductor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于血样前处理的BioMEMS微流控芯片
被引量：
4
4
作者
陈兴
崔大付
刘长春
李辉
机构
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1991-1995,共5页
基金
自然科学基金项目资助(60427001和60501020)
中国科学院"优秀博士学位论文
院长奖获得者"专项启动资金
文摘
基于BioMEMS技术,研制成三种血液样品前处理微流控芯片,分别介绍了血样前处理微流控芯片的原理、结构、制备技术以及样品前处理效果.基于错流过滤原理,设计了用于血细胞分离的错流过滤微结构,采用深刻蚀技术在硅片上刻蚀出直径为20μm,高度为50μm的圆柱阵列;基于化学法破裂细胞,设计了用于血细胞破裂的夹流式微沟道,采用湿法腐蚀技术在硅片上腐蚀出深度约为80μm的微沟道;基于固相萃取原理,设计了用于DNA提纯的介孔固相载体,采用电化学阳极腐蚀技术在硅微沟道内表面制得表面积为300m2/g的介孔层.分别在芯片上实现了血细胞的分离、血细胞的破裂以及DNA的提纯.
关键词
BIOMEMS
样品前处理
微流控芯片
深刻蚀技术
电化学阳极腐蚀技术
Keywords
BioMEMS
sample
pretreatment
microfluidic
chip
deep
reaction
ion
etching
technology
electrochemical
etching
technology
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
2
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
王家畴
荣伟彬
李昕欣
孙立宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
下载PDF
职称材料
3
650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究
赵勇
《安徽师范大学学报（自然科学版）》
2024
0
下载PDF
职称材料
4
用于血样前处理的BioMEMS微流控芯片
陈兴
崔大付
刘长春
李辉
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
下载PDF
职称材料
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