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钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究 被引量：1
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作者 游思伟 艾涛 栾丽君 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1873-1878,共6页
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁... CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。 展开更多
关键词 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V 深能级缺陷 深施主能级 费米能级
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