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A novel measuring method of clamping force for electrostatic chuck in semiconductor devices 被引量:3
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作者 王珂晟 程嘉 +1 位作者 钟音 季林红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第4期93-99,共7页
Electrostatic chucks are one of the core components of semiconductor devices. As a key index of electrostatic chucks, the clamping force must be controlled within a reasonable range. Therefore, it is essential to accu... Electrostatic chucks are one of the core components of semiconductor devices. As a key index of electrostatic chucks, the clamping force must be controlled within a reasonable range. Therefore, it is essential to accurately measure the clamping force. To reduce the negative factors influencing measurement precision and repeatability, this article presents a novel method to measure the clamping force and we elaborate both the principle and the key procedure. A micro-force probe component is introduced to monitor, adjust, and eliminate the gap between the wafer and the electrostatic chuck. The contact force between the ruby probe and the wafer is selected as an important parameter to characterize de-chucking, and we have found that the moment of de-chucking can be exactly judged. Moreover, this article derives the formula calibrating equivalent action area of backside gas pressure under real working conditions, which can effectively connect the backside gas pressure at the moment of de-chucking and the clamping force. The experiments were then performed on a self-designed measuring platform.The de-chucking mechanism is discussed in light of our analysis of the experimental data. Determination criteria for de-chucking point are summed up. It is found that the relationship between de-chucking pressure and applied voltage conforms well to quadratic equation. Meanwhile, the result reveals that actual de-chucking behavior is much more complicated than the description given in the classical empirical formula. 展开更多
关键词 electrostatic chuck wafer clamping force de-chucking measuring method
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多晶硅棍状(Stick Particle)缺陷的分析与优化
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作者 胡伟玲 《集成电路应用》 2023年第9期38-40,共3页
阐述HK制程多晶硅P1HM步骤后的棍状(stick particle)的缺陷。因腔体作业所需条件,整个腔体侧壁与底部静电吸盘上都附着SICL4+O2生成的SIO2的coating材料,刻蚀过程中可能会有聚合物(polymer)掉落或静电吸盘吸附的晶圆背面掉落到下片导致... 阐述HK制程多晶硅P1HM步骤后的棍状(stick particle)的缺陷。因腔体作业所需条件,整个腔体侧壁与底部静电吸盘上都附着SICL4+O2生成的SIO2的coating材料,刻蚀过程中可能会有聚合物(polymer)掉落或静电吸盘吸附的晶圆背面掉落到下片导致的棍状缺陷,导致在P1LEC步骤刻蚀变为阻挡层刻蚀,P1LEC后变为Poly Block ETCH。探讨针对stick PA的解决方案。 展开更多
关键词 射频轰击 棍状缺陷 静电吸盘 coating材料 de-chuck
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一种优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤的方式
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作者 马宏潇 厉渊 徐旻 《集成技术》 2019年第2期37-42,共6页
该文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先,采用基于蒙特卡罗随机数方法的应... 该文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先,采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件Pegasus对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距与等离子体分布均一性的关系,得到最佳极板间距范围。其次,以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后,以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到最优射频电源关闭方式。该文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。 展开更多
关键词 刻蚀 去静电 等离子体 残存电荷 良率
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研究并优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤对晶片残存电荷的影响
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作者 马宏潇 厉渊 徐昱 《磁性元件与电源》 2018年第12期153-156,160,共5页
本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先采用基于蒙特卡罗随机数方法的应... 本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件PEGASUS对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距(Gap)与等离子体分布均一性的关系,得到了最佳极板间距范围。其次以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行了优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到了最优射频电源关闭方式。本文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。 展开更多
关键词 刻蚀 去静电 等离子体 残存电荷 良率
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