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超特高压变电站主变压器套管发热缺陷分析及对策 被引量：2
1
作者 苗长青 尹国慧 +2 位作者 任宝森 赵广方 李杰 《黑龙江电力》 CAS 2019年第5期429-432,共4页
针对主变压器套管发热缺陷不易发现的问题,以一起500 kV变电站主变中性点套管柱头发热缺陷的实际案例为参考,对导致柱头发热的各种原因进行深入分析,并论证了无功补偿设备投切与柱头热点温度变化的关系。以此为基础提出主变套管电压致... 针对主变压器套管发热缺陷不易发现的问题,以一起500 kV变电站主变中性点套管柱头发热缺陷的实际案例为参考,对导致柱头发热的各种原因进行深入分析,并论证了无功补偿设备投切与柱头热点温度变化的关系。以此为基础提出主变套管电压致热型缺陷在检测时需要注意的事项,并分别对两种致热类型缺陷的发现和处理提出了应对措施,对变电站日常检测工作有一定借鉴意义。 展开更多
关键词 变压器 套管发热 电流致热型 电压致热型
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电流焦耳热调控反转型垂直(Co/Pt)n/Co/IrMn纳米多层膜结构的交换偏置效应研究 被引量：1
2
作者 丰家峰 魏红祥 +3 位作者 于国强 黄辉 郭经红 韩秀峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期331-337,共7页
交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_(n)/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)... 交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_(n)/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)的面内交换偏置效应,不仅连续改变了交换偏置场Heb大小,而且实现了Heb的翻转.在垂直多层膜结构中,如果固定外加磁场H_(p)(脉冲电流I_(DC))后连续改变I_(DC)(H_(p))的大小可以连续调控Heb的数值;如果固定H_(p)(I_(DC))后同时改变I_(DC)(H_(p))的大小和方向,则在较大I_(DC)时可实现H_(eb)的翻转.结果表明,该方法可以用来原位调控磁敏传感器的线性磁场范围和灵敏度等关键性能参数,对磁敏传感器的优化研究具有重要的借鉴意义. 展开更多
关键词 磁敏传感器 交换偏置效应 电流焦耳热 垂直纳米多层膜结构
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变电站非承流结构金具异常发热缺陷模拟分析
3
作者 王英杰 陈波 +4 位作者 刘琦 谢明佐 于鲜莉 赵子建 王磊 《内蒙古电力技术》 2024年第2期61-67,共7页
针对一起变电站连接金具发热缺陷,对该类型结构的常见发热缺陷做了分析,并基于Matlab软件仿真模拟了该特殊缺陷的产生过程。以引流线夹故障为例,假设故障线夹处接触电阻Rj1在0.001~0.8Ω变化,电阻变化步长设置为0.005Ω,运行电流有效值... 针对一起变电站连接金具发热缺陷,对该类型结构的常见发热缺陷做了分析,并基于Matlab软件仿真模拟了该特殊缺陷的产生过程。以引流线夹故障为例,假设故障线夹处接触电阻Rj1在0.001~0.8Ω变化,电阻变化步长设置为0.005Ω,运行电流有效值为280 A。由仿真结果可看出,当线夹某处发生故障时,随着其电阻值的变化,该处发热功率P_(j1)呈先增后减的趋势,而门型架构侧连接金具热功率P_(l1)呈现单调增加的趋势,最后表现出P_(l1)远大于P_(j1)的现象。仿真验证在特定的故障参数下,实际故障部位可能会引起其他部位的发热,而其本身发热现象可能不明显。对此,提出了对于该类型缺陷的单独分类方式和针对该类故障的跟踪处理方式,为同类型站内金具发热故障的处理提供参考。 展开更多
关键词 变电站 发热缺陷 连接金具 电流致热 接触电阻
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