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多柱并联直流中性母线避雷器均流特性试验研究 被引量:15
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作者 卢文浩 祝嘉喜 +1 位作者 黎卫国 刘婉莹 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期104-108,114,共6页
发生直流线路接地或极母线接地故障时,直流中性母线避雷器将产生很大的能量,为满足能量要求,中性母线避雷器采用了多柱并联的结构。为避免电流分配不均使某一柱避雷器阀片吸收能量过大损坏,必须严格控制多柱并联避雷器的电流分布不均匀... 发生直流线路接地或极母线接地故障时,直流中性母线避雷器将产生很大的能量,为满足能量要求,中性母线避雷器采用了多柱并联的结构。为避免电流分配不均使某一柱避雷器阀片吸收能量过大损坏,必须严格控制多柱并联避雷器的电流分布不均匀系数。目前判断多柱并联避雷器均流特性优劣的方法为测试通过单柱100~1 000 A的雷电冲击电流下的不均匀系数不大于1.1。而通过直流中性母线避雷器的电流波形与测试采用的波形相差较大,文中结合直流中性母线避雷器典型电流幅值和波形,开展电流分布试验,验证电流分布特性是否符合要求,并分析了冲击电流大小、波形对电流分布特性的影响。结果表明,在单柱25~500 A的冲击电流范围内,随着电流减小,避雷器电流分布不均匀系数总体呈现增大的趋势;在小电流下,电流波形对多柱并联阀片的均流特性基本没有影响。 展开更多
关键词 中性母线避雷器 电流分布系数 均流试验
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有限双极性软开关焊接电源仿真研究
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作者 李喜良 黄鹏飞 刘飞 《新技术新工艺》 2024年第3期56-62,共7页
有限双极性全桥软开关克服了移相全桥软开关过程中的占空比丢失和软开关负载范围小等问题,减小了全桥逆变电路的开关损耗,而焊接过程中的电弧负载存在空载状态,有限双极性全桥软开关空载时难以实现零电压开关。ISOP拓扑结构能够降低开... 有限双极性全桥软开关克服了移相全桥软开关过程中的占空比丢失和软开关负载范围小等问题,减小了全桥逆变电路的开关损耗,而焊接过程中的电弧负载存在空载状态,有限双极性全桥软开关空载时难以实现零电压开关。ISOP拓扑结构能够降低开关管的压降,从而选取低耐压的开关管,进一步降低电路的损耗。基于有限双极性控制策略,选取ISOP拓扑结构,采用倍流整流电路以实现全负载范围内的软开关,通过PSpice仿真软件对该电路软开关情况以及超前臂关断损耗进行仿真研究,为实际电路提供研究依据。搭建的焊接电源在全负载范围内实现软开关,同时对比了电源在硬开关和软开关工作情况下的温升情况,空载情况下硬开关温升较小,重载情况下软开关温升较小。 展开更多
关键词 有限双极性 软开关 ISOP 均压均流 PSPICE 开关损耗 温升测试
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电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(二):实验研究 被引量:3
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作者 顾妙松 崔翔 +4 位作者 彭程 唐新灵 韩荣刚 李学宝 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第10期3288-3296,共9页
开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究。首先,比较多种IGBT/FRD芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试。实验结果证实器件内存... 开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究。首先,比较多种IGBT/FRD芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试。实验结果证实器件内存在复杂的动态不均流现象,进一步表明:发射极电极圆周化布置时,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性,但当器件连接外部不对称汇流母排后,该设计方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽方案,对于对称或不对称的外部电磁条件都能对器件内部的动态均流特性加以改善。 展开更多
关键词 压接型IGBT 压接型FRD 并联均流实验 电极结构
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蓄电池充电机并联不均流原因及解决方案 被引量:2
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作者 孟令江 刘云龙 《铁道车辆》 2017年第11期43-44,共2页
介绍了蓄电池充电机并联不均流的原因以及可行的解决方案,重点介绍了"下垂法"并联均流控制技术原理,并通过仿真试验进行了验证。
关键词 蓄电池充电机 并联均流 仿真试验
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电源并联均流技术在航天器测试中的应用 被引量:2
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作者 吴美金 邵琼 +2 位作者 王秉臣 唐亮 张建建 《电子设计工程》 2016年第19期177-179,183,共4页
针对单台稳压电源功率无法满足大型航天器测试供电的问题,设计了一种多电源并联均流的航天器测试供电系统。采用通用性强的VC#软件编程实现了均流的自动闭环控制,通过硬件架构设计使得系统中各电源电气独立、互为冗余。实验结果表明,该... 针对单台稳压电源功率无法满足大型航天器测试供电的问题,设计了一种多电源并联均流的航天器测试供电系统。采用通用性强的VC#软件编程实现了均流的自动闭环控制,通过硬件架构设计使得系统中各电源电气独立、互为冗余。实验结果表明,该系统均流效果显著、负载动态响应快、可靠性高,在大功率稳压供电中具有较高的工程应用价值。 展开更多
关键词 航天器 稳压电源 并联均流 地面测试
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高压直流断路器耗能支路MOV关键技术 被引量:17
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作者 杨兵 石巍 +3 位作者 方太勋 谢晔源 吕玮 陈羽 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期3208-3217,共10页
金属氧化锌避雷器(MOV)作为高压直流断路器的重要组成部分,具有电压等级高、吸收能量大(数百兆焦)的特点,工程设计难度大。该文详细开展了高压直流断路器MOV关键技术研究。首先,影响高压直流断路器MOV吸收能量的因素众多,MOV吸收能量计... 金属氧化锌避雷器(MOV)作为高压直流断路器的重要组成部分,具有电压等级高、吸收能量大(数百兆焦)的特点,工程设计难度大。该文详细开展了高压直流断路器MOV关键技术研究。首先,影响高压直流断路器MOV吸收能量的因素众多,MOV吸收能量计算和仿真难度大。同时详细分析了柔性直流系统运行方式、暂态保护控制策略、高压直流断路器的位置、故障点的位置以及故障类型对MOV吸收能量的影响,并以张北±535k V柔直工程为例,搭建七端仿真模型,归纳出直流断路器耗能支路MOV能量仿真方法。其次,高压直流断路器MOV能量巨大,需要涉及大量阀片串并联设计,该文从阀片生产工艺、一致性筛选试验、阀片配组、整体结构设计等方面开展多级阀片串并联的MOV一致性关键技术研究,同时设计多柱并联下MOV的监视和保护功能技术,提高其运行可靠性。最后,考虑到高压直流断路器中MOV的特殊应用工况,现有型式试验项目不能充分有效地考核其性能指标,还重点开展了MOV能量等效性试验和多柱均流测试的关键方法研究。高压直流断路器MOV关键技术研究涵盖了设计、生产与试验等各个环节,攻克直流断路器MOV设计难题,相关技术已经成功应用于张北±535 k V多端柔直工程。 展开更多
关键词 高压直流断路器 金属氧化锌避雷器 吸收能量仿真 MOV一致性 MOV能量试验 MOV均流试验
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SiC MOSFET栅极电参数退化机理及耦合关系
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作者 孟鹤立 邓二平 +1 位作者 常桂钦 黄永章 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期9-18,共10页
栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏(HTGB)试验平台。研究了HTGB下阈值电压和漏电流的退化趋势和影... 栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏(HTGB)试验平台。研究了HTGB下阈值电压和漏电流的退化趋势和影响,基于氧化层注入电荷量深入分析了两者之间的耦合关系。结果表明,热应力对载流子隧穿影响较为明显,对陷阱捕获的载流子影响相对较小,而场强则对两者均具有显著的影响。此外,提出了减小阈值电压漂移对SiC MOSFET均流特性影响的方法,指出了栅极漏电流下降现象的本质是栅极陷阱充电,并给出了栅极老化过程中漏电流失效基准值选取的方法。该研究结果为深入理解SiC MOSFET的栅极失效机理提供了理论指导。 展开更多
关键词 均流特性 阈值电压 漏电流 SiC MOSFET 高温栅偏(HTGB)试验
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逆导型IGBT电压回跳现象在电路应用中的影响分析 被引量:2
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作者 黄靖杰 马柯 +1 位作者 犬石昌秀 张明 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第3期183-192,共10页
逆导型IGBT(RC-IGBT)是一种新型功率半导体器件,实现了IGBT和续流二极管的片内集成,具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象,建立物理模型详细分析... 逆导型IGBT(RC-IGBT)是一种新型功率半导体器件,实现了IGBT和续流二极管的片内集成,具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良好的功率循环能力和关断特性等诸多优势。RC-IGBT正向导通时存在电压回跳现象,建立物理模型详细分析其产生机理及影响因素,得出了缓冲层掺杂浓度是决定回跳电压大小的重要因素。进一步通过控制变量法,利用TCAD仿真软件,从导通特性、并联均流特性和开关特性三个方面详细测试,分析了具有不同程度回跳现象的RC-IGBT在实际电路应用中的影响。通过合理的参数选择,可将回跳电压控制在可接受的范围内,并提高了器件的综合性能,为RC-IGBT设计优化和实际应用提供了有价值的参考和理论指导。 展开更多
关键词 逆导型IGBT 回跳现象 并联均流测试 软开关测试
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