一种双极性输出大功率压控恒流源的设计 被引量：8

1

作者 贾宏志 姜博实 +1 位作者 李倩倩 夏桂珍 《电测与仪表》 北大核心 2008年第9期62-64,共3页

本文介绍了一种双极性输出的大功率压控恒流源的设计方法。该恒流源采用简单的运放系统,经过电压扩展和电流扩展,可提供25V、0～2A的可调恒定电流,既达到了提供大输出电流的目的,而且电路结构简单,成本较低,精度较高。经测试该恒流源有... 本文介绍了一种双极性输出的大功率压控恒流源的设计方法。该恒流源采用简单的运放系统,经过电压扩展和电流扩展,可提供25V、0～2A的可调恒定电流,既达到了提供大输出电流的目的,而且电路结构简单,成本较低,精度较高。经测试该恒流源有较高的负载稳定度和较低的纹波。 展开更多

关键词 大功率恒流源 电压扩展 电流扩展

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74LM317三端稳压器应用探索 被引量：2

2

作者 王愉节 《实验科学与技术》 2010年第2期3-4,72,共3页

文章从电路原理分析入手,介绍了LM317集成三端稳压器的应用设计,该电路设计解决了民用级可调试三端稳压器输出电压、电流可调范围较小,带负载能力较弱等问题。设计方法为在三端稳压器的输入端、调整端加入运算放大器和三极管,使电路的... 文章从电路原理分析入手,介绍了LM317集成三端稳压器的应用设计,该电路设计解决了民用级可调试三端稳压器输出电压、电流可调范围较小,带负载能力较弱等问题。设计方法为在三端稳压器的输入端、调整端加入运算放大器和三极管,使电路的输出电压、电流值只取决于电路参数R、Vbe的值。通过长期实践应用证明,此方法不但适用于负载需要较大电流的通用型稳压器,而且适用于进行电路实验和电子产品的电路开发。 展开更多

关键词 三端稳压器 电流扩展 截流保护

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808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 被引量：1

3

作者 杨晔 刘云 +7 位作者 秦莉 王烨 梁雪梅 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 王立军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期35-38,共4页

采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光... 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。 展开更多

关键词 半导体激光器线阵列 隔离沟道 腐蚀深度 电流扩散 电流分布

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快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响 被引量：1

4

作者 闫晓密 黄慧诗 +3 位作者 华斌 张秀敏 莫晓帆 周东 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期765-768,共4页

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触。研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响。结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33Ω/和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70Ω/和95.9%,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8%;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58Ω/和95.4%,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9%。 展开更多

关键词 快速热退火(RTA) ITO薄膜 电流扩展 LED芯片 磁控溅射

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P沟道恒流二极管的电流扩展方法

5

作者 鲁冬梅 刘桥 +1 位作者 杨发顺 陈睿 《贵州大学学报（自然科学版）》 2015年第2期47-49,共3页

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂... 介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。 展开更多

关键词 P沟道恒流二极管 电流扩展 沟道长度 沟道厚度 沟道杂质浓度 基区宽度

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大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究

6

作者 张楠 崔碧峰 +6 位作者 刘斌 邹德恕 李建军 高国 张蕾 王智群 沈光地 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期529-532,共4页

利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度... 利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。 展开更多

关键词 半导体激光器线阵列 电流扩展 隔离槽 腐蚀深度

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GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响

7

作者 孙重清 邹德恕 +6 位作者 顾晓玲 张剑铭 董立闽 宋颖娉 郭霞 高国 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期872-875,共4页

GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,... GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性。 展开更多

关键词 光电子学 固态照明 环状N电极 总辐射功率 电流扩展

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电源系统中线性扩流电路研究 被引量：2

8

作者 田春鹏 鄂江 +1 位作者 杜中国 王德兴 《通信电源技术》 2011年第6期34-35,41,共3页

在设计电源过程中为了达到系统所要求的电流,作者通过对几种扩流电路的对比研究与实验,总结了几种较为理想的线性分压扩流方式—电阻分压扩流与三极管分压扩流。这些扩流电路扩流效果明显,电路结构简单,成本低廉,非常适合对电源转化效... 在设计电源过程中为了达到系统所要求的电流,作者通过对几种扩流电路的对比研究与实验,总结了几种较为理想的线性分压扩流方式—电阻分压扩流与三极管分压扩流。这些扩流电路扩流效果明显,电路结构简单,成本低廉,非常适合对电源转化效率要求不是很高的场合。 展开更多

关键词 电源 线性扩流 分压 转化效率

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940nm大功率半导体激光器后工艺优化 被引量：1

9

作者 王海阔 李建军 +2 位作者 王元诚 王梦欢 袁泽旭 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第5期612-615,622,共5页

波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展... 波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。 展开更多

关键词 半导体激光器 大功率 侧向电流扩展 隔离沟道

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905 nm多有源区半导体激光器芯片结构优化设计

10

作者 姬世宇 熊聪 +4 位作者 祁琼 常津源 李伟 刘素平 马骁宇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期171-176,共6页

905 nm多有源区激光器主要用作车载激光雷达的信号源。为了进一步降低激光器的阈值电流、提高斜率效率,对激光器芯片结构进行优化。在非对称大光腔波导外延结构的三有源区激光器中引入隔离沟道结构,通过控制隔离沟道的刻蚀深度和间距来... 905 nm多有源区激光器主要用作车载激光雷达的信号源。为了进一步降低激光器的阈值电流、提高斜率效率,对激光器芯片结构进行优化。在非对称大光腔波导外延结构的三有源区激光器中引入隔离沟道结构,通过控制隔离沟道的刻蚀深度和间距来抑制电流的横向扩散效应,提升器件性能。所制备的腔长为1 mm、电极宽度为110μm、沟道刻蚀深度为7.0μm,间距为125μm的三有源区器件,能够将阈值电流降低到0.64 A,得到3.58 W/A的斜率效率,并在0.1%电流脉冲占空比的工作条件下获得134 W的峰值功率。 展开更多

关键词 激光器 半导体激光器 隔离沟道 电流横向扩散 隧道级联

原文传递

通孔电极对正装LED光电性能影响的研究

11

作者 戴泽毫 陈斯盼 +6 位作者 温俊杰 陈仁 梁宏辉 周兰君 李进 梁晓东 魏美霞 《中国照明电器》 2021年第6期11-18,共8页

传统LED的电极为圆环电极加电流扩展线,需要刻蚀部分有源层,减少发光面积,导致LED芯片亮度降低。本文采用光刻刻蚀法在电流拓展层表面制作3个及以上的电极通孔,使连续的电流扩展线变成不连续的电极孔洞,从而在理论上提高发光效率。通过... 传统LED的电极为圆环电极加电流扩展线,需要刻蚀部分有源层,减少发光面积,导致LED芯片亮度降低。本文采用光刻刻蚀法在电流拓展层表面制作3个及以上的电极通孔,使连续的电流扩展线变成不连续的电极孔洞,从而在理论上提高发光效率。通过高温加速老化试验,测试通孔电极结构的LED芯片发光效率、光衰等光电性能参数,并通过发光分布测试通孔电极对电流拓展能力的改变。结果表明,优化电极结构后LED总体亮度水平可提升4%~6%,且电流拓展能力增强,光衰减少,芯片寿命提高,可直接减少工艺步骤,单片节约工艺流程时间约9 h,提高生产效率。 展开更多

关键词 正装LED 电流拓展线 通孔电极 发光效率 光衰

原文传递

电涡流传感器在熵增膨胀机上的现场应用

12

作者 李斌 《中国仪器仪表》 2007年第6期72-74,共3页

介绍石化企业如何正确选择熵增膨胀机(输出功型)位移传感器类型、精度以及测量特性,以正确选择、安装传感器。

关键词 电涡流 膨胀机 传感器 平整度

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关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨 被引量：1

13

作者 斯芳虎 《电子与封装》 2008年第1期12-15,共4页

文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间... 文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAs基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。 展开更多

关键词 正向电压 外延层 欧姆接触 电流扩展 金属有机化合物气相淀积 PN结

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高响应交流永磁伺服系统快速电流环带宽扩展方法 被引量：1

14

作者 丁签华 纪科辉 +1 位作者 吴昊 熊卫华 《浙江理工大学学报（自然科学版）》 2024年第1期91-99,共9页

交流永磁伺服控制系统中现有电流采样和脉冲宽度调制(Pulse width modulation,PWM)占空比更新的方法延迟时间较长,在一定程度上会影响电机的电流环带宽和动态特性;针对该问题,建立了电流环闭环系统数学模型,分析了电流环的内部延迟和影... 交流永磁伺服控制系统中现有电流采样和脉冲宽度调制(Pulse width modulation,PWM)占空比更新的方法延迟时间较长,在一定程度上会影响电机的电流环带宽和动态特性;针对该问题,建立了电流环闭环系统数学模型,分析了电流环的内部延迟和影响电流环带宽的因素,在此基础上提出了一种通过改进电流采样与PWM更新时间的电流环带宽扩展方法。该方法通过提前PWM占空比更新时机来降低电流采样和PWM占空比更新之间的延迟,减小信号传输滞后,从而扩展电流环系统的闭环带宽,提高系统响应速度。仿真与实验结果表明,相比现有电流采样方法,采用新方法的交流永磁伺服控制系统的电流环具有更宽的带宽和更高的动态响应能力,从而提高了交流伺服系统的动态响应能力和稳态精度。该方法可为交流伺服系统在机器人、高端智能装备等对响应速度和定位精度要求较高领域的应用提供参考。 展开更多

关键词 交流永磁伺服 快速电流环 电流采样 占空比更新 电流环带宽扩展

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基于目标场法的永磁微型核磁共振成像系统梯度线圈设计的多参数仿真研究 被引量：3

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作者 轩倩倩 夏天 何培忠 《中国医学物理学杂志》 CSCD 2018年第6期687-694,共8页

目的:研究永磁微型核磁共振成像系统双平面梯度线圈产生梯度磁场的最大线性偏离与电流密度函数展开阶数、线圈的最大半径、双平面线圈间距及目标场点数等参数的关系。方法:根据改进的目标场法,利用Matlab仿真设计双平面梯度线圈,然后利... 目的:研究永磁微型核磁共振成像系统双平面梯度线圈产生梯度磁场的最大线性偏离与电流密度函数展开阶数、线圈的最大半径、双平面线圈间距及目标场点数等参数的关系。方法:根据改进的目标场法,利用Matlab仿真设计双平面梯度线圈,然后利用控制变量法,分别模拟计算出各个参数在不同取值情况下梯度磁场的最大线性偏离值,最后对得到的数据进行分析。结果:利用上述方法,获得了最大线性偏离值随着横、纵向梯度线圈中各个参数的改变而分别产生不同程度的变化。结论:通过对以上参数的合理取值可以获得满足梯度线性度和制造工艺的梯度线圈。另外,此研究也可推广到永磁MRI系统双平面匀场线圈。 展开更多

关键词 磁共振成像 双平面梯度线圈 最大线性偏离 电流密度函数展开阶数 线圈最大半径 双平面线圈间距 目标场点数

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