期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
SiC/AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系 被引量：13
1
作者 范隆 郝跃 +1 位作者 冯倩 段猛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期977-980,共4页
利用室温光致发光 (PL)技术研究了在 6H SiC (0 0 0 1)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜“黄带”发光 (YL)特点 ,与扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对... 利用室温光致发光 (PL)技术研究了在 6H SiC (0 0 0 1)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜“黄带”发光 (YL)特点 ,与扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对照 ,表明“YL”发光强度与GaN薄膜的扩展缺陷多少直接相对应 通过二次离子质谱 (SIMS)技术获取的GaN薄膜中Ga元素深度分布揭示出镓空位 (VGa)最可能是“YL”发光的微观来源 分析认为 ,虽然宏观扩展缺陷 (丝状缺陷、螺形位错等 )和微观点缺陷VGa及其与杂质的络合物 (complexes)都表现出与“YL”发射密切相关 ,但VGa及其与杂质的络合物更可能是“YL”发射的根本微观来源 室温下获得的样品“YL”发射强度和光谱精细结构可用于分析GaN薄膜缺陷和晶体质量 . 展开更多
关键词 “黄带”发光(YL) 氮化镓(GaN) 晶体缺陷
下载PDF
液相外延碲镉汞薄膜表面的结晶类缺陷分析 被引量：5
2
作者 杨海燕 侯晓敏 +3 位作者 胡尚正 刘铭 曹鹏飞 赵硕 《红外》 CAS 2019年第7期12-17,共6页
利用扫描电镜、能谱分析、光学轮廓仪以及金相显微镜等测试手段对 液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷的形貌、成分和断面进行了分析,并研究了不同 种类表面缺陷的特征及来源。结果表明,液相外延碲镉汞薄膜表面上存在的结 晶类缺陷往往尺寸较... 利用扫描电镜、能谱分析、光学轮廓仪以及金相显微镜等测试手段对 液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷的形貌、成分和断面进行了分析,并研究了不同 种类表面缺陷的特征及来源。结果表明,液相外延碲镉汞薄膜表面上存在的结 晶类缺陷往往尺寸较大或成片分布,对后续器件产生明显影响。通过分析其成 因可以发现,母液均匀性的提升是减少该类缺陷和提高碲镉汞薄膜质量的关键。 展开更多
关键词 碲镉汞 结晶类缺陷 相分离
下载PDF
锐钛矿TiO_2溶胶紫外、可见、红外光降解罗丹明B 被引量：2
3
作者 高基伟 申乾宏 杨辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A02期20-23,共4页
采用溶胶．凝胶合成路线，通过反应体系的配方设计和工艺控制，在常温下获得含有锐钛矿晶体的氧化钛溶胶。核磁共振证实，前驱体钛酸丁酯在水过量体系中完全水解，生成无机产物；透射电镜中，可观察到溶胶中纳米级的正方体形锐钛矿晶体... 采用溶胶．凝胶合成路线，通过反应体系的配方设计和工艺控制，在常温下获得含有锐钛矿晶体的氧化钛溶胶。核磁共振证实，前驱体钛酸丁酯在水过量体系中完全水解，生成无机产物；透射电镜中，可观察到溶胶中纳米级的正方体形锐钛矿晶体；在200～1000nm波段内整百单波长光线照射下，溶胶均可使罗丹明B降解，即溶胶具有紫外、可见、近红外的宽光谱激发响应能力。量子效应产生的亚稳态次能级和原位生长导致的晶体缺陷，可拓宽氧化钛对光线的利用范围，并提高电子和空穴的量子产率。 展开更多
关键词 锐钛矿溶胶 可见激发 红外响应 亚稳态次能级 晶体缺陷
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部