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晶体电光效应实验中偏振光干涉原理的定量诠释 被引量：1
1
作者 杜博皓 林星雨 王菁 《大学物理》 2021年第6期82-85,共4页
本文对晶体电光效应实验中偏振光干涉原理进行定量诠释.借助折射率椭球和小角度近似,总结出会聚光入射下相干级次与条纹位置和加载在晶体上的驱动电压之间的定量关系.通过实验采集干涉条纹提取数据,验证了干涉级次和暗纹与干涉中心距离... 本文对晶体电光效应实验中偏振光干涉原理进行定量诠释.借助折射率椭球和小角度近似,总结出会聚光入射下相干级次与条纹位置和加载在晶体上的驱动电压之间的定量关系.通过实验采集干涉条纹提取数据,验证了干涉级次和暗纹与干涉中心距离平方的线性关系,不同驱动电压下,两者相关系数均高于0.99;利用驱动电压和干涉级次的变化规律测得晶体电光系数,与公认方法所获结果的误差约为1.45%.本实验设计可加深低年级本科生对偏振光干涉理论知识的理解,丰富实验内容. 展开更多
关键词 偏振光干涉 会聚入射 晶体电光效应 干涉规律
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微型集成光波导电场传感器的设计 被引量：1
2
作者 王欣 张家洪 +1 位作者 陈福深 刘斌 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1445-1450,共6页
针对现有测量手段对时域脉冲电场测量的不足,利用铌酸锂晶体的电光效应,设计了一种集成了光波导与锥形天线的新型电场传感器。采用退火质子交换技术与溅射法制备的集成光波导电场传感器体积为仅为70 mm×15 mm×15 mm。对该传... 针对现有测量手段对时域脉冲电场测量的不足,利用铌酸锂晶体的电光效应,设计了一种集成了光波导与锥形天线的新型电场传感器。采用退火质子交换技术与溅射法制备的集成光波导电场传感器体积为仅为70 mm×15 mm×15 mm。对该传感器的频响特性与时域动态范围进行测试,实验结果表明:传感器带宽为100 kHz至10 GHz,可测量电场范围为6.67 kV/m~133.33 kV/m,线性拟合相关系数为0.98535。与直接感应式电场传感器与电光直调电场传感器相比,集成光波导电场传感器体积更小,无需供电,无金属干扰,带宽宽,更适用于瞬态电场的测量。 展开更多
关键词 电场传感器 晶体电光效应 频响测试 时域测试 频率响应 时域特性
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基于液晶光开关的激光自动检测防护装置 被引量：7
3
作者 陈佳琪 李震 张亚萍 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期777-780,共4页
为了实现对任意波长激光的自动检测与防护,根据光敏三极管、电磁继电器以及液晶电光效应实验原理,设计了一套激光自动检测和防护装置,并进行了理论分析和实验验证。光敏三极管在受到激光辐射时形成光电流,通过放大电路和电磁继电开关输... 为了实现对任意波长激光的自动检测与防护,根据光敏三极管、电磁继电器以及液晶电光效应实验原理,设计了一套激光自动检测和防护装置,并进行了理论分析和实验验证。光敏三极管在受到激光辐射时形成光电流,通过放大电路和电磁继电开关输出5V电压,并使其在较短时间内激活液晶电压开关,使液晶屏在受到激光照射时,对激光基本不透明;而当激光脉冲照射结束时又回到透明状态。结果表明,这种激光防护眼镜的设计方案,可在常态时允许普通和不太强的自然光透过,而在激光照射时阻挡激光透过。 展开更多
关键词 激光技术 液晶电光效应 光开关 激光防护
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基于创新人才培养的近代物理实验教学探索——以“液晶电光效应实验”为例
4
作者 郭红丽 郑毅 +2 位作者 邓正宽 郑远 王业伍 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第2期126-131,共6页
为了满足新时代多学科背景复合型人才培养需要,尤其是培养理工融合拔尖创新人才的需要,基于近年来的教学实践,以“液晶电光效应实验”为例,从教学方式、知识结构以及实验内容3个角度,对如何提高近代物理实验教学质量进行了探究。课堂教... 为了满足新时代多学科背景复合型人才培养需要,尤其是培养理工融合拔尖创新人才的需要,基于近年来的教学实践,以“液晶电光效应实验”为例,从教学方式、知识结构以及实验内容3个角度,对如何提高近代物理实验教学质量进行了探究。课堂教学采用互动式问题驱动;有机融入液晶科学发展及其显示工程应用,强调基础研究发现和工程应用的内在联系,培养理科学生的工程创新意识;引导学生进一步自主探究,如研究不同电场条件下液晶衍射图案现象,鼓励学生观察、记录和探究不同衍射图案的出现条件及其演化规律,进而探讨对应的液晶微结构基础,并从自由能的角度阐释相应的动力学相变行为。通过自主探究,巩固融合学生理论物理知识,训练学生探究能力,培养学生科技创新意识。 展开更多
关键词 实验教学 液晶电光效应实验 理工融合 自主探究实验
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立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量 被引量：1
5
作者 窦庆萍 马海涛 +4 位作者 贾刚 陈占国 李海兰 张晓婷 张铁臣 《科学技术与工程》 2004年第9期753-755,共3页
宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶 体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压.
关键词 cBN晶体 线性电光效应 半波电压
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