期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
高深宽比硅孔溅射铜种子层工艺的探索与研究
1
作者 付学成 刘民 +2 位作者 张笛 程秀兰 王英 《真空》 CAS 2024年第4期1-5,共5页
硅通孔技术(TSV)是当前非常热门的高密度封装技术,但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层,硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系... 硅通孔技术(TSV)是当前非常热门的高密度封装技术,但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层,硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系进行模拟计算发现,当原子碰撞有能量损失时,入射到硅孔内的铜原子角度会发生改变,有助于其沉积在硅孔深处。本文利用负偏压辅助多个铜靶共焦溅射的方式,在不同深宽比的硅盲孔中沉积铜种子层,验证了该方法的可行性,并通过三靶共焦溅射成功在深宽比8∶1的硅孔内实现了铜种子层的沉积。 展开更多
关键词 硅通孔技术 多靶共焦溅射 铜种子层
下载PDF
乙醛酸化学镀制作铜互连线的研究 被引量:3
2
作者 王静 杨志刚 +2 位作者 谢鹤 金哲晖 胡楠 《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第3期19-22,29,共5页
采用乙醛酸代替有害的化学药品甲醛作为还原剂的化学镀技术,在TiN阻挡层实现了化学镀铜。研究了不用贵重金属钯催化,而是采用NH4F酸性化学镀方法在TiN/Ti/S iO2/S i基板上沉积一层铜种子层,然后在此铜种子层上采用乙醛酸化学镀方法沉积... 采用乙醛酸代替有害的化学药品甲醛作为还原剂的化学镀技术,在TiN阻挡层实现了化学镀铜。研究了不用贵重金属钯催化,而是采用NH4F酸性化学镀方法在TiN/Ti/S iO2/S i基板上沉积一层铜种子层,然后在此铜种子层上采用乙醛酸化学镀方法沉积铜膜的方法。用SEM观察镀层形貌,XRD表征镀层结晶状态,证实此方法能够制备出超大规模集成电路铜互连线。试验分析并探讨了pH值、铜离子浓度、乙醛酸浓度、EDTA浓度、联吡啶浓度、镀液温度对化学镀速度和镀铜层效果的影响,得到了制备超大规模集成电路铜互连线的最优化学镀溶液成分。 展开更多
关键词 乙醛酸 化学镀铜 种子层 铜互连线 化学镀镀液
下载PDF
原子层沉积铜薄膜研究进展 被引量:1
3
作者 郭群 国政 +4 位作者 桑利军 王安玲 田旭 杨丽珍 刘忠伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期856-861,共6页
微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了... 微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求。本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了利用氢气等离子体辅助原子层沉积铜薄膜工艺的研究现状,概述了应用各类铜前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的性能,总结了各工艺的优缺点。 展开更多
关键词 铜籽晶层 原子层沉积 低温 等离子体
下载PDF
等离子体增强原子层沉积技术制备铜薄膜
4
作者 樊启鹏 胡玉莲 +2 位作者 桑利军 王卉 刘忠伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期306-312,共7页
集成电路的高速发展为铜互连提出诸多要求,其中,如何低温条件(≤150℃)下在大深宽比的通孔或沟槽中沉积保形性好、纯度高、导电性好的铜籽晶层是亟需解决的问题。本文利用等离子体增强原子层沉积技术,以脒基铜为铜前驱体,以氢等离子体... 集成电路的高速发展为铜互连提出诸多要求,其中,如何低温条件(≤150℃)下在大深宽比的通孔或沟槽中沉积保形性好、纯度高、导电性好的铜籽晶层是亟需解决的问题。本文利用等离子体增强原子层沉积技术,以脒基铜为铜前驱体,以氢等离子体为还原物质,在较低的沉积温度(100℃)下,沉积了纯度高、导电性能优良的铜薄膜。在10∶1的硅基沟槽中,表面与沟槽底部厚度均匀(~80 nm)。考察了放电输入功率对薄膜形貌的影响并利用时间分辨发射光谱技术对氢等离子体进行在线诊断。本论文研究表明铜脒基前驱体用于低温等离子体辅助原子层沉积工艺,可有效地解决铜薄膜沉积过程中铜粒子的团聚问题,并为其它类脒基前驱体进行金属薄膜的沉积提供借鉴。 展开更多
关键词 射频等离子体 铜籽晶层 原子层沉积
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部