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SiC单晶材料的激光剥离技术研究进展 被引量：4
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作者 胡北辰 张志耀 +1 位作者 张红梅 牛奔 《电子工艺技术》 2022年第4期192-195,222,共5页
SiC具备优异的物理特性,可显著提升微波射频、电力电子等器件的性能与能效,但高昂的衬底成本影响了SiC的广泛应用。除了长晶速度慢、良率低外,晶体加工也是其价格居高不下的重要原因。激光剥离技术结合激光垂直改质与可控晶体剥离,可实... SiC具备优异的物理特性,可显著提升微波射频、电力电子等器件的性能与能效,但高昂的衬底成本影响了SiC的广泛应用。除了长晶速度慢、良率低外,晶体加工也是其价格居高不下的重要原因。激光剥离技术结合激光垂直改质与可控晶体剥离,可实现低损耗、高效率、高质量的SiC晶体加工。介绍了SiC产业瓶颈、技术难点、激光剥离技术原理,并重点总结了激光剥离技术的研究进展。 展开更多
关键词 SIC 晶体加工 激光垂直改质 可控晶体剥离
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