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组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
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作者 韩宇 张宏 姜树森 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期4-7,共4页
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的... 用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2^+/As^+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰. 展开更多
关键词 组合离子注入 杂质 浓度分布 损伤分布 双晶x射线衍射 晶格应变
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