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液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善 被引量:7
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作者 吴军 毛旭峰 +2 位作者 万志远 李沛 韩福忠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第12期973-975,共3页
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波... 由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料(?1/2(77 K)=4.8?m)?x≤0.001,与国外水平相当。 展开更多
关键词 石墨舟 碲镉汞 组分均匀性 LPE
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304L不锈钢的激光粉末床熔融原位合金化 被引量:2
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作者 张浩 侯雅青 +1 位作者 王炫东 苏航 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期1-11,共11页
采用Fe、Cr和Ni单质元素混合粉末作为LPBF原材料,以原位合金化的方式制备304L不锈钢,研究了工艺参数对试样密度、微观组织、成分均匀性、相结构和显微硬度的影响,并将其与预合金粉末LPBF试样进行了对比。结果表明:原位合金化试样的致密... 采用Fe、Cr和Ni单质元素混合粉末作为LPBF原材料,以原位合金化的方式制备304L不锈钢,研究了工艺参数对试样密度、微观组织、成分均匀性、相结构和显微硬度的影响,并将其与预合金粉末LPBF试样进行了对比。结果表明:原位合金化试样的致密度最高可达99.05%;随着激光能量密度增加,试样的成分均匀性逐渐提高,物相结构从面心立方+体心立方(FCC+BCC)转变为FCC;当激光能量密度为242 J/mm^(3)(P=290 W,v=500 mm/s)时,能谱分析结果显示原位合金化试样成分均匀,显微硬度为224 HV,微观形貌与预合金粉末LPBF试样一致;当激光能量密度较低时,原位合金化试样内部的多相结构以及异质形核产生的细晶结构能有效提高其硬度,硬度最高可达302 HV,较预合金LPBF试样提高了26.4%。 展开更多
关键词 激光技术 激光粉末床熔融 原位合金化 304L不锈钢 工艺窗口 成分均匀性
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TC4ELI钛合金的电子束冷床熔炼技术 被引量:2
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作者 雷云清 马小艳 +3 位作者 张炜华 伊有才 李善栋 王倩 《金属功能材料》 CAS 2023年第6期108-113,共6页
采用EBCHR-3150KW大功率电子束冷床熔炼炉,研究了以“TA1纯钛残料+海绵钛+中间合金”通过一次EB熔炼TC4ELI钛合金扁锭的生产工艺,分析了熔炼工艺参数对铸锭化学成分的影响,并对工艺可行性进行了分析,研究了不同热处理制度对板材组织性... 采用EBCHR-3150KW大功率电子束冷床熔炼炉,研究了以“TA1纯钛残料+海绵钛+中间合金”通过一次EB熔炼TC4ELI钛合金扁锭的生产工艺,分析了熔炼工艺参数对铸锭化学成分的影响,并对工艺可行性进行了分析,研究了不同热处理制度对板材组织性能的影响。结果表明:TC4ELI钛合金EB熔炼过程中Al元素的实际挥发率达到15%~18%,通过控制原材料制备使其达到宏观均匀、控制成分配比,制定合理的工艺要求,完全可以生产出符合国标GB/T 3620.1-2016要求的TC4ELI钛合金EB扁锭。 展开更多
关键词 低间隙TC4钛合金扁锭 电子束冷床熔炼 残料回收 挥发率 成分均匀性
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液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性 被引量:2
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作者 马庆华 陈建才 +3 位作者 吴军 孔金丞 杨宇 姬荣斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期513-516,共4页
利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te HgCdTe溶液中外延生长大面积 HgCdTe 薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜.
关键词 液相外延 HGCDTE 组分均匀性
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用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性
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作者 黄仕华 蔡毅 +1 位作者 钱晓凡 陈永安 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期224-226,共3页
简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和 ψ之间的关系 ,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数 ψ有关 ,而且x与 ψ的经验关系为 ψ =14.84 - 10 .2 2x。最后用椭圆偏振测量的方法... 简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的组分与椭偏仪的参数Δ和 ψ之间的关系 ,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数 ψ有关 ,而且x与 ψ的经验关系为 ψ =14.84 - 10 .2 2x。最后用椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。 展开更多
关键词 椭圆偏振测量 碲镉汞 组分均匀性 半导体材料
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HgCdTe体晶的组份均匀性分析
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作者 蔡毅 程开芳 陈铁金 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期16-19,共4页
利用SPRITE探测器的截止波长研究了布里奇曼、Te溶剂和固态再结晶3种方法制备的HgCdTe体晶组份的均匀性。实验结果表明:3种方法生长的HgCdTe晶片的组份均匀性大致相当。用任意一种材料研制的一个8条SPRIT... 利用SPRITE探测器的截止波长研究了布里奇曼、Te溶剂和固态再结晶3种方法制备的HgCdTe体晶组份的均匀性。实验结果表明:3种方法生长的HgCdTe晶片的组份均匀性大致相当。用任意一种材料研制的一个8条SPRITE探测器,其任意2条的截止波长差不大于0.8μm的概率大于98%. 展开更多
关键词 SPRITE探测器 截止波长 HgCdTe体晶 组份均匀性
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碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究
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作者 李富培 李玉德 +2 位作者 郭云成 庄维莎 刘新进 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第5期384-387,共4页
通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe... 通过改进碲溶剂长晶炉的径向炉温分布,改善了晶体生长的液-固界面,用碲溶剂长晶方法生长出了高均匀性碲镉汞体晶材料,用英国爱丁堡Mullard公司的碲镉汞晶片评价装置在光斑为1 mm2的测试条件下测出晶片材料组分均匀性Ax为+0.003 mol.CdTe,达到了制作红外焦平面探测器列阵对材料的要求。 展开更多
关键词 碲镉汞 红外材料 组分均匀性
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