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补偿硅的温度敏感特性 被引量：7
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作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期23-24,28,共3页
采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 ... 采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性. 展开更多
关键词 补偿硅 高补偿 过补偿 温敏特性
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高补偿硅的光敏感特性 被引量：3
2
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期20-22,共3页
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品... 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 展开更多
关键词 p型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性
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