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题名具有过温保护功能的高精度带隙基准源设计
被引量：1
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作者
何诗阳
马奎
杨发顺
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
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出处
《智能计算机与应用》
2023年第2期107-113,共7页
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文摘
基于0.18μm的BCD工艺,依据CMOS带隙基准的原理,设计了一款高精度、高电源电压抑制比的带隙基准源和电压-电流转换电路。基准电压可通过fuse电阻修调,并通过正负温度系数的电阻串联,减小电阻温度系数对基准电流的影响,能够输出准确的基准电压和基准电流。其中,运算放大器采用共源共栅结构的电流镜,能够有效抑制电流镜失配和输出电压波动带来的干扰;利用三极管基极-发射极电压VBE的负温度特性,实现带有滞回区间的温度保护功能,防止热振荡的产生。仿真结果表明,输出基准电压为1.196 V、基准电流为5μA、频率为1 KHz时,电源电压抑制比为74.7 db、在-50℃~120℃温度范围内基准电压温度系数为5.5 PPM/℃,基准电流温度系数为32.4 PPM/℃;当温度超过120℃时,过温保护电路将关断芯片,温度低于100℃时,芯片重新正常工作。
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关键词
带隙基准
过温保护
V-I转换
共源共栅结构
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Keywords
band gap reference
overtemperature protection
V-I conversion
common source common gate structure
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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