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共漏极双功率MOSFET封装研究
被引量：
1
1
作者
毕向东
《电子与封装》
2011年第6期8-10,22,共4页
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向...
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。
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关键词
共漏极双功率
mosfet
导通电阻
封装效率
微互连
封装散热结构
下载PDF
职称材料
题名
共漏极双功率MOSFET封装研究
被引量：
1
1
作者
毕向东
机构
广东省粤晶高科股份有限公司
出处
《电子与封装》
2011年第6期8-10,22,共4页
文摘
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。
关键词
共漏极双功率
mosfet
导通电阻
封装效率
微互连
封装散热结构
Keywords
common
drain
dural
power mosfet
RDS（ON）
packaging
efficiency
micro
interconnection
packaging
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
共漏极双功率MOSFET封装研究
毕向东
《电子与封装》
2011
1
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