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渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用 被引量：4
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作者 彭华 周之斌 +4 位作者 崔容强 叶庆好 庞乾骏 陈鸣波 赵亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期958-964,共7页
在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对ⅢⅤ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析.一方面,带宽的递... 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对ⅢⅤ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析.一方面,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场,帮助少子收集,增加少子寿命;另一方面,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化,总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用. 展开更多
关键词 太阳电池 渐变带隙 载流子产生 载流子收集
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