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正电子湮没符合多普勒展宽技术的材料学研究进展
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作者 叶凤娇 张鹏 +4 位作者 张红强 况鹏 于润升 王宝义 曹兴忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期62-81,共20页
正电子湮没技术是研究材料微观结构的一种原子尺度表征方法,通过分析正电子湮没行为可以得到湮没位点处局域电子密度和原子结构信息.近年来,正电子湮没谱学技术已经发展成为优于常规手段的特色表征技术,其中符合多普勒展宽技术在研究缺... 正电子湮没技术是研究材料微观结构的一种原子尺度表征方法,通过分析正电子湮没行为可以得到湮没位点处局域电子密度和原子结构信息.近年来,正电子湮没谱学技术已经发展成为优于常规手段的特色表征技术,其中符合多普勒展宽技术在研究缺陷附近的电子和原子结构方面具有独特优势,商谱曲线中高动量区域形状的变化反映了正电子湮没位点周围的元素信息.在常规符合多普勒展宽技术发展基础上,能量可调的慢正电子束流符合多普勒展宽技术在获取表面微观结构的深度分布信息上展示出独特的作用,同时也弥补了常规符合多普勒展宽技术只能表征体材料中缺陷环境的不足.本文结合国内外相关进展,综述了符合多普勒展宽技术在各类材料中的研究进展:1)合金中空位型缺陷和纳米沉淀的演化行为;2)半导体中晶格空位与杂质原子的相互作用;3)氧化物中氧空位和金属阳离子浓度的变化.除此之外,在聚合物中自由体积孔洞的大小、数量及分布的估算表征领域中,符合多普勒展宽技术也逐步得到应用. 展开更多
关键词 符合多普勒 电子动量 元素分布 微观缺陷
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正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应 被引量:10
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作者 张兰芝 王宝义 +3 位作者 王丹妮 魏龙 林均品 王文俊 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期269-272,共4页
利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,... 利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加. 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 二维符合doppler TIAL合金
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MoO3/Al2O3催化剂中Mo分散的正电子研究 被引量:6
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作者 张宏俊 王栋 +3 位作者 陈志权 王少阶 徐友明 罗锡辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7333-7337,共5页
用浸渍法制备了一系列不同Mo含量的MoO3/Al2O3催化剂.测量了这些样品的正电子湮没寿命谱(PALS)与符合多普勒展宽(CDB)谱,以研究其孔洞结构以及Mo分散.正电子寿命测量结果表明,Al2O3载体中存在两种不同尺寸的孔洞.掺入MoO3之后,Mo原子主... 用浸渍法制备了一系列不同Mo含量的MoO3/Al2O3催化剂.测量了这些样品的正电子湮没寿命谱(PALS)与符合多普勒展宽(CDB)谱,以研究其孔洞结构以及Mo分散.正电子寿命测量结果表明,Al2O3载体中存在两种不同尺寸的孔洞.掺入MoO3之后,Mo原子主要进入Al2O3的大孔中,使孔洞体积减小.符合多普勒展宽谱结果表明,当MoO3的质量含量仅为3%时,多普勒展宽谱即发生了显著的改变.这表明Mo已分散至Al2O3的孔洞中,使得正电子测量所得到的电子动量分布发生改变.在MoO3含量达到18%之后,Al2O3中大孔的体积减小到尺寸与小孔相当,此后正电子寿命和多普勒展宽谱不再随MoO3含量变化,表明Mo分散逐渐达到饱和. 展开更多
关键词 MoO3/Al2O3催化剂 正电子湮没寿命谱 符合多普勒展宽 Mo分散
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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷 被引量:2
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作者 邵云东 王柱 +1 位作者 赵有文 唐方圆 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期35-39,共5页
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符... 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷. 展开更多
关键词 GASB 符合多普勒展宽 正电子湮没 电子辐照 缺陷
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Study of Coincidence Doppler Broadening in Carbon Nanotubes
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作者 郭卫锋 郝颖萍 +4 位作者 成斌 刘建党 杜淮江 翁惠民 叶邦角 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第5期431-433,共3页
Coincidence Doppler broadening measurements of positron annihilation for multi- walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes and graphite were performed. The ratio curves of ... Coincidence Doppler broadening measurements of positron annihilation for multi- walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes and graphite were performed. The ratio curves of the Doppler broadening for these samples to silicon were obtained. It is shown that there are distinct peaks at the position of 10xl0-arn0c for both carbon nanotubes and graphite, however the amplitudes of the peaks are not the same. We have the opinion that these peaks arise from the annihilation of positron with the 2s and 2p electron of carbon element. 展开更多
关键词 positron annihilation coincidence doppler broadening carbon nanotubes
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直拉单晶硅太阳能电池光致衰减效应的正电子湮没谱研究 被引量:2
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作者 王宇鑫 邓文 +2 位作者 严彪 董刚 李翔 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期346-349,共4页
采用正电子湮没辐射多普勒展宽谱研究了光照和热处理对直拉单晶硅太阳能电池微观缺陷和输出特性的影响。结果表明:随着光照时间的增加,太阳能电池的转换效率逐渐下降,照射超过12h后达到一个稳定值;将辐照后样品在200℃下热处理2h后,转... 采用正电子湮没辐射多普勒展宽谱研究了光照和热处理对直拉单晶硅太阳能电池微观缺陷和输出特性的影响。结果表明:随着光照时间的增加,太阳能电池的转换效率逐渐下降,照射超过12h后达到一个稳定值;将辐照后样品在200℃下热处理2h后,转换效率逐渐回复;电池中的硼氧复合体缺陷的激活和钝化导致电池转换效率和多普勒展宽谱的变化。 展开更多
关键词 直拉单晶硅太阳能电池 符合多普勒展宽谱 硼氧复合体缺陷
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用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用 被引量:1
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作者 陈叶清 吴奕初 王柱 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期249-252,共4页
采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI304不锈钢中氢与缺陷的相互作用。PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多。进一步地,通过比较CDB实验的商... 采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI304不锈钢中氢与缺陷的相互作用。PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多。进一步地,通过比较CDB实验的商谱曲线,发现在电解充氢后,高动量区出现了明显的峰,且峰位不随充氢条件改变;这表明氢可能会与空位发生相互作用,氢进入样品内部以后,可以作为聚集空位的核心而形成空位团,即形成氢与缺陷的复合体,导致缺陷化学环境的变化。 展开更多
关键词 正电子湮没 符合多普勒展宽 缺陷 不锈钢
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Co离子掺杂金红石TiO2晶体的正电子湮没 被引量:1
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作者 马敏阳 秦秀波 +1 位作者 王宝义 吴伟明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期9-12,共4页
室温稀磁半导体是自旋电子器件研究的关键途径,但其室温铁磁性的内禀性及其起源的研究有争议。正电子湮没谱学方法(PAS)是研究材料缺陷的重要实验手段。为了建立缺陷结构与材料铁磁性之间的相互关系,用离子注入法制备了注入剂量不同的C... 室温稀磁半导体是自旋电子器件研究的关键途径,但其室温铁磁性的内禀性及其起源的研究有争议。正电子湮没谱学方法(PAS)是研究材料缺陷的重要实验手段。为了建立缺陷结构与材料铁磁性之间的相互关系,用离子注入法制备了注入剂量不同的Co离子掺杂金红石TiO2晶体薄膜,在北京慢正电子束流装置上以不同的入射电子能量测量了样品的正电子湮没多普勒展宽能谱(DBS)和正电子符合多普勒展宽谱(CDB),分析样品的缺陷浓度和缺陷类型。DBS谱的S参数和W参数分析表明,Co离子的注入使样品出现了新的湮没机制。CDB谱的商谱分析说明,Co离子注入TiO2晶体后产生了Ti-Co-VO型和Ti-VO型氧空位复合体,样品中空位浓度随Co离子注入剂量有所增加,它是由氧空位周围过剩的Ti原子的3d电子所引起。 展开更多
关键词 金红石TiO2晶体 Co离子掺杂 多普勒展宽谱(DBS) 符合多普勒展宽谱(CDB) 氧空位
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Interstitial Solution Carbon Concentration and Defects of Ti+Nb ULC-BH Steel by Internal Friction and Positron Annihilation Methods
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作者 Ji-ping CHEN Yong-lin KANG 《Journal of Iron and Steel Research International》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第1期91-97,共7页
The interstitial solution carbon concentration and defects in continuously annealed Ti+Nb bearing ULC- BH (ultra-low carbon bake hardening) steel samples are investigated by multi-functional internal friction appar... The interstitial solution carbon concentration and defects in continuously annealed Ti+Nb bearing ULC- BH (ultra-low carbon bake hardening) steel samples are investigated by multi-functional internal friction apparatus, positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS) and coincidence Doppler broadening spectroscopy (CDBS). The relationship of internal friction peaks, interstitial solution carbon concentrations and movable dislocations in the sam- ples under different conditions is analyzed. A correlation of lifetime component v~ values with interstitial solution car- bon concentrations in the samples for different continuous annealing processes is established, while a correlation of li- fetime component r2 values with multi-vacancies, vacancy clusters, microvoids and other types of defects for various continuous annealing processes is also demonstrated. Furthermore, the average lifetime results illustrate the overall defect densities for various continuous annealing processes. The CDBS analysis reflects the chemical surroundings of the defects at the annihilation sites and reveals that the peak heights of the ratio curves relate to the total number of defects such as interstitial carbon atoms, dislocations, vacancies and other types of defects. The results show that in- ternal friction, PALS and CDBS are effective techniques to identify and characterize the interstitial solution carbon concentration, multi-vacancies, vacancy clusters, microvoids and other types of microscopic defects in annealed Ti+ Nb bearing ULC-BH steel. 展开更多
关键词 ULC-BH steels internal frictions positron annihilation lifetimes coincidence doppler broadening
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Fe_3O_4-C核壳型纳米纤维的正电子研究 被引量:1
10
作者 熊涛 高传波 +6 位作者 陈祥磊 周先意 翁惠民 曹方宇 叶邦角 韩荣典 杜淮江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期6946-6950,共5页
利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮... 利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮灭,部分正电子在壳层碳纳米管中湮灭.并估算了各个部分的湮灭比例,在一定程度上揭示了Fe3O4-C核壳型纳米纤维内部的微观电子结构. 展开更多
关键词 正电子 纳米纤维 寿命 符合多普勒
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符合多普勒展宽谱的源修正研究
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作者 苏本法 王柱 +1 位作者 黄长虹 王少阶 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期267-271,共5页
测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中... 测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。 展开更多
关键词 正电子湮没 符合多普勒展宽谱 源修正 最小二乘法
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电子辐照金红石TiO_2晶体的正电子湮没技术研究
12
作者 张鹏 秦秀波 +3 位作者 于润升 李玉晓 曹兴忠 王宝义 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2012年第1期79-82,87,共5页
以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱测试结果表明,S参数随辐照剂量的增加先变大后变小.S-W曲线和... 以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱测试结果表明,S参数随辐照剂量的增加先变大后变小.S-W曲线和符合多普勒的实验结果验证了Ti3+-VO复合空位的存在. 展开更多
关键词 正电子湮没 符合多普勒(CDB) Ti3+-Vo复合型空位
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Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究 被引量:1
13
作者 李瑞琴 李东翔 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期175-178,共4页
金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,... 金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱. 展开更多
关键词 doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱
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Doppler程序对Cu-C共掺杂金红石型TiO_2的理论研究
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作者 李瑞琴 李东翔 罗群 《安顺学院学报》 2017年第4期128-130,共3页
论文在密度泛函理论和局域密度近似(LDA)的基础上,应用Doppler程序计算了Cu掺杂、C掺杂、Cu-C共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱。
关键词 doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱
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Doppler程序对C、N掺杂金红石型TiO_2的理论研究
15
作者 李瑞琴 李东翔 +2 位作者 喻琴 覃信茂 闫万珺 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第1期127-131,共5页
本文在密度泛函理论和广义梯度近似(GGA)的基础上,应用Doppler程序计算了C掺杂、N掺杂、C-N共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并且从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱.
关键词 doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱
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用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
16
作者 王柱 柯君玉 +3 位作者 李辉 庞锦标 戴益群 赵有文 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期305-308,共4页
利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应.经900℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型... 利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应.经900℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位. 展开更多
关键词 正电子 符合多普勒展宽 氧化锌 缺陷
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