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Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究 被引量：1
1
作者 王健健 白华 +2 位作者 许高博 李梅 毕津顺 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期418-421,426,共5页
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达3... 利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达31.7μC/cm2,矫顽电压约为1.6 V,电学性能明显提高。在150℃高温下,Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的电学性能仍然良好,证明了退火工艺和机械夹持工艺对电学性能的优化作用。 展开更多
关键词 铪锆氧 铁电电容 机械夹持 剩余极化强度 矫顽电压
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PZT铁电薄膜的印迹研究
2
作者 陈富贵 杨成韬 +3 位作者 刘敬松 田召明 彭家根 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期40-42,共3页
印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异。矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度... 印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异。矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锆钛酸铅铁电薄膜 印迹 矫顽电压 界面层
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PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能
3
作者 陈月圆 朱慧 +3 位作者 张迎俏 汪鹏飞 冯士维 郭春生 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2015年第22期2653-2656,2665,共5页
为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果表明:在欧姆导电区域,PZT薄膜体电阻率随疲劳进程而减小,表... 为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果表明:在欧姆导电区域,PZT薄膜体电阻率随疲劳进程而减小,表明薄膜中氧空位体积分子数增大;在疲劳进程中,电滞回线向负电压方向偏移产生印记,同时保持损失随疲劳进程加剧,且正极化方向的保持能力相对更好;利用双势阱和氧八面体结构模型来解释实验现象,得到在疲劳进程中原胞内部的双势阱变浅、变窄导致极化下降,并且氧空位更易在氧八面体顶端形成而导致疲劳中产生印记和极化保持在正方向上更好的结果。 展开更多
关键词 铁电薄膜 疲劳 漏电流 保持特性 印记 矫顽电压
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Bi_4Ti_3O_(12)/BaTiO_3铁电复合薄膜的制备 被引量：3
4
作者 张云婕 陈长乐 +1 位作者 郭兵 王晶 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期13-16,共4页
利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响... 利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT/BTO铁电复合薄膜沿c轴择优取向生长,其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅-电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性;在外加8 V电压下BIT/BTO复合薄膜的剩余极化强度(2Pr)为(2.6±0.1)×10–6 C/cm2,而单层BIT和BTO铁电薄膜的2Pr仅为(1.1±0.1)×10–6 C/cm2和(0.3±0.1)×10–6 C/cm2,该现象与复合薄膜的界面效应以及晶体结构畸变有关。 展开更多
关键词 BIT BTO铁电复合薄膜 分子束外延 剩余极化强度 矫顽场 振幅 电压蝴蝶曲线 畴翻转特征
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