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THEORETICAL STUDIES OF THE NATURE OF THE 2210 cm^(-1) IR ABSORPTION PEAK IN SILICON CRYSTAL CONTAINING HYDROGEN (Ⅲ)——TEMPERATURE EFFECTS OF THE PEAK SHAPEAND THE SYMMETRIC BREAKING OF DEFECT COMPLEX
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作者 陈建民 谢雷鸣 +1 位作者 白国仁 周建坤 《Science China Mathematics》 SCIE 1990年第10期1270-1280,共11页
It is verified that the phonon scattering process and the residual linewidthare the dominant factors of the linewidth of 2210 cm^(-1) IR absorption peak except the anomalous linewidth at 200 K. By investigating the an... It is verified that the phonon scattering process and the residual linewidthare the dominant factors of the linewidth of 2210 cm^(-1) IR absorption peak except the anomalous linewidth at 200 K. By investigating the anomalities of the peak shape and thelinewidth of the peak at 200 K, we put forward a mechanism that the T_d symmetry of defect-complex corresponding to the 2210 cm^(-1) peak can he transferred into the D_(2d) symmetry as temperature rises to above 200 K. The quantitative analysis shows that the V+4H-model is indeed of two states: The T_d configuration is stable at temperature lower than 200 K, while the D_(2d) one is stable at temperature higher than 200 K. We can draw the conclusion that the V +4H-model corresponds to the 2210 cm^(-1) IR absorption peak from the symmetric breaking mechanism, which can quantitatively fit the experimental results. 展开更多
关键词 silicon crystal containing hydrogen 2210 ^cm^(-1) IR peak temperature effect point defect.
原文传递
扩散诱导的锌间隙相关施主缺陷对ZnO纳米棒结构及光电特性的影响 被引量:2
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作者 雷宗霖 张毓哲 +5 位作者 丁科 张红 叶利娟 李泓霖 熊元强 李万俊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期3214-3220,共7页
采用射频磁控溅射技术和水浴法在SiO2单晶衬底上生长了Zn纳米颗粒/ZnO纳米棒复合材料(Zn/ZnO)。后期热处理促使Zn/ZnO界面之间发生元素相互扩散,直接向ZnO纳米棒中引入额外锌杂质,从而获得了富锌的ZnO纳米棒材料。借助扫描电子显微镜、... 采用射频磁控溅射技术和水浴法在SiO2单晶衬底上生长了Zn纳米颗粒/ZnO纳米棒复合材料(Zn/ZnO)。后期热处理促使Zn/ZnO界面之间发生元素相互扩散,直接向ZnO纳米棒中引入额外锌杂质,从而获得了富锌的ZnO纳米棒材料。借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、分光光度计和拉曼光谱仪研究了富锌ZnO纳米棒的形貌、结构以及光电特性。结果表明,所有ZnO纳米棒均呈整齐的六角纤锌矿结构,相比ZnO纳米棒,富锌纳米棒具有相对较差的结晶质量,较好的导电性,较低的透射率和较窄的禁带宽度。拉曼光谱研究表明,通过扩散法向ZnO纳米棒引入的锌间隙相关施主缺陷,是其拉曼光谱中出现异常的275 cm^(-1)振动模的来源,也是导致富锌ZnO纳米棒微结构以及光电特性显著变化的主要原因。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 275 ^cm^(-1)振动模 锌间隙相关缺陷 光电特性
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84 μS·cm^(-1)氯化钾电导率标准溶液的研究 被引量:7
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作者 王震涛 叶泓 吴佳欢 《化学试剂》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1105-1107,共3页
介绍了氯化钾电导率标准溶液的研制。选择优级纯氯化钾为原料,经提纯后,配制成电导率标准值为84μS·cm-1的电导率标准物质。采用与一级标准物质比对的方法进行定值、均匀性检验及稳定性检验。研制的电导率标准物质,均匀性良好,稳... 介绍了氯化钾电导率标准溶液的研制。选择优级纯氯化钾为原料,经提纯后,配制成电导率标准值为84μS·cm-1的电导率标准物质。采用与一级标准物质比对的方法进行定值、均匀性检验及稳定性检验。研制的电导率标准物质,均匀性良好,稳定性达一年,获得国家二级标准物质证书。 展开更多
关键词 标准物质 溶液 电导率 ^84μS·cm^-1
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昌乐蓝宝石色带区域3 309 cm^-1红外吸收峰强度分布与微量元素关系 被引量:2
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作者 陈超洋 邵天 沈锡田 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期2138-2142,共5页
天然蓝宝石红外光谱中经常会出现与OH有关的3 309 cm^-1吸收峰,此峰对于鉴别蓝宝石热处理具有一定指示意义。目前对于3 309 cm^-1峰在蓝宝石色带上的强度分布情况尚缺乏研究且其归属尚存在争议。山东昌乐产出的蓝宝石蓝色普遍偏深且色... 天然蓝宝石红外光谱中经常会出现与OH有关的3 309 cm^-1吸收峰,此峰对于鉴别蓝宝石热处理具有一定指示意义。目前对于3 309 cm^-1峰在蓝宝石色带上的强度分布情况尚缺乏研究且其归属尚存在争议。山东昌乐产出的蓝宝石蓝色普遍偏深且色带发育,其红外光谱中通常存在3 309 cm^-1吸收峰。针对昌乐蓝宝石色带区域3 309 cm^-1峰的强度分布以及此峰与微量元素的关系进行研究,并进一步推测此峰的归属。谱学测试技术方面,创新性使用红外光谱面扫描技术测试3 309 cm^-1峰在色带区域的强度分布。谱学分析方面,创新性结合蓝宝石的电荷补偿理论与色带区域的微量元素分布情况,对3 309 cm^-1峰的归属进行了分析推测。结果发现, 3 309 cm^-1峰在色带上的强度分布呈现出从面扫描区域的左下角到右上角不断增强的趋势,沿着此峰增强的方向,使用激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪(LA-ICP-MS)测试了5个点的微量元素含量。根据电荷补偿理论,在蓝宝石晶体中, Ti^4+会优先跟Mg^2+进行电荷补偿,如果Ti^4+含量高于Mg^2+,那么跟Mg^2+电荷补偿之后剩余的Ti^4+会跟Fe^2+进行电荷补偿,形成Fe^2+-Ti^4+对产生蓝色调。色带中无色区域的Ti含量较低且全部的Ti^4+与Mg^2+进行电荷补偿,所以无色区域中没有Fe^2+-Ti^4+对且结合红外光谱面扫描数据发现该区域内3 309 cm^-1峰很弱。蓝色区域的Fe^2+-Ti^4+对含量决定了蓝色的深浅,蓝色区域的3 309 cm^-1峰强度明显高于无色区域,但深蓝色区域此峰强度并非一定比蓝色区域强, 3 309 cm^-1峰强与Fe^2+-Ti^4+对的含量无必然联系。3 309 cm^-1峰强分布表现出随着Ti含量升高而增强的现象,即3 309 cm^-1峰强与Ti元素的含量呈正相关性。推测是含有Ti和OH的缺陷簇导致了3 309 cm^-1吸收峰的产生。Fe^2+的作用是与Ti^4+形成电荷补偿对产生蓝色,与3 309 cm^-1吸收峰的产生并没有必然联系� 展开更多
关键词 昌乐蓝宝石 红外光谱面扫描 3309 ^cm^-1吸收峰 缺陷簇
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方钴矿化合物Sm0.025CoSb2.975Te0.025电输运性能研究 被引量:1
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作者 姜一平 《河南科技》 2019年第31期38-40,共3页
本文在压力为2.5GPa、温度为1000K的合成条件下,采用高温高压法成功制备了钐填充和碲取代的方钴矿化合物Sm0.025CoSb2.975Te0.025。电输运性能测试结果表明:Sm0.025CoSb2.975Te0.025的塞贝克系数为负值,其导电类型为n型,塞贝克系数随温... 本文在压力为2.5GPa、温度为1000K的合成条件下,采用高温高压法成功制备了钐填充和碲取代的方钴矿化合物Sm0.025CoSb2.975Te0.025。电输运性能测试结果表明:Sm0.025CoSb2.975Te0.025的塞贝克系数为负值,其导电类型为n型,塞贝克系数随温度的升高而减小;电导率随温度的升高先减小后升高;样品Sm0.025CoSb2.975Te0.025的功率因子在660K达到26.8μW·cm^-1·K^-2。 展开更多
关键词 热电材料 塞贝克系数 高温高压
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