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二甲基一氯硅烷和三氯氢硅的热氯化反应及机理研究 被引量:1
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作者 段锐 贾朝航 +3 位作者 徐茂兰 马天悦 彭文才 张建树 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期82-87,101,共7页
去除三氯氢硅(SiHCl_(3))中的碳杂质可提高多晶硅的纯度,但SiHCl_(3)和二甲基一氯硅烷[(CH_(3))_(2)SiHCl]的沸点极为接近,在精馏过程中易形成共沸物。因此,SiHCl_(3)中的(CH_(3))_(2)SiHCl较难去除。提出以Cl_(2)为氯源,通过热氯化反应... 去除三氯氢硅(SiHCl_(3))中的碳杂质可提高多晶硅的纯度,但SiHCl_(3)和二甲基一氯硅烷[(CH_(3))_(2)SiHCl]的沸点极为接近,在精馏过程中易形成共沸物。因此,SiHCl_(3)中的(CH_(3))_(2)SiHCl较难去除。提出以Cl_(2)为氯源,通过热氯化反应将(CH_(3))_(2)SiHCl转化为高沸点的甲基氯硅烷,以增大相对挥发度,便于后续精馏除杂。但(CH_(3))_(2)SiHCl和SiHCl_(3)会同时发生氯化反应,为此,探究了两者转化率随温度的变化。结果表明,在60℃、120 min时,(CH_(3))_(2)SiHCl的转化率为53.1%,SiHCl_(3)的转化率为14.3%,(CH_(3))_(2)SiHCl的转化率最佳。最后,通过密度泛函理论计算分析了反应路径,确定了反应机理。SiHCl_(3)、(CH_(3))_(2)SiHCl氯化反应的能垒差在于Cl_(2)与SiCl_(3)·、(CH_(3))_(2)SiCl·反应的能垒,且Cl_(2)与SiCl_(3)·反应的能垒比与(CH_(3))_(2)SiCl·反应的能垒高60.4 kJ/mol。 展开更多
关键词 二甲基一氯硅烷 热氯化 三氯氢硅 氯气 密度泛函理论
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四甲基二硅氮烷的合成及饱和蒸汽压数据的测定与关联
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作者 蒋攀 董红 +4 位作者 李建恒 栾文耕 张学奇 瞿志荣 伍川 《杭州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第5期449-455,459,共8页
以二甲基氯硅烷为原料,低温下与氨气反应生成四甲基二硅氮烷,采用气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)对产物结构进行了确认.利用斜式沸点仪测定了四甲基二硅氮烷在绝压10~100 kPa之间的沸点数据,采用Antoine方程和Clarke-Glew方程分别对饱和蒸... 以二甲基氯硅烷为原料,低温下与氨气反应生成四甲基二硅氮烷,采用气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)对产物结构进行了确认.利用斜式沸点仪测定了四甲基二硅氮烷在绝压10~100 kPa之间的沸点数据,采用Antoine方程和Clarke-Glew方程分别对饱和蒸气压数据进行了加权最小二乘法拟合,得到了四甲基二硅氮烷的Antoine方程参数(A=8.8976,B=1190.70,C=-63.25 K)和Clarke-Glew方程参数(Δg l H 0 m(298.15 K)=36.82 kJ·mol ^-1,Δg l G 0 m(298.15 K)=6.96 kJ·mol^ -1,Δg l C 0 p,m(298.15 K)=-47.53 J·K^-1 mol^-1).利用基团贡献法估算了四甲基二硅氮烷的临界参数,并结合Antoine方程和Clarke-Glew方程参数估算了四甲基二硅氮烷的偏心因子. 展开更多
关键词 二甲基氯硅烷 四甲基二硅氮烷 饱和蒸汽压 Antoine方程 Clarke-Glew方程
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3,3,3-三氟丙基二甲基一氯硅烷的合成研究 被引量:2
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作者 陈焱锋 吴君毅 +2 位作者 张冰冰 张智勇 司林旭 《有机氟工业》 CAS 2016年第3期16-18,共3页
研究了一种新型氟硅橡胶单体3,3,3-三氟丙基二甲基一氯硅烷的合成方法,讨论了合成过程中催化剂的用量、负载类型、反应温度、反应压力、反应配比对产物收率的影响,确立了最佳的反应条件。
关键词 氟硅橡胶 3 3 3-三氟丙基二甲基一氯硅烷 3 3 3-三氟丙烯
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