期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
氢在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能
1
作者 张继平 孙建军 《信息工程学院学报》 1994年第3期26-30,共5页
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外... 本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外，当半导体表面格点上的原子分别为类－ｓ原子和类－ｐ原子时，ΔＥ也不相同。 展开更多
关键词 化学吸附能 能带 氢 Ⅲ-Ⅴ族化合物 半导体
下载PDF
氢在Ⅲ-Ⅴ族化合物上吸附能的计算
2
作者 张建平 苏玉玲 张耀举 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期409-412,共4页
应用Ｇｒｅｅｎ函数方法，计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。结果标明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和表面指数密切相关。
关键词 化学吸附能 能带 衬底 氢原子 半导体
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部