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《半导体物理学》课程实验教学改革-CIGS薄膜太阳能电池的制备及分析
1
作者
戴新义
陈海军
+1 位作者
吴复忠
麦毅
《广东化工》
CAS
2022年第16期216-217,227,共3页
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是一种化合物半导体太阳能电池。设计了一个铜铟镓硒薄膜太阳能电池实验,采用磁控溅射技术制备钼背电极、铜铟镓硒光吸收层和氧化锌窗口层,采用化学水浴法制备硫化镉缓冲层,并对其进行分析讨论。该太阳能...
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是一种化合物半导体太阳能电池。设计了一个铜铟镓硒薄膜太阳能电池实验,采用磁控溅射技术制备钼背电极、铜铟镓硒光吸收层和氧化锌窗口层,采用化学水浴法制备硫化镉缓冲层,并对其进行分析讨论。该太阳能电池的制备及分析过程涉及半导体物理学中多个重要知识点,如晶体结构、能带理论、半导体中载流子特点、半导体PN结及半导体的光学性质等内容。通过该课程实验能促进同学们对上述相关知识点的理解,同时了解新能源相关研究进展,激发其科研兴趣,提升教学效果。
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关键词
半导体物理学
课程实验
太阳能电池
铜铟镓硒
化学水浴法
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职称材料
Dy掺杂的CdS薄膜的制备及性能分析
2
作者
田磊
李蓉萍
+3 位作者
冯松
安晓晖
任愿
夏中秋
《真空》
CAS
2012年第3期61-64,共4页
采用化学水浴法在玻璃衬底上制备纯的和稀土Dy掺杂的CdS薄膜,并在N:气氛中,对以上制备的薄膜进行T=350℃、t=40min的热处理。实验结果表明,水浴温度在70℃-80℃间制备的CdS薄膜,表面致密、光滑,膜的质量最好,且为沿[111]晶向择...
采用化学水浴法在玻璃衬底上制备纯的和稀土Dy掺杂的CdS薄膜,并在N:气氛中,对以上制备的薄膜进行T=350℃、t=40min的热处理。实验结果表明,水浴温度在70℃-80℃间制备的CdS薄膜,表面致密、光滑,膜的质量最好,且为沿[111]晶向择优生长的立方闪锌矿结构。掺Dy虽未改变CdS薄膜的晶体结构,但改善了薄膜的表面形貌,使得薄膜的致密性增强、颗粒大小匀称,同时Dy的掺入增大了CdS薄膜在可见光范围内的透光率。
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关键词
CDS薄膜
Dy掺杂
化学水浴法
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职称材料
题名
《半导体物理学》课程实验教学改革-CIGS薄膜太阳能电池的制备及分析
1
作者
戴新义
陈海军
吴复忠
麦毅
机构
贵州大学材料与冶金学院贵州省高性能电池材料特色重点实验室
出处
《广东化工》
CAS
2022年第16期216-217,227,共3页
基金
贵州大学教学内容和课程体系改革项目(XJG2022011)
贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教技[2022]041号)。
文摘
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是一种化合物半导体太阳能电池。设计了一个铜铟镓硒薄膜太阳能电池实验,采用磁控溅射技术制备钼背电极、铜铟镓硒光吸收层和氧化锌窗口层,采用化学水浴法制备硫化镉缓冲层,并对其进行分析讨论。该太阳能电池的制备及分析过程涉及半导体物理学中多个重要知识点,如晶体结构、能带理论、半导体中载流子特点、半导体PN结及半导体的光学性质等内容。通过该课程实验能促进同学们对上述相关知识点的理解,同时了解新能源相关研究进展,激发其科研兴趣,提升教学效果。
关键词
半导体物理学
课程实验
太阳能电池
铜铟镓硒
化学水浴法
Keywords
semiconductor
physics
course
experiment
solar
cell
CIGS
chemical
water
bath
method
分类号
TQ [化学工程]
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职称材料
题名
Dy掺杂的CdS薄膜的制备及性能分析
2
作者
田磊
李蓉萍
冯松
安晓晖
任愿
夏中秋
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院
内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室
出处
《真空》
CAS
2012年第3期61-64,共4页
文摘
采用化学水浴法在玻璃衬底上制备纯的和稀土Dy掺杂的CdS薄膜,并在N:气氛中,对以上制备的薄膜进行T=350℃、t=40min的热处理。实验结果表明,水浴温度在70℃-80℃间制备的CdS薄膜,表面致密、光滑,膜的质量最好,且为沿[111]晶向择优生长的立方闪锌矿结构。掺Dy虽未改变CdS薄膜的晶体结构,但改善了薄膜的表面形貌,使得薄膜的致密性增强、颗粒大小匀称,同时Dy的掺入增大了CdS薄膜在可见光范围内的透光率。
关键词
CDS薄膜
Dy掺杂
化学水浴法
Keywords
CdS
thin
film
Dy-doped
chemical
water
bath
method
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
《半导体物理学》课程实验教学改革-CIGS薄膜太阳能电池的制备及分析
戴新义
陈海军
吴复忠
麦毅
《广东化工》
CAS
2022
0
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职称材料
2
Dy掺杂的CdS薄膜的制备及性能分析
田磊
李蓉萍
冯松
安晓晖
任愿
夏中秋
《真空》
CAS
2012
0
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职称材料
已选择
0
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