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化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析 被引量：1
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作者 王雪峰 叶小球 +6 位作者 冯春蓉 谌晓洪 杨蕊竹 饶咏初 李强 宋久鹏 吴吉良 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期91-95,共5页
利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×10^25 D/m^2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在10^19 D/m^2量级;氘的脱附温度区间为400~800 K;... 利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×10^25 D/m^2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在10^19 D/m^2量级;氘的脱附温度区间为400~800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。 展开更多
关键词 化学气相沉积钨(CVD-W) 氘滞留 等离子体辐照 热脱附谱(TDS)
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