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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 被引量:7
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作者 韩跃斌 蒲勇 施建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1300-1308,共9页
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体... 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。 展开更多
关键词 碳化硅 外延生长设备 化学气相沉积 外延生长机理 反应室 第三代半导体 宽禁带半导体
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Production of single-walled carbon nanotubes from methane over Co-Mo/MgO nanocatalyst:A comparative study of fixed and fluidized bed reactors 被引量:3
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作者 Alimorad Rashidi Roghayeh Lotfi +1 位作者 Ehsaneh Fakhrmosavi Masoud Zare 《Journal of Natural Gas Chemistry》 EI CAS CSCD 2011年第4期372-376,共5页
In this study,the performances of fixed and fluidized bed reactors in the production of single-walled carbon nanotubes(SWNTs)have been investigated.In both reactors,single-walled carbon nanotubes were grown by catal... In this study,the performances of fixed and fluidized bed reactors in the production of single-walled carbon nanotubes(SWNTs)have been investigated.In both reactors,single-walled carbon nanotubes were grown by catalytic chemical vapor decomposition(CCVD)of methane over Co-Mo/MgO nanocatalyst under two different operating conditions.The synthesized samples were characterized by TEM,TGA and Raman spectroscopy.It is found that the performance of a fluidized bed in the synthesis of carbon nanotubes is much better than that of a fixed bed.The quality of carbon nanotubes obtained from the fluidized bed was significantly higher than that from the fixed bed and the former one with the ID/IG ratio of 0.11 while the latter one with the ID/IG ratio of 0.71.Also,the yield of SWNTs in the fluidized bed was 92 wt%,while it was 78 wt%in the fixed bed.These advantages of fluidized bed reactors for the synthesis of carbon nanotubes can be attributed to more available space for the growth of carbon nanotubes and more uniform temperature and concentration profiles. 展开更多
关键词 single-walled carbon nanotubes chemical vapor deposition fixed bed reactor fluidized bed reactor
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化学气相浸渗反应器内气体流场的数值模拟 被引量:5
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作者 肖鹏 熊翔 黄伯云 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期761-765,共5页
控制化学气相浸渗(CVI)反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一,通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件,采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数... 控制化学气相浸渗(CVI)反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一,通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件,采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数值计算结果表明,喷嘴形状及其与衬底相对位置对流场形貌有显著影响。采用π/6的斜口喷嘴,并使其中心轴线与通过它和圆柱形衬底交点切线的夹角为π/6时,反应器内基本消除了回流。 展开更多
关键词 有限元 气体流场 化学气相沉积 反应器 数值模拟
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单晶硅化学气相沉积反应器流场初探 被引量:1
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作者 王亲猛 刘赵淼 罗木昌 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期483-485,共3页
对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析.通过数值求解三维层流 Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏.结果表明,由于存在浮力效应,轴对称 几何体中也会... 对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析.通过数值求解三维层流 Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏.结果表明,由于存在浮力效应,轴对称 几何体中也会发生非轴对称流场分布,从而影响单晶硅的均匀生长. 展开更多
关键词 单晶硅 化学气相沉积反应器 流场 浮力效应 对称性破坏 数值模拟 晶体生长
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基于Fe_(3)O_(4)/FeO两步法制取合成气参数研究 被引量:1
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作者 马强 LOUGOU Bachirou Guene 黄兴 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期58-62,78,共6页
对氧化铁两步法制取合成气的工况参数进行了研究,利用CHEMKIN软件中的化学气相沉积反应器,通过计算得到生成物中合成气的摩尔分数,得出不同工况参数(反应气体比例、反应器表面温度、气体入口温度和气体入口速度)对合成气摩尔分数的影响... 对氧化铁两步法制取合成气的工况参数进行了研究,利用CHEMKIN软件中的化学气相沉积反应器,通过计算得到生成物中合成气的摩尔分数,得出不同工况参数(反应气体比例、反应器表面温度、气体入口温度和气体入口速度)对合成气摩尔分数的影响规律。研究结果表明:合成气摩尔分数随着反应气体中水蒸气和二氧化碳的比例增加先升高,达到极值后下降。合成气摩尔分数随着反应器表面温度和气体入口温度的增加而升高,但随着反应入口速度的增加而降低。氧化铁氧化还原反应在反应器入口处反应最为剧烈,合成气摩尔分数沿反应器中心线距离不断下降,最终趋于稳定。该研究结果对氧化铁两步法制取合成气的参数研究具有参考意义。 展开更多
关键词 CHEMKIN 化学气相沉积反应器 两步法 合成气 氧化铁
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PARTICLE COATING BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN A FLUIDIZED BED REACTOR 被引量:1
6
作者 Gregor Czok Joachim Werther 《China Particuology》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第1期105-112,共8页
Aluminum coatings were created onto glass beads by chemical vapor deposition in a fluidized bed reactor at different temperatures. Nitrogen was enriched with Triisobutylaluminum (TIBA) vapor and the latter was thermal... Aluminum coatings were created onto glass beads by chemical vapor deposition in a fluidized bed reactor at different temperatures. Nitrogen was enriched with Triisobutylaluminum (TIBA) vapor and the latter was thermally decomposed inside the fluidized bed to deposit the elemental aluminum. To ensure homogeneous coating on the bed material, the fluidizing conditions necessary to avoid agglomeration were investigated for a broad range of temperatures. The deposition reaction was modeled on the basis of a discrete particle simulation to gain insight into homogeneity and thickness of the coating throughout the bed material. In particular, the take-up of aluminum was traced for selected particles that exhibited a large mass of deposited aluminum. 展开更多
关键词 chemical vapor deposition fluidized bed reactor particle coating
原文传递
Quartz Crystal Microbalances for Evaluating Gas Motion Differences between Dichlorosilane and Trichlorosilane in Ambient Hydrogen in a Slim Vertical Cold Wall Chemical Vapor Deposition Reactor 被引量:1
7
作者 Mana Otani Toshinori Takahashi +3 位作者 Hitoshi Habuka Yuuki Ishida Shin-Ichi Ikeda Shiro Hara 《Advances in Chemical Engineering and Science》 2020年第3期190-200,共11页
A dichlorosilane gas and a trichlorosilane gas in ambient hydrogen were evaluated to show their different gas flow motions in a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reactor for the Minimal Fab system. Thi... A dichlorosilane gas and a trichlorosilane gas in ambient hydrogen were evaluated to show their different gas flow motions in a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reactor for the Minimal Fab system. This evaluation was performed for improving and controlling the film qualities and the productivities, using two quartz crystal microbalances (QCM) installed at the </span><span style="font-family:Verdana;">inlet and exhaust of the chamber by taking into account that the QCM frequency corresponds to the real time changes in the gas properties.</span><span style="font-family:Verdana;"> Typically, the time period approaching from the inlet to the exhaust was shorter for the trichlorosilane gas than that for the dichlorosilane gas. The trichlorosilane gas was shown to move like plug flow, while the dichlorosilane gas seemed to be well mixed in the entire chamber. 展开更多
关键词 Minimal Fab chemical vapor deposition reactor Quartz Crystal Microbalance Silicon Epitaxial Growth TRICHLOROSILANE DICHLOROSILANE
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Large-scale industrial manufacturing of carbon nanotubes in a continuous inclined mobile-bed rotating reactor via the catalytic chemical vapor deposition process
8
作者 Sophie L. Pirard Sigrid Douven Jean-Paul Pirard 《Frontiers of Chemical Science and Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期280-289,共10页
This article reports the different steps of the design, development and validation of a process for continuous production of carbon nanotubes (CNTs) via catalytic chemical vapor deposition from the laboratory scale ... This article reports the different steps of the design, development and validation of a process for continuous production of carbon nanotubes (CNTs) via catalytic chemical vapor deposition from the laboratory scale to the industrial production. This process is based on a continuous inclined mobile-bed rotating reactor and very active catalysts using methane or ethylene as carbon source. The importance of modeling taking into account the hydrodynamic, physicochemical and physical phenomena that occur during CNT production in the process analysis is emphasized. The impact of this invention on the environment and human health is taken into consideration too. 展开更多
关键词 carbon nanotubes catalytic chemical vapor deposition inclined rotating reactor industrial process SCALING-UP
原文传递
有限元方法求解化学气相淀积反应器模型(Ⅰ)——冷壁反应器模型及有限元解
9
作者 丁平 袁渭康 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期447-454,共8页
建立了冷壁化学气相淀积反应器的数学模型,用Galerkin有限元方法对模型予以求解.计算中考虑了温度对物性参数的影响及自然对流因素,计算值和实验结果基本上一致.
关键词 化学气相淀积 氮化钛 冷壁反应
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化学气相沉积法制备石墨烯过程中温度及压力分布研究
10
作者 马骁 《工业加热》 CAS 2018年第3期46-48,共3页
采用计算流体力学软件(CFD)对化学气相沉积法制备石墨烯过程中CVD反应器内温度场及压力场进行模拟,分别研究了两种初始压力下反应器内温度及压力变化情况。研究结果表明在初始的常压条件下反应器内温度分布及压力分布均匀性较差,导致气... 采用计算流体力学软件(CFD)对化学气相沉积法制备石墨烯过程中CVD反应器内温度场及压力场进行模拟,分别研究了两种初始压力下反应器内温度及压力变化情况。研究结果表明在初始的常压条件下反应器内温度分布及压力分布均匀性较差,导致气体流动性也较为紊乱,而在低压条件下反应器内温度及压力分布较为均匀,甲烷气体平稳流经过反应加热区,从而有助于石墨烯整个合成过程的稳定进行。 展开更多
关键词 化学气相沉积 温度场 压力场 CVD反应器
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化学气相沉积法制备钨芯SiC纤维的装置和工艺
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作者 郝小辉 乔生儒 陈博 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期238-241,共4页
分析比较了两种不同类型化学气相沉积(CVD)法制备钨芯SiC纤维的反应器,提出了改进方法,设计了一种立式冷壁反应器,并对用CVD法制备钨芯SiC纤维的工艺进行了研究。运用扫描电镜观察了制备纤维形貌,并用weibull统计方法分析了纤维... 分析比较了两种不同类型化学气相沉积(CVD)法制备钨芯SiC纤维的反应器,提出了改进方法,设计了一种立式冷壁反应器,并对用CVD法制备钨芯SiC纤维的工艺进行了研究。运用扫描电镜观察了制备纤维形貌,并用weibull统计方法分析了纤维强度与其形貌之间的关系。结果表明,在不同的氢气流量和氮气流量比下,沉积速率均随沉积温度的升高而增大。总反应在较低温度区受表面反应控制,在较高温度区受质量传输控制。纤维的断裂强度大致可分为高、中、低3个区,CVD-SiC纤维的强度与其微观形貌有密切关系,缺陷的多少决定纤维强度的高低。 展开更多
关键词 CVD SIC纤维 反应器 钨芯 Weibull统计
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变径反应器浮游催化裂解法制备双壁碳纳米管
12
作者 张磊 肖南 +2 位作者 于畅 赵宗彬 邱介山 《中国科技论文在线》 CAS 2010年第12期972-978,共7页
使用改进的变径管式反应器,以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,硫磺为助剂,采用浮游催化裂解法,制备得到高质量的丝状双壁碳纳米管。系统优化了变径反应器制备双壁碳纳米管的工艺条件,并对不同参数条件下的产物进行了扫描电子显微镜... 使用改进的变径管式反应器,以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,硫磺为助剂,采用浮游催化裂解法,制备得到高质量的丝状双壁碳纳米管。系统优化了变径反应器制备双壁碳纳米管的工艺条件,并对不同参数条件下的产物进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和热重表征。结果表明:由2个不同管径石英管无缝连接组成的变径反应器,可有效调节反应器内不同位置的气流流速,控制浮游催化剂纳米颗粒的粒径大小和气体碳源的停留时间,从而调控催化剂的催化活性以及提高碳源利用效率,促进双壁碳纳米管的生成;助剂硫磺的添加量以及气流流量对产物的种类、形貌和纯度有重要的影响。分析探讨了产物在变径反应器内区域选择性生长的原因以及变径结构对产物生长过程的影响。变径结构反应器技术为双壁碳纳米管的大规模连续化生产设备的研制提供了一种新的思路。 展开更多
关键词 双壁碳纳米管 化学气相沉积 变径反应器
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立式冷壁反应器中化学气相淀积TiN涂层 Ⅰ.淀积参数对反应速率和涂层质量的影响
13
作者 丁平 盛明慧 +3 位作者 丛德滋 韩杰 陈良恒 袁渭康 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第3期255-260,共6页
在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8~1.6,淀积速率15~60m^(-6)/h,显... 在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8~1.6,淀积速率15~60m^(-6)/h,显微硬度1800~2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。 展开更多
关键词 化学气相淀积 氮化钛 涂层 反应器
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包覆燃料颗粒及应用 被引量:4
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作者 邵友林 朱钧国 +1 位作者 杨冰 张秉忠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B07期117-121,共5页
介绍了包覆燃料颗粒技术及包覆燃料颗粒的结构和制备过程,探讨了包覆燃料颗粒及其技术的潜在应用方向。
关键词 包覆燃料颗粒 流化床化学气相沉积 高温气冷堆 轻水堆 流化床反应堆
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MOCVD反应室流场分析及其对GaN生长的影响 被引量:2
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作者 冯兰胜 过润秋 张进成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期171-175,共5页
为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传... 为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传输过程和材料质量均有影响.随着基座旋转速度的升高,反应室内部的流场分布趋向均匀,衬底表面的气体流速变快,GaN生长速率升高,并且厚度均匀性也变好,但是速度超过一定限度后会使生长速率降低;在同样的生长条件下,反应室的高度越高,反应室内部的流场分布越均匀,这有利于提高材料的均匀性,同时GaN生长速率先降低后升高,但气相传输中的气相预反应会逐渐增强. 展开更多
关键词 GAN 金属有机[化合物]CVD 反应室结构 反应动力学
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行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响 被引量:2
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作者 茅艳琳 左然 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第7期1168-1175,共8页
针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时... 针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高。在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善。当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善。 展开更多
关键词 MOCVD ALN 行星式反应器 气相反应 数值模拟
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