-
题名碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用
被引量：3
- 1
-
-
作者
刘玉岭
王辰伟
牛新环
曹阳
-
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
-
出处
《河北工业大学学报》
CAS
北大核心
2013年第1期1-5,共5页
-
基金
国家中长期发展规划重大科技专项(2009ZX02308)
天津市自然科学基金重点项目(10JCZDJC15500)
-
文摘
为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20/min),而在常压(2 psi)CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235/min(工业要求5 000/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60s可消除约1.162 m的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差<10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.
-
关键词
极大规模集成电路
碱性铜抛光液
化学机械平坦化
速率
高低差
-
Keywords
giantic large scale integrated circult(GLSI)
alkaline copper waring slurry
chemical mechanical plan arization(cmp)
removal rate
step height reduction(SHR)
-
分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
-
