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带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析 被引量：1
1
作者 夏敏峰 张宇 +2 位作者 高志良 冯娜 万发雨 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第4期468-475,共8页
带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进... 带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进行分析;对该等效电路模型进行理论、实验与仿真研究,考察各参数对静电放电波形特性的影响。比对验证表明,等效电路的放电波形与标准波形具有较高的一致性:CDM静电放电表现为上升沿为百ps量级、最大峰值电流为数A量级、正/负周期多次振荡的冲击信号;器件自身等效电容越大则冲击脉冲越强,通路电阻也会明显改变静电冲击波形样态。地面操作中应充分考虑CDM静电放电风险,采取措施降低静电放电对电路和器件可能造成的损伤。 展开更多
关键词 静电放电 静电防护 带电器件模型 电路分析
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HBM、CDM静电放电模型及其失效特征研究 被引量：3
2
作者 刘信 罗晓羽 +2 位作者 万永康 江徽 汪小青 《环境技术》 2023年第11期48-52,共5页
本文介绍了人体模型、带电器件模型两种典型的静电放电模型,对人体模型、带电器件模型的区别、静电放电失效机理进行了说明。通过对芯片进行人体模型、带电器件模型静电放电极限测试,获取不同静电放电模型芯片失效电压及其失效特征。实... 本文介绍了人体模型、带电器件模型两种典型的静电放电模型,对人体模型、带电器件模型的区别、静电放电失效机理进行了说明。通过对芯片进行人体模型、带电器件模型静电放电极限测试,获取不同静电放电模型芯片失效电压及其失效特征。实验结果表明,芯片抵抗人体模型、带电器件模型静电放电的能力没有直接关系,并不是抵抗人体模型静电放电能力强,耐带电器件模型静电放电能力就高;人体模型、带电器件模型静电放电极限测试后芯片损伤位置、损伤形貌存在差异。 展开更多
关键词 静电放电 人体模型 带电器件模型 失效特征 失效机理
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静电放电器件充电模型CDM失效机理分析 被引量：3
3
作者 陆坚 姜汝栋 《电子与封装》 2014年第10期39-42,共4页
CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上... CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上的不同之处,分析电路上存储电荷的机理和原因,主要是由于电路在生产和使用环境中受到静电源的感应以及电路和其他物体或空气的摩擦等造成。详细分析器件充电模型引起电路损伤的失效机理,器件充电模型作为一个电荷驱动型,其电流方向主要是由电路内部向外部流动,其电流大、上升速度快,会对电路的栅极造成损伤。 展开更多
关键词 静电放电 器件充电模型 人体模型 机器模型
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器件充电放电模式的静电防护 被引量：3
4
作者 蔡依林 《信息技术与标准化》 2008年第10期31-33,共3页
由于其他的失效 ESD 模式的解决,近几年集成电路的生产中,CDM 失效的问题愈加突出。介绍了 CDM 原理及分类,主要探讨了器件静电放电(ESD)防护设计和 CDM 防护(环境、包装、操作等)的方法。
关键词 器件充电放电模式 CDM原理 分类 静电防护
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40 nm IC静态和动态ESD测试及失效分析
5
作者 赵军伟 乔彦彬 +3 位作者 张海峰 陈燕宁 李杰伟 符荣杰 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2019年第4期8-12,共5页
结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析了ESD器件充放电模式(CDM)失效的现象和定位方法.针对40 nm LQFP64封装芯片,详细介绍ESD测试过程和失效判... 结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析了ESD器件充放电模式(CDM)失效的现象和定位方法.针对40 nm LQFP64封装芯片,详细介绍ESD测试过程和失效判定分析过程,综合运用激光束电阻异常侦测、扫描电子显微镜等手段完成对失效位置的定位和失效点的精确分析.通过测试结果分析其失效机理,ESD保护电路中的晶体管,在电阻率下降、电流密度增加导致温度升高的正反馈作用下保护电路中的晶体管发生熔断,从而导致ESD保护电路失效. 展开更多
关键词 静电放电 静电保护 器件充放电模式 激光束电阻异常侦测
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高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用
6
作者 晁拴社 林欣毅 +4 位作者 何潇 梅娜 杨丹 王梦华 欧阳可青 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期934-939,共6页
带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)... 带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题,确定了CDM泄放路径与失效形貌,并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题,有助于优化ESD防护电路,提高芯片可靠性。 展开更多
关键词 带电器件模型(CDM) 先进制程 高阶显微分析技术 泄放路径 失效形貌
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影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量：1
7
作者 邢洁 王明湘 何健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期349-353,共5页
静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 展开更多
关键词 静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型
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集成电路可靠性应用技术 被引量：2
8
作者 闫立 《电子质量》 2005年第4期26-28,47,共4页
本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式。加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Arrheniusmodel等,该测试技术主要应用于IC设计前端识别失效模式和IC设计定型阶段估算IC正常使用条件下的... 本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式。加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Arrheniusmodel等,该测试技术主要应用于IC设计前端识别失效模式和IC设计定型阶段估算IC正常使用条件下的寿命信息,及时有效的评估IC设计平均寿命;在电子产品制造系统中,常常有两种失效模式:ESD静电损伤和LATCH-UP失效现象,对以上可靠性指标和理论作简要的论述。 展开更多
关键词 电路可靠性 应用技术 失效模式 寿命测试 测试技术 IC设计 可靠性指标 理论方法 集成电路 HALT 正常使用 设计定型 平均寿命 制造系统 电子产品 失效现象 静电损伤 高加速 测试包 ESD 前端
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电子元器件静电放电模型及适用范围浅析 被引量：2
9
作者 王文双 许少辉 王小强 《电子质量》 2005年第8期24-25,共2页
静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基... 静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。 展开更多
关键词 静电放电 人体模型 机器模型 带电器件模型
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