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深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究
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作者 任红霞 马晓华 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期149-152,共4页
基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 .研究结果表明 ,槽栅器件在深亚微米... 基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 .研究结果表明 ,槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应 ,且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 ,但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小 .最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释 . 展开更多
关键词 深亚微米 槽栅PMOSFET 短沟道效应 场效应晶体管
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