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一种应用于12 bit SAR ADC C-R混和式DAC
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作者 谢海情 陈振华 +1 位作者 谷洪波 曹武 《电子设计工程》 2024年第12期113-117,共5页
针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟... 针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟电路作为开关控制时序,避免开关切换时引起瞬态毛刺导致电容电荷泄露。基于GSMC 95 nm工艺,完成电路、版图设计与仿真,并完成流片测试,DAC版图总面积为317.2μm×262.5μm,流片测试结果表明,DNL的范围为-0.38~+0.44 LSB,INL的范围为-0.73~+0.4 LSB,满足12位ADC的设计要求。 展开更多
关键词 数模转换器 逐次逼近型 电容电阻结构 温度计编码
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