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串联电容式RF-MEMS开关的研制
被引量：
5
1
作者
孙建海
崔大付
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2445-2448,共4页
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,...
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.
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关键词
电容式
rf
-
mems
开关
电容率
插入损耗
隔离度
下载PDF
职称材料
介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响
被引量：
3
2
作者
吴银锋
万江文
于宁
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1955-1958,1962,共5页
电容式RFMEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因.基于电容式RFMEMS开关工作过程中电场强度的变化,分析讨论了累积电荷的来源,并推导出相应的计算公式.对于随机性较大的界面极化问题,根据理论计算公式,提出从工艺上减小...
电容式RFMEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因.基于电容式RFMEMS开关工作过程中电场强度的变化,分析讨论了累积电荷的来源,并推导出相应的计算公式.对于随机性较大的界面极化问题,根据理论计算公式,提出从工艺上减小极化现象发生的解决方案.在讨论影响介质层电荷注入各种因素及相互之间关系的基础上,建立了基于电荷累积的开关寿命预测模型.
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关键词
电容式
rf
mems
开关
可靠性
电荷积累
寿命
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职称材料
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
被引量：
3
3
作者
侯智昊
刘泽文
+2 位作者
胡光伟
刘理天
李志坚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期660-663,共4页
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度...
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
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关键词
射频
微电子机械系统
串联电容式
rf
mems
开关
串联电容式
内应力
下载PDF
职称材料
基于故障物理的MEMS可靠性研究
被引量：
2
4
作者
高杨
刘婷婷
+1 位作者
李君儒
何婉婧
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期214-220,224,共8页
简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例,介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤,包括:采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器...
简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例,介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤,包括:采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为,应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理,引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。
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关键词
微电子机械系统
可靠性
故障物理
电容式
rf
mems
开关
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职称材料
题名
串联电容式RF-MEMS开关的研制
被引量：
5
1
作者
孙建海
崔大付
机构
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期2445-2448,共4页
文摘
研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.
关键词
电容式
rf
-
mems
开关
电容率
插入损耗
隔离度
Keywords
capacitive
rf
-
mems
switches
capacit
ance
ratio
isolation
insertion
loss
分类号
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响
被引量：
3
2
作者
吴银锋
万江文
于宁
机构
北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1955-1958,1962,共5页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-04-0113)
文摘
电容式RFMEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因.基于电容式RFMEMS开关工作过程中电场强度的变化,分析讨论了累积电荷的来源,并推导出相应的计算公式.对于随机性较大的界面极化问题,根据理论计算公式,提出从工艺上减小极化现象发生的解决方案.在讨论影响介质层电荷注入各种因素及相互之间关系的基础上,建立了基于电荷累积的开关寿命预测模型.
关键词
电容式
rf
mems
开关
可靠性
电荷积累
寿命
Keywords
capacitive
rf
mems
switches
reliability
charge
accumulation
lifetime
分类号
TH7 [机械工程—仪器科学与技术]
TN6 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
被引量：
3
3
作者
侯智昊
刘泽文
胡光伟
刘理天
李志坚
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期660-663,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60576048)
北京市科委项目基金资助(GYYKW05070014)
文摘
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
关键词
射频
微电子机械系统
串联电容式
rf
mems
开关
串联电容式
内应力
Keywords
radio
frequency
mems
capacitive
series
rf
mems
switch
capacitive
series
residue
stress
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN62
下载PDF
职称材料
题名
基于故障物理的MEMS可靠性研究
被引量：
2
4
作者
高杨
刘婷婷
李君儒
何婉婧
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室
西南科技大学信息工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期214-220,224,共8页
基金
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2012CJMZZ00009)
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04)
+2 种基金
西南科技大学制造过程测试技术省部共建教育部重点实验室开放课题(11ZXZK03)
西南科技大学研究生创新基金项目(13ycjj31
13ycjj36)
文摘
简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例,介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤,包括:采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为,应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理,引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。
关键词
微电子机械系统
可靠性
故障物理
电容式
rf
mems
开关
Keywords
mems
reliability
physics
of
failure
capacitive
rf
mems
switch
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
串联电容式RF-MEMS开关的研制
孙建海
崔大付
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
下载PDF
职称材料
2
介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响
吴银锋
万江文
于宁
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
下载PDF
职称材料
3
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
侯智昊
刘泽文
胡光伟
刘理天
李志坚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
4
基于故障物理的MEMS可靠性研究
高杨
刘婷婷
李君儒
何婉婧
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
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