期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型
被引量：
1
1
作者
张子澈
李泽宏
+1 位作者
张磊
谭开洲
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期176-179,202,共5页
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,...
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,电势解析解与数值解误差分别小于3%和4.7%。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压,且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。
展开更多
关键词
部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体
二维势模型
场解析方法
泊松方程
耐压
下载PDF
职称材料
题名
部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型
被引量：
1
1
作者
张子澈
李泽宏
张磊
谭开洲
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
中自电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期176-179,202,共5页
基金
部委级科技重点实验室基金资助项目(编号:9140C904010606)
文摘
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,电势解析解与数值解误差分别小于3%和4.7%。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压,且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。
关键词
部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体
二维势模型
场解析方法
泊松方程
耐压
Keywords
buried
oxide
vdmos
2-D
potential
model
field
analyzing
method
Possion
equation
breakdown
boltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型
张子澈
李泽宏
张磊
谭开洲
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
