期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
10
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
嵌入式存储器的内建自测试和内建自修复
被引量:
12
1
作者
江建慧
朱为国
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期1050-1056,共7页
指出内建自测试是嵌入式存储器测试的一种有效方法 ,对该领域的研究情况进行了评述 .总结了存储器传统的故障模型 ,重点讨论了诱导故障分析方法以及读干扰故障、错误读等新的故障模型 .详细分析了嵌入式存储器的典型内建自测试方案 ,讨...
指出内建自测试是嵌入式存储器测试的一种有效方法 ,对该领域的研究情况进行了评述 .总结了存储器传统的故障模型 ,重点讨论了诱导故障分析方法以及读干扰故障、错误读等新的故障模型 .详细分析了嵌入式存储器的典型内建自测试方案 ,讨论了在内建自测试电路中增加内建冗余分析、内建故障诊断和内建自修复等功能的可行性 .
展开更多
关键词
嵌入式存储器
故障模型
内建自测试
内建自修复
下载PDF
职称材料
基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法
被引量:
3
2
作者
俞洋
李嘉铭
乔立岩
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第B02期169-173,共5页
内建自修复技术是一种有效修复嵌入式存储器中失效单元的方法.在传统的内建自修复过程中,需要对故障地址进行多次的读写操作,功耗比较大.本文提出了一种基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法.该方法将故障地址分割成两部分,对B...
内建自修复技术是一种有效修复嵌入式存储器中失效单元的方法.在传统的内建自修复过程中,需要对故障地址进行多次的读写操作,功耗比较大.本文提出了一种基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法.该方法将故障地址分割成两部分,对BIRA内部存储器的访问分两个步骤进行,有效简化了地址比较过程,降低了功耗.仿真试验表明,本文方法能够在实现存储器故障自修复同时显著降低修复与工作过程中产生的功耗.
展开更多
关键词
内建自修复
内建自测试
内建冗余分析
下载PDF
职称材料
基于哈希表的高效存储器内建自修复方法
被引量:
1
3
作者
郭旭峰
于芳
刘忠立
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1371-1377,共7页
现有存储器内建自修复方法要么遍历式地址比较效率低,要么并行地址比较功耗高,都不适用于大故障数存储器.对此,本文提出一种高效的存储器内建自修复方法,该方法对占故障主体的单元故障地址以哈希表形式进行存储,以利用哈希表的快速搜索...
现有存储器内建自修复方法要么遍历式地址比较效率低,要么并行地址比较功耗高,都不适用于大故障数存储器.对此,本文提出一种高效的存储器内建自修复方法,该方法对占故障主体的单元故障地址以哈希表形式进行存储,以利用哈希表的快速搜索特性提升地址比较效率.本文方法修复后的存储器在1个时钟周期内即可完成地址比较,修复后存储器性能不受任何影响,与目前广泛采用的基于CAM的方法处于同一水平,但功耗方面却具有明显优势.计算机模拟实验表明,对于512×512×8bits的存储器在同等冗余开销的情况下本文方法修复率相对于ESP方法平均提高了32.25%.
展开更多
关键词
内建自修复
哈希表
内建冗余分析
内建自测试
下载PDF
职称材料
一种邻近层资源共享的三维堆叠存储器内建自修复策略
被引量:
2
4
作者
崔小乐
张世界
+1 位作者
张强
金玉丰
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第9期2030-2039,共10页
在摩尔定律面临终结的趋势下,三维集成电路技术被认为是继续提升集成电路性能和集成度的重要技术途径之一.由于采用堆叠的结构,三维集成电路适用于高密度以及异质集成应用领域.存储器是高密度集成电路的典型代表,是三维集成电路的重要...
在摩尔定律面临终结的趋势下,三维集成电路技术被认为是继续提升集成电路性能和集成度的重要技术途径之一.由于采用堆叠的结构,三维集成电路适用于高密度以及异质集成应用领域.存储器是高密度集成电路的典型代表,是三维集成电路的重要应用方向之一.三维存储器技术可同时提高存储密度与访存通路带宽,是解决"存储墙"问题的一种可行技术途径.然而,由于存储器件尺寸的微缩,存储阵列中的故障存储单元数量呈增加趋势.对存储器产品,基于冗余存储资源的内建自修复技术是提高其可靠性的重要方法.三维存储器的层与层之间可通过硅通孔等技术实现互连,使得垂直方向上的冗余资源共享成为可能,从而改善三维存储器的可靠性.该文提出一种邻近层共享冗余的三维存储器修复策略,用以提高现有三维存储器内建自修复技术的故障修复能力.该策略不会引发死锁现象,具有良好的冗余资源利用率和较小的硅通孔面积代价.仿真结果表明,与已有的结对冗余策略相比,该文所提出的冗余共享策略具有更高的故障修复率,且故障修复率不随存储器层数的增加而显著下降,更适用于大规模三维存储器.
展开更多
关键词
三维存储器
内建自修复
层间冗余共享
邻近层冗余共享
下载PDF
职称材料
故障交叉聚类的三维存储器内建自修复策略
被引量:
2
5
作者
吴静
《电子设计工程》
2018年第21期128-134,共7页
三维存储器成品率是评价冗余共享策略的一个重要指标。为了提高三维存储器的成品率和冗余资源利用率,提出了一种全新的故障交叉聚类技术,不仅能实现故障单元垂直方向上的跨层聚类,还可以跨层聚类到相同存储阵列索引的非垂直方向位置,更...
三维存储器成品率是评价冗余共享策略的一个重要指标。为了提高三维存储器的成品率和冗余资源利用率,提出了一种全新的故障交叉聚类技术,不仅能实现故障单元垂直方向上的跨层聚类,还可以跨层聚类到相同存储阵列索引的非垂直方向位置,更多的故障单元被聚类到其他层中,从而使用一个冗余行可以修复更多的故障。此外,根据故障交叉聚类策略重新设计了内建自修复结构和读写控制器,对数据重新组合来保证数据正确的输入或输出。实验结果表明,相比于现有的修复方案,该内建自修复方案仅增加了0.43%的面积开销就有效的提高了三维存储器的成品率。
展开更多
关键词
三维存储器
内建自修复
故障交叉聚类
成品率
下载PDF
职称材料
一种有效的3D存储器内建自修复方案
6
作者
姚瑶
梁华国
+3 位作者
应健锋
倪天明
易茂祥
黄正峰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第5期690-696,共7页
与2D存储器相比,3D存储器能够提供更大的容量、更高的带宽、更低的延迟和功耗,但成品率低。为了解决这个问题,提出一种有效的3D存储器内建自修复方案。将存储阵列的每一行或每一列划分成几个行块或列块,在不同层的行块或列块之间进行故...
与2D存储器相比,3D存储器能够提供更大的容量、更高的带宽、更低的延迟和功耗,但成品率低。为了解决这个问题,提出一种有效的3D存储器内建自修复方案。将存储阵列的每一行或每一列划分成几个行块或列块,在不同层的行块或列块之间进行故障单元的映射,使不同层同一行或同一列的故障在逻辑上映射到同一层中,从而使一个冗余行或冗余列能够修复更多的故障,大大增加了冗余资源利用率和故障修复率。实验结果表明,与其他修复方案相比,该方案的修复率更高,实现相同修复率所需的冗余资源更少,增加的面积开销几乎可忽略不计。
展开更多
关键词
3D存储器
成品率
内建自修复
行块
列块
修复率
下载PDF
职称材料
SoC嵌入式存储器内建自修复方法
被引量:
1
7
作者
秦盼
王健
+1 位作者
朱芳
焦贵忠
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2019年第10期1749-1754,共6页
嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法,提出了一种基于Mentor公司Tessent工具的存储器修复结构。该结构采用了冗余修复及电可编程熔丝eFuse硬修复的方法,具有很好的通用性及...
嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法,提出了一种基于Mentor公司Tessent工具的存储器修复结构。该结构采用了冗余修复及电可编程熔丝eFuse硬修复的方法,具有很好的通用性及可行性,已多次应用在实际项目中。
展开更多
关键词
SOC
嵌入式存储器
内建自测试
内建自修复
下载PDF
职称材料
一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构
被引量:
1
8
作者
窦怀阳
薛晓勇
冯洁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期116-121,共6页
新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的...
新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。
展开更多
关键词
内嵌自修复(BISR)
现场可编程纳米线互连(FPNI)
纳米器件逻辑
碳纳米管场效应管(CNTFET)
电路纠错
下载PDF
职称材料
高效内建冗余分析技术的研究
9
作者
高秀才
戴紫彬
+1 位作者
张立朝
章轶
《计算机应用研究》
CSCD
北大核心
2014年第7期2044-2047,共4页
传统BIRA结构存在多次地址比较的问题,严重影响了存储器的修复速度与读写性能。为了解决这一问题,提出了基于布鲁姆过滤器的BIRA技术。新型BIRA结构在传统结构的基础上增加了一个布鲁姆过滤器,通过减少地址比较次数来达到提高存储器修...
传统BIRA结构存在多次地址比较的问题,严重影响了存储器的修复速度与读写性能。为了解决这一问题,提出了基于布鲁姆过滤器的BIRA技术。新型BIRA结构在传统结构的基础上增加了一个布鲁姆过滤器,通过减少地址比较次数来达到提高存储器修复速度和访问速度的效果。实验结果表明,在相同故障地址数目的前提下,该方法比传统BIRA和地址分割BIRA的比较次数要低很多,验证了新型BIRA结构的高效性。
展开更多
关键词
内建冗余分析
内建自修复
布鲁诺过滤器
地址比较
哈希函数
下载PDF
职称材料
An Optimal Management for SoC Memory
10
作者
Omar Saeed AI-Mushayt
《通讯和计算机(中英文版)》
2010年第4期1-4,共4页
关键词
内存优化管理
SOC芯片
故障定位
片上系统
功能试验
输出模式
SOC
多服务
下载PDF
职称材料
题名
嵌入式存储器的内建自测试和内建自修复
被引量:
12
1
作者
江建慧
朱为国
机构
同济大学计算机科学与技术系
出处
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期1050-1056,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目 (90 2 0 70 2 1)
同济大学理科科技发展基金资助项目
文摘
指出内建自测试是嵌入式存储器测试的一种有效方法 ,对该领域的研究情况进行了评述 .总结了存储器传统的故障模型 ,重点讨论了诱导故障分析方法以及读干扰故障、错误读等新的故障模型 .详细分析了嵌入式存储器的典型内建自测试方案 ,讨论了在内建自测试电路中增加内建冗余分析、内建故障诊断和内建自修复等功能的可行性 .
关键词
嵌入式存储器
故障模型
内建自测试
内建自修复
Keywords
embedded
memory
fault
model
built
-in
self
-test
built
-in
self
-
repair
分类号
TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP306 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
下载PDF
职称材料
题名
基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法
被引量:
3
2
作者
俞洋
李嘉铭
乔立岩
机构
哈尔滨工业大学自动化测试与控制系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第B02期169-173,共5页
基金
装备预研重点基金(No.9140A17040409HT01)
航天支撑基金(No.2009-HT-HGD-03)
文摘
内建自修复技术是一种有效修复嵌入式存储器中失效单元的方法.在传统的内建自修复过程中,需要对故障地址进行多次的读写操作,功耗比较大.本文提出了一种基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法.该方法将故障地址分割成两部分,对BIRA内部存储器的访问分两个步骤进行,有效简化了地址比较过程,降低了功耗.仿真试验表明,本文方法能够在实现存储器故障自修复同时显著降低修复与工作过程中产生的功耗.
关键词
内建自修复
内建自测试
内建冗余分析
Keywords
built
-in
self
-
repair
built
-in
self
-test
built
-in
redundancy
analysis
分类号
TP391.76 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
下载PDF
职称材料
题名
基于哈希表的高效存储器内建自修复方法
被引量:
1
3
作者
郭旭峰
于芳
刘忠立
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1371-1377,共7页
基金
"核高基"国家重大科技专项(No.Y1GZ212002)
文摘
现有存储器内建自修复方法要么遍历式地址比较效率低,要么并行地址比较功耗高,都不适用于大故障数存储器.对此,本文提出一种高效的存储器内建自修复方法,该方法对占故障主体的单元故障地址以哈希表形式进行存储,以利用哈希表的快速搜索特性提升地址比较效率.本文方法修复后的存储器在1个时钟周期内即可完成地址比较,修复后存储器性能不受任何影响,与目前广泛采用的基于CAM的方法处于同一水平,但功耗方面却具有明显优势.计算机模拟实验表明,对于512×512×8bits的存储器在同等冗余开销的情况下本文方法修复率相对于ESP方法平均提高了32.25%.
关键词
内建自修复
哈希表
内建冗余分析
内建自测试
Keywords
built
-in
self
-
repair
hash
table
built
-in
redundancy
analysis
built
-in
self
-test
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
一种邻近层资源共享的三维堆叠存储器内建自修复策略
被引量:
2
4
作者
崔小乐
张世界
张强
金玉丰
机构
北京大学深圳研究生院集成微系统重点实验室
北京大学微纳电子研究院
出处
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第9期2030-2039,共10页
基金
国家"九七三"重点基础研究发展规划项目基金(2015CB057201)
广东省自然科学基金(2015A030313147)
+1 种基金
深圳市基础研究项目(JCYJ20140417144423194
JCYJ20140417144423198)资助~~
文摘
在摩尔定律面临终结的趋势下,三维集成电路技术被认为是继续提升集成电路性能和集成度的重要技术途径之一.由于采用堆叠的结构,三维集成电路适用于高密度以及异质集成应用领域.存储器是高密度集成电路的典型代表,是三维集成电路的重要应用方向之一.三维存储器技术可同时提高存储密度与访存通路带宽,是解决"存储墙"问题的一种可行技术途径.然而,由于存储器件尺寸的微缩,存储阵列中的故障存储单元数量呈增加趋势.对存储器产品,基于冗余存储资源的内建自修复技术是提高其可靠性的重要方法.三维存储器的层与层之间可通过硅通孔等技术实现互连,使得垂直方向上的冗余资源共享成为可能,从而改善三维存储器的可靠性.该文提出一种邻近层共享冗余的三维存储器修复策略,用以提高现有三维存储器内建自修复技术的故障修复能力.该策略不会引发死锁现象,具有良好的冗余资源利用率和较小的硅通孔面积代价.仿真结果表明,与已有的结对冗余策略相比,该文所提出的冗余共享策略具有更高的故障修复率,且故障修复率不随存储器层数的增加而显著下降,更适用于大规模三维存储器.
关键词
三维存储器
内建自修复
层间冗余共享
邻近层冗余共享
Keywords
3D
memory
built
-in
self
-
repair
inter-die
redundancy
sharing
sharing
adjacent
redundancy
cells
across
dies
分类号
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
下载PDF
职称材料
题名
故障交叉聚类的三维存储器内建自修复策略
被引量:
2
5
作者
吴静
机构
合肥工业大学计算机与信息学院
情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室
出处
《电子设计工程》
2018年第21期128-134,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306049
61204046
+1 种基金
61432004
61474035)
文摘
三维存储器成品率是评价冗余共享策略的一个重要指标。为了提高三维存储器的成品率和冗余资源利用率,提出了一种全新的故障交叉聚类技术,不仅能实现故障单元垂直方向上的跨层聚类,还可以跨层聚类到相同存储阵列索引的非垂直方向位置,更多的故障单元被聚类到其他层中,从而使用一个冗余行可以修复更多的故障。此外,根据故障交叉聚类策略重新设计了内建自修复结构和读写控制器,对数据重新组合来保证数据正确的输入或输出。实验结果表明,相比于现有的修复方案,该内建自修复方案仅增加了0.43%的面积开销就有效的提高了三维存储器的成品率。
关键词
三维存储器
内建自修复
故障交叉聚类
成品率
Keywords
3D
memory
built
-in
self
-
repair
fault
cross-clustering
yield
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种有效的3D存储器内建自修复方案
6
作者
姚瑶
梁华国
应健锋
倪天明
易茂祥
黄正峰
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
安徽工程大学电气工程学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第5期690-696,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61674048,61574052)
电子测试技术重点实验室开放基金项目(61420010202717)
安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)
文摘
与2D存储器相比,3D存储器能够提供更大的容量、更高的带宽、更低的延迟和功耗,但成品率低。为了解决这个问题,提出一种有效的3D存储器内建自修复方案。将存储阵列的每一行或每一列划分成几个行块或列块,在不同层的行块或列块之间进行故障单元的映射,使不同层同一行或同一列的故障在逻辑上映射到同一层中,从而使一个冗余行或冗余列能够修复更多的故障,大大增加了冗余资源利用率和故障修复率。实验结果表明,与其他修复方案相比,该方案的修复率更高,实现相同修复率所需的冗余资源更少,增加的面积开销几乎可忽略不计。
关键词
3D存储器
成品率
内建自修复
行块
列块
修复率
Keywords
3Dmemory
yield
built
-in
self
-
repair
row
block
column
block
repair
rate
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SoC嵌入式存储器内建自修复方法
被引量:
1
7
作者
秦盼
王健
朱芳
焦贵忠
机构
北方通用电子集团有限公司
中国人民解放军驻
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2019年第10期1749-1754,共6页
文摘
嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法,提出了一种基于Mentor公司Tessent工具的存储器修复结构。该结构采用了冗余修复及电可编程熔丝eFuse硬修复的方法,具有很好的通用性及可行性,已多次应用在实际项目中。
关键词
SOC
嵌入式存储器
内建自测试
内建自修复
Keywords
SoC
embedded
memory
built
-In
self
-Test(BIST)
built
-In
self
-
repair
(BISR)
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构
被引量:
1
8
作者
窦怀阳
薛晓勇
冯洁
机构
上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期116-121,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61704029,61874028,61834009).
文摘
新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。
关键词
内嵌自修复(BISR)
现场可编程纳米线互连(FPNI)
纳米器件逻辑
碳纳米管场效应管(CNTFET)
电路纠错
Keywords
built
-in
self
-
repair
(BISR)
field-programmable
nanowire
interconnect(FPNI)
nanodevice
logic
carbon
nanotube
field
effect
transistor(CNTFET)
circuit
fault-tolerant
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高效内建冗余分析技术的研究
9
作者
高秀才
戴紫彬
张立朝
章轶
机构
解放军信息工程大学
出处
《计算机应用研究》
CSCD
北大核心
2014年第7期2044-2047,共4页
文摘
传统BIRA结构存在多次地址比较的问题,严重影响了存储器的修复速度与读写性能。为了解决这一问题,提出了基于布鲁姆过滤器的BIRA技术。新型BIRA结构在传统结构的基础上增加了一个布鲁姆过滤器,通过减少地址比较次数来达到提高存储器修复速度和访问速度的效果。实验结果表明,在相同故障地址数目的前提下,该方法比传统BIRA和地址分割BIRA的比较次数要低很多,验证了新型BIRA结构的高效性。
关键词
内建冗余分析
内建自修复
布鲁诺过滤器
地址比较
哈希函数
Keywords
built
-in
redundancy
analysis(BIRA)
built
-in
self
-
repair
(BISR)
Bloom
filter
address
comparison
hash
function
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
An Optimal Management for SoC Memory
10
作者
Omar Saeed AI-Mushayt
机构
Dean of Computer Science & Information
出处
《通讯和计算机(中英文版)》
2010年第4期1-4,共4页
关键词
内存优化管理
SOC芯片
故障定位
片上系统
功能试验
输出模式
SOC
多服务
Keywords
Diagnosis,
system
on
chip,
infrastructure
intellectual
property,
fault,
built
in
repair
analysis,
built
in
self
repair
分类号
TP316 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
TP332 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
嵌入式存储器的内建自测试和内建自修复
江建慧
朱为国
《同济大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
12
下载PDF
职称材料
2
基于地址分割的嵌入式存储器内建自修复方法
俞洋
李嘉铭
乔立岩
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
3
基于哈希表的高效存储器内建自修复方法
郭旭峰
于芳
刘忠立
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
4
一种邻近层资源共享的三维堆叠存储器内建自修复策略
崔小乐
张世界
张强
金玉丰
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
2
下载PDF
职称材料
5
故障交叉聚类的三维存储器内建自修复策略
吴静
《电子设计工程》
2018
2
下载PDF
职称材料
6
一种有效的3D存储器内建自修复方案
姚瑶
梁华国
应健锋
倪天明
易茂祥
黄正峰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
7
SoC嵌入式存储器内建自修复方法
秦盼
王健
朱芳
焦贵忠
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
8
一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构
窦怀阳
薛晓勇
冯洁
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
9
高效内建冗余分析技术的研究
高秀才
戴紫彬
张立朝
章轶
《计算机应用研究》
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
10
An Optimal Management for SoC Memory
Omar Saeed AI-Mushayt
《通讯和计算机(中英文版)》
2010
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部