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化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展(英文) 被引量：2
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作者 沈钰 李冰冰 +1 位作者 马艺 王增林 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期47-56,共10页
随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技... 随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法,通过超级化学镀填充方式,直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响。同时,在长期从事超级化学填充研究的基础上,作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺。 展开更多
关键词 化学镀 超级化学镀钴 超级化学镀铜 铜互连线 钴互连线
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