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三氯氢硅生产现存问题及发展前景 被引量:18
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作者 聂少林 张颖琴 曹月丛 《氯碱工业》 CAS 2010年第4期24-26,共3页
分析国内三氯氢硅生产中须解决的问题——副产物四氯化硅出路,尾气回收治理,精品三氯氢硅中含硼、磷,探讨了三氯氢硅的市场前景。
关键词 三氯氢硅 四氯化硅 尾气治理 三氯化硼 三氯化磷
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Boron-Silicon Thin Film Formation Using a Slim Vertical Chemical Vapor Deposition Reactor
2
作者 Yuki Kamochi Atsuhiro Motomiya +3 位作者 Hitoshi Habuka Yuuki Ishida Shin-Ichi Ikeda Shiro Hara 《Advances in Chemical Engineering and Science》 CAS 2023年第1期7-18,共12页
A boron-silicon film was formed from boron trichloride gas and dichlorosilane gas at about 900&#8451;in ambient hydrogen at atmospheric pressure utilizing a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reacto... A boron-silicon film was formed from boron trichloride gas and dichlorosilane gas at about 900&#8451;in ambient hydrogen at atmospheric pressure utilizing a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reactor designed for the Minimal Fab system. The gas flow rates were 80, 20 and 0.1 - 20 sccm for the hydrogen, dichlorosilane and boron trichloride gases, respectively. The gas transport condition in the reactor was shown to quickly become stable when evaluated by quartz crystal microbalances at the inlet and outlet. The boron-silicon thin film was formed by achieving the various boron concentrations of 0.16% - 80%, the depth profile of which was flat. By observing the cross-sectional TEM image, the obtained film was dense. The boron trichloride gas is expected to be useful for the quick fabrication of various materials containing boron at significantly low and high concentrations. 展开更多
关键词 Chemical Vapor Deposition boron-Silicon Film boron trichloride DICHLOROSILANE
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以三氯化硼为介质离心分离硼同位素 被引量:6
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作者 潘建雄 周明胜 +2 位作者 裴根 姜东君 洪锋 《同位素》 CAS 2018年第2期77-83,共7页
为了实现硼同位素的分离制备,采用气体离心法,以三氯化硼为工作介质进行离心分离研究。通过单机分离实验,对三氯化硼样品进行质谱分析,得到不同供料流量、分流比条件下的基本全分离系数,并在此基础上进行富集硼-10的离心分离级联计算。... 为了实现硼同位素的分离制备,采用气体离心法,以三氯化硼为工作介质进行离心分离研究。通过单机分离实验,对三氯化硼样品进行质谱分析,得到不同供料流量、分流比条件下的基本全分离系数,并在此基础上进行富集硼-10的离心分离级联计算。结果表明,以三氯化硼为工作介质离心分离硼同位素可行;三氯化硼的基本全分离系数可达1.08;使用30级矩形级联或60级相对丰度匹配级联一次分离可以获得丰度大于60%的硼-10同位素产品,二次分离可以获得丰度大于90%的硼-10同位素产品。该研究的开展可为离心法生产高丰度硼同位素产品提供参考。 展开更多
关键词 硼同位素 稳定同位素分离 气体离心法 三氯化硼 基本全分离系数
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三氯化硼分子在10μm波段低温光谱的理论研究 被引量:1
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作者 李业军 马俊平 +1 位作者 唐显 李鑫 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1312-1320,共9页
商业化的高功率、窄线宽中红外激光器使得采用激光辅助抑制冷凝方法(SILARC)高效分离11B和10B两种稳定同位素成为可能。然而,中红外激光器的可调谐范围受限以及价格高昂的问题成为制约该应用的一大难题。准确确认高效率激发气相硼化物... 商业化的高功率、窄线宽中红外激光器使得采用激光辅助抑制冷凝方法(SILARC)高效分离11B和10B两种稳定同位素成为可能。然而,中红外激光器的可调谐范围受限以及价格高昂的问题成为制约该应用的一大难题。准确确认高效率激发气相硼化物的激光频率成为解决该难题的办法之一。本文采用高精度从头算量子化学理论对三氯化硼分子的电子基态进行了深入研究。在二阶微扰MP2理论和6-311++G(3df, 2pd)基组下,优化了三氯化硼的分子结构,基于PT2理论计算获得了振动基态和基频(硼-氯伸缩振动模)转动参数、振转耦合等光谱参数。基于理论模拟谱与实验光谱相对满意的匹配,确定了三氯化硼同位素分子在10μm波段基频振动带的可信赖的非谐振频率。以上结果表明,本文实现了三氯化硼分子变温光谱(30~300 K)的模拟,确定了10μm波段的P(4)和P(6)二氧化碳激光器更适用于激光辅助抑制冷凝方法(SILARC)的激发11B同位素分子。 展开更多
关键词 三氯化硼 二阶微扰MP2理论 变温光谱 激发光源频率
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基于环状酰亚胺还原反应绿色合成环状二级胺化合物
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作者 赵能选 陈剑力 +2 位作者 朱杰 朱红薇 钱广 《合成化学》 CAS 2023年第9期714-719,共6页
环状二级胺作为重要组成部分广泛存在于具备生物活性的分子中。常见的合成方法主要是采用LiAlH4或者BF3和NaBH4的反应体系将环状酰胺类化合物还原,而危险性和环保隐患制约了其在生产中的应用。以环状酰亚胺为原料,通过BCl3和NaBH4的还... 环状二级胺作为重要组成部分广泛存在于具备生物活性的分子中。常见的合成方法主要是采用LiAlH4或者BF3和NaBH4的反应体系将环状酰胺类化合物还原,而危险性和环保隐患制约了其在生产中的应用。以环状酰亚胺为原料,通过BCl3和NaBH4的还原体系实现了环状二级胺的高效及绿色合成。以化合物1a作为模板底物,通过反应条件的筛选得到的最佳工艺条件为:1.0 eq.1a、1.5 eq.BCl3以及4.5 eq.NaBH4在60℃下反应24 h,溶剂为四氢呋喃。经优化后合成了一系列环状二级胺化合物,其结构经1 H NMR,13C NMR和HR-MS(ESI)确证。结果表明:该方法成本低廉,产率较高,可达78%~96%,底物适用范围广,可应用于环上有推电子基或者吸电子基的二级胺的合成。 展开更多
关键词 还原 绿色工艺 环状二级胺 环状酰亚胺 三氯化硼 硼氢化钠
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聚硅氮烷纤维的BCl_3不熔化处理研究 被引量:2
6
作者 卢玲 冯春祥 宋永才 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期32-35,55,共5页
研究了用三氯化硼(BCl_3)对聚硅氮烷(PSZ)纤维进行不熔化处理的过程,讨论了处理条件对不熔化反应的影响,并对不熔化过程的反应机理进行了分析探讨。结果表明,在不熔化过程中,BCl3先后与PSZ纤维中的N-H、Si-H镇反应,使得分子... 研究了用三氯化硼(BCl_3)对聚硅氮烷(PSZ)纤维进行不熔化处理的过程,讨论了处理条件对不熔化反应的影响,并对不熔化过程的反应机理进行了分析探讨。结果表明,在不熔化过程中,BCl3先后与PSZ纤维中的N-H、Si-H镇反应,使得分子间通过N-B-N健交联。控制合适的BCl3浓度、处理温度及时间,可以使PSZ纤维实现不熔化府可由此将硼引入PSZ纤维。 展开更多
关键词 聚硅氮烷纤维 三氯化硼 不熔化处理 陶瓷纤维
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三氯化硼的制备和纯化研究综述 被引量:1
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作者 马建修 王维佳 +1 位作者 李广新 靖宇 《低温与特气》 CAS 2019年第5期20-24,共5页
三氯化硼在精细化学品、航空航天、材料加工及半导体领域具有不可替代的作用。三氯化硼在大规模集成电路金属铝层刻蚀制程中起到重要作用,其纯度与质量要求较为严格。详尽地将三氯化硼的制备和纯化方法进行了归纳与总结,并追踪了近几年... 三氯化硼在精细化学品、航空航天、材料加工及半导体领域具有不可替代的作用。三氯化硼在大规模集成电路金属铝层刻蚀制程中起到重要作用,其纯度与质量要求较为严格。详尽地将三氯化硼的制备和纯化方法进行了归纳与总结,并追踪了近几年的工艺发展,认为在现有传统三氯化硼生产工艺基础上进行改进,降低能耗、提高合成选择性、提高安全性能与提高传质效率是三氯化硼生产的发展趋势。期待为国内高纯三氯化硼的研发和生产提供借鉴作用,从根本上解决高纯三氯化硼依赖进口、受制于人的被动局面。 展开更多
关键词 三氯化硼 合成 纯化
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9-β-D-阿拉伯呋喃糖-2-氟腺嘌呤的合成改进
8
作者 徐肖冰 王悦球 沈永嘉 《精细与专用化学品》 CAS 2006年第7期16-18,共3页
2,6-二氨基嘌呤经酰化后再与2,3,5-三-O-苄基-D-阿拉伯呋喃糖基氯化物反应得2,6-二乙酰氨基-9(2,3,5三-O-苄基-β-D-阿拉伯呋喃糖基)嘌呤,该产物脱去氨基上的保护基后在氟硼酸四氢呋喃中经重氮化氟化得9(2,3,5三-O-苄基-β-阿拉伯呋喃糖... 2,6-二氨基嘌呤经酰化后再与2,3,5-三-O-苄基-D-阿拉伯呋喃糖基氯化物反应得2,6-二乙酰氨基-9(2,3,5三-O-苄基-β-D-阿拉伯呋喃糖基)嘌呤,该产物脱去氨基上的保护基后在氟硼酸四氢呋喃中经重氮化氟化得9(2,3,5三-O-苄基-β-阿拉伯呋喃糖基)2氟腺嘌呤,最后在三氯化硼作用下脱去苄基得9-β-D-阿拉伯呋喃糖2氟腺嘌呤。反应总收率为30.0%。 展开更多
关键词 氟达拉滨 2 6-二氨基嘌呤 三氯化硼 氯化钯 甲氧基乙酸酐
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电子工业用气体三氯化硼中微量氯的比色法测定 被引量:1
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作者 常侠 单晓萍 于国晖 《低温与特气》 CAS 2008年第3期33-35,共3页
介绍了化学比色法测定三氯化硼中微量氯的过程及消除基体干扰的方法。
关键词 化学比色法 三氯化硼 消除基体干扰
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BCl_3对1-丁烯聚合用Ziegler-Natta催化剂的改性研究 被引量:1
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作者 董小芳 刘智博 +4 位作者 杨敏 王秀绘 张宝军 侯凯湖 刘宾元 《合成树脂及塑料》 CAS 北大核心 2014年第2期20-24,共5页
以BCl3溶液对用于1-丁烯聚合的Ziegler-Natta催化剂进行改性,通过正交试验考察了n(B)/n(Ti)、反应温度和反应时间对催化剂性能的影响,并研究了各因素对Ti含量、B含量、催化剂活性和聚合物等规指数的影响。BCl3改性催化剂的最佳条件:n(B)... 以BCl3溶液对用于1-丁烯聚合的Ziegler-Natta催化剂进行改性,通过正交试验考察了n(B)/n(Ti)、反应温度和反应时间对催化剂性能的影响,并研究了各因素对Ti含量、B含量、催化剂活性和聚合物等规指数的影响。BCl3改性催化剂的最佳条件:n(B)/n(Ti)为1,反应温度为60℃,反应时间为2h。改性后的催化剂活性相对未改性时提高了1.4倍。各因素对Ti含量、催化剂活性和聚合物等规指数的影响主次顺序为反应温度,n(B)/n(Ti),反应时间;对B含量的影响主次顺序为反应温度,反应时间,n(B)/n(Ti)。 展开更多
关键词 齐格勒-纳塔催化剂 三氯化硼 1-丁烯聚合 改性
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A facile synthesis of 2,4,6-trichloroborazine from boron trichloride-dimethylsulfide complex and ammonium chloride 被引量:4
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作者 Deng, Cheng Song, Yong Cai +3 位作者 Wang, Ying De Li, Yi He Lei, Yong Peng Cao, Shu Wei 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2010年第2期135-138,共4页
2,4,6-Trichloroborazine has been recognized as a desirable monomer for the preparation of high-performance boron nitride fibers through polymer derived ceramics route.So a high yield and facile synthesis of 2,4,6-tric... 2,4,6-Trichloroborazine has been recognized as a desirable monomer for the preparation of high-performance boron nitride fibers through polymer derived ceramics route.So a high yield and facile synthesis of 2,4,6-trichloroborazine is essential in practice. Using boron trichloride-dimethylsulfide complex((CH_3)_2S·BCl_3) and ammonium chloride(NH_4Cl) as starting materials and toluene(C_6H_5CH_3) as solvent,the synthesis of 2,4,6-trichloroborazine to give high yield is reported. 展开更多
关键词 2 4 6-Trichloroborazine boron trichloride-dimethylsulfide boron nitride precursor SYNTHESIS
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CVD法生产硼纤维过程中BCl_3的回收再利用的研究 被引量:3
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作者 佘冬苓 徐洪清 +2 位作者 董妍 戴南荣 李占一 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期22-24,共3页
用氯气(Cl2)与硼纤维生产过程回收尾气BCl3中的丁硼烷(B4H10)进行反应,实现了硼纤维生产过程中BCl3的循环利用。
关键词 硼纤维 三氯化硼 回收利用 CVD法
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电子级三氯化硼充装系统中新型尾气处理装置 被引量:1
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作者 罗利生 魏武 高梦涵 《低温与特气》 CAS 2022年第6期16-18,共3页
针对电子级三氯化硼充装时面临的轻组分含量偏高及尾气处理时产生的盐酸浓度低、无法回收等问题,对电子级三氯化硼充装系统中的尾气处理装置进行了优化。优化后的新型尾气处理装置不仅使充装系统管道内的气体置换更加彻底、提升了电子... 针对电子级三氯化硼充装时面临的轻组分含量偏高及尾气处理时产生的盐酸浓度低、无法回收等问题,对电子级三氯化硼充装系统中的尾气处理装置进行了优化。优化后的新型尾气处理装置不仅使充装系统管道内的气体置换更加彻底、提升了电子级三氯化硼品质,还实现副产盐酸和硼酸的分离与回收,使盐酸浓度从12%提升至31%,达到工业盐酸的标准。 展开更多
关键词 电子级三氯化硼 充装系统 尾气处理装置 盐酸回收
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Thermodynamic Analysis of Chemical Vapor Deposition of BCl_3-NH_3-SiCl_4-H_2-Ar System
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作者 李赞 CHENG Laifei +1 位作者 刘永胜 YE Fang 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2015年第5期951-958,共8页
The thermodynamic phase stability area diagrams of BCl3-NH3-Si Cl4-H2-Ar system were plotted via Factsage software to predict the kinetic experimental results. The effects of parameters(i e, partial pressure of reacta... The thermodynamic phase stability area diagrams of BCl3-NH3-Si Cl4-H2-Ar system were plotted via Factsage software to predict the kinetic experimental results. The effects of parameters(i e, partial pressure of reactants, deposition temperature and total pressure) on the distribution regions of solid phase products were analyzed based on the diagrams. The results show that:(a) Solid phase products are mainly affected by deposition temperature. The area of BN+Si3N4 phase increases with the temperature rising from 650 to 900 ℃, and decreases with the temperature rising from 900 to 1 200 ℃;(b) When temperature and total pressure are constants, BN+Si3N4 phase exists at a high partial pressure of NH3;(c) The effect of total system pressure is correlated to deposition temperature. The temperature ranging from 700 to 900 ℃ under low total pressure is the optimum condition for the deposition.(d) Appropriate kinetic parameters can be determined based on the results of thermodynamic calculation. Si–B–N coating is obtained via low pressure chemical vapor deposition. The analysis by X-ray photoelectron spectroscopy indicates that B–N and Si–N are the main chemical bonds of the coating. 展开更多
关键词 boron trichloride-ammonia-silicon tetrachloride-hydrogen-argon system thermodynamic phase stability area diagram chemical vapor deposition
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高纯三氯化硼中杂质检测技术
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作者 刘颖 施旖旎 +1 位作者 赵银凤 张英达 《微纳电子与智能制造》 2022年第1期115-119,共5页
高纯电子气体是半导体工业重要原材料之一。电子级三氯化硼主要用于IC、OLED、LED等半导体技术领域,是一种性能极佳的高纯半导体材料。高纯三氯化硼在大规模集成电路制备过程中,主要用作掺杂气、警惕生长气、等离子刻蚀气、离子束刻蚀... 高纯电子气体是半导体工业重要原材料之一。电子级三氯化硼主要用于IC、OLED、LED等半导体技术领域,是一种性能极佳的高纯半导体材料。高纯三氯化硼在大规模集成电路制备过程中,主要用作掺杂气、警惕生长气、等离子刻蚀气、离子束刻蚀气、离子注入气等,其纯度直接影响着所制造的半导体器件性能。随着集成电路技术进步,技术节点达到7 nm,晶圆制造达到12 in,对电子级三氯化硼的要求越来越高。其产品的纯度取决于其合成方法及纯化技术的因素,其中杂质有氧、氩、氮、甲烷、一氧化碳、二氧化碳、氯气、氯化氢、光气、四氯化硅以及金属杂质。这些杂质含量的检测,对产品质量控制至关重要。本文通过对高纯三氯化硼中含有的杂质检测方法进行研究,涉及到色谱柱选择、样品前处理方式,本底背景消除以及气体池窗片的选择等影响因素的确定。建立GC、ICP-MS和FTIR等分析方法,实现高纯三氯化硼中杂质元素检测,检测精度可达到10^(-7),控制产品质量的稳定性。 展开更多
关键词 高纯三氯化硼 气体杂质 金属杂质 检测
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BCl_3–C_3H_6–H_2体系的热力学相图研究(英文) 被引量:1
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作者 刘永胜 刘善华 +3 位作者 左新章 张立同 成来飞 曾庆丰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期964-968,共5页
利用 FactSage software 软件计算了 BCl3–C3H6–H2体系的热力学相图,分析了反应气体分压、系统总压以及沉积温度对热力学相图中固相产物种类、分布区域及面积的影响规律与作用机制。结果表明:(1)系统总压是影响相图中固相产物种类、... 利用 FactSage software 软件计算了 BCl3–C3H6–H2体系的热力学相图,分析了反应气体分压、系统总压以及沉积温度对热力学相图中固相产物种类、分布区域及面积的影响规律与作用机制。结果表明:(1)系统总压是影响相图中固相产物种类、分布区域及其面积的最主要因素。随系统总压升高,固相产物由简到繁,相图内 B 单质区域的面积增加,B+B4C 及 B4C+C 区域面积减小,B4C 区域面积变化不明显,各区域明显右移;相图内气态区域面积增加。(2)反应气体分压影响相图中固相产物的元素含量。随 C3H6分压增加,固相产物由 B 含量高的产物向 C 含量高的产物转变,即由B单质或 B+B4C 向 B4C+C 转变。(3)在 800~1 200 ℃,沉积温度对相图中产物种类及分布的作用不明显,沉积过程不受热力学控制。 展开更多
关键词 三氯化硼–丙烯–氢体系 热力学相图 化学气相沉积 气体分压 系统总压 沉积温度
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