期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
离子束抛光去除边界效应延拓修正研究
1
作者
周迪
蒋世磊
+2 位作者
孙国斌
康乐
刘卫国
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第13期346-351,共6页
针对离子束抛光光学元件过程中产生的边界效应问题,提出了基于多项式拟合延拓的抑制方法。利用多项式延拓方法对初始面形进行边界延拓,并对得到的延拓面形进行仿真,仿真后面形均方根值为5.20 nm。采用离子束抛光技术对100 mm口径的K9光...
针对离子束抛光光学元件过程中产生的边界效应问题,提出了基于多项式拟合延拓的抑制方法。利用多项式延拓方法对初始面形进行边界延拓,并对得到的延拓面形进行仿真,仿真后面形均方根值为5.20 nm。采用离子束抛光技术对100 mm口径的K9光学元件进行加工,加工后的面形均方根值由19.26 nm降至12.23 nm。选取加工后的面形8%作为边界面形,边界面形均方根值由137.23 nm降至56.72 nm,通过仿真和实验,验证了该方法的可行性。该研究可以为光学加工提供一种新的方法。
展开更多
关键词
光学设计
离子束抛光
边界效应
边界延拓
多项式拟合
原文传递
题名
离子束抛光去除边界效应延拓修正研究
1
作者
周迪
蒋世磊
孙国斌
康乐
刘卫国
机构
西安工业大学光电工程学院
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022年第13期346-351,共6页
基金
陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(18JS053)。
文摘
针对离子束抛光光学元件过程中产生的边界效应问题,提出了基于多项式拟合延拓的抑制方法。利用多项式延拓方法对初始面形进行边界延拓,并对得到的延拓面形进行仿真,仿真后面形均方根值为5.20 nm。采用离子束抛光技术对100 mm口径的K9光学元件进行加工,加工后的面形均方根值由19.26 nm降至12.23 nm。选取加工后的面形8%作为边界面形,边界面形均方根值由137.23 nm降至56.72 nm,通过仿真和实验,验证了该方法的可行性。该研究可以为光学加工提供一种新的方法。
关键词
光学设计
离子束抛光
边界效应
边界延拓
多项式拟合
Keywords
optical
design
ion
beam
polishing
border
effect
border
continuation
polynomial
fitting
分类号
TH161.14 [机械工程—机械制造及自动化]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束抛光去除边界效应延拓修正研究
周迪
蒋世磊
孙国斌
康乐
刘卫国
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2022
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
