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基于电-热-结构耦合分析的SiC MOSFET可靠性研究
1
作者 黄天琪 刘永前 《电气技术》 2024年第8期27-34,共8页
作为应用前景广阔的功率器件,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。考虑器件电阻随温度变化的特性,构建电-热-结构耦合的有限元模型,... 作为应用前景广阔的功率器件,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。考虑器件电阻随温度变化的特性,构建电-热-结构耦合的有限元模型,针对健康状态及不同失效模式进行温度和应力研究。结果表明,功率循环过程中键合线与芯片连接处受到的热应力最大,焊料层与芯片接触面的边缘位置次之;键合线失效对器件寿命影响最大,且焊料层中心空洞产生的应力大于边缘空洞产生的应力。仿真结果可为提升器件可靠性提供重要参考。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 有限元模型 电-热-结构耦合 键合线失效 焊料层失效
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光耦在实际应用中的几种常见失效 被引量：1
2
作者 徐军军 黄文锋 《电子产品可靠性与环境试验》 2021年第4期40-43,共4页
不同于一般的半导体器件,光耦在工作原理、结构和封装设计等方面均具有特色。结合光耦的特色,阐述了光耦的几种常见的失效模式,如键合丝断开、粘接芯片的银迁移和芯片腐蚀等问题,并根据具体的使用环境分析了光耦器件失效的原因,以期在... 不同于一般的半导体器件,光耦在工作原理、结构和封装设计等方面均具有特色。结合光耦的特色,阐述了光耦的几种常见的失效模式,如键合丝断开、粘接芯片的银迁移和芯片腐蚀等问题,并根据具体的使用环境分析了光耦器件失效的原因,以期在实际的使用过程中提高其可靠性。 展开更多
关键词 光耦 键合丝断开 银迁移 芯片腐蚀 失效 可靠性
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