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0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
1
作者
刘张李
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期489-493,共5页
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供...
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供参考。
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关键词
绝缘体上硅
击穿
栅诱导漏极泄漏电流
体接触
浮体效应
下载PDF
职称材料
题名
0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
1
作者
刘张李
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期489-493,共5页
文摘
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了栅长、栅端偏压和衬底偏压等对器件击穿特性的影响,阐明了击穿特性的失效机理,为器件优化和电路设计提供参考。
关键词
绝缘体上硅
击穿
栅诱导漏极泄漏电流
体接触
浮体效应
Keywords
silicon-on-insulator(SOI)
breakdown
gate
induced
drain
leakage(GIDL)
body contact
(
bc
)
floating
body
(FB)
effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究
刘张李
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
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