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消极身体意象者的注意偏向研究进展 被引量:32
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作者 高笑 陈红 《中国临床心理学杂志》 CSCD 2006年第3期272-274,共3页
消极身体意象伴随的注意偏向是负面身体自我或进食障碍的维持因素之一。在国外,它已成为该领域的一个热点问题,同时,国内研究者也开始关注于此。文章介绍了注意偏向的理论基础,着重阐述了两种研究方法——情绪Stroop法和探针法的原理、... 消极身体意象伴随的注意偏向是负面身体自我或进食障碍的维持因素之一。在国外,它已成为该领域的一个热点问题,同时,国内研究者也开始关注于此。文章介绍了注意偏向的理论基础,着重阐述了两种研究方法——情绪Stroop法和探针法的原理、程序、新近研究得到的发现、影响因素以及局限性,并结合当前研究存在的不足提出了改进建议,对未来研究进行了初步展望。 展开更多
关键词 身体意象 注意偏向 情绪Stroop法 探针法
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内隐关系评估程序在中青年人群身体意象隐性偏见测量中的Meta分析
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作者 樊君颖 贾彦楠 +1 位作者 李丽 郭玉芳 《中华现代护理杂志》 2024年第27期3700-3707,共8页
目的探讨使用内隐关系评估程序(IRAP)测量中青年人群身体意象的隐性偏见。方法系统检索ProQuest、Scopus、EBSCO、Cochrane Library、Web of Science、PubMed、中国知网、万方数据库、维普网中使用IRAP测量中青年人群身体意象隐性偏见... 目的探讨使用内隐关系评估程序(IRAP)测量中青年人群身体意象的隐性偏见。方法系统检索ProQuest、Scopus、EBSCO、Cochrane Library、Web of Science、PubMed、中国知网、万方数据库、维普网中使用IRAP测量中青年人群身体意象隐性偏见的相关文献, 检索时限为建库至2023年12月15日。采用Review Manager 5.4软件进行Meta分析。结果共纳入11篇文献。Meta分析结果显示, D总分数(亲瘦反胖的反应时间指标)为0.09分(95%置信区间:0.07~0.11, P<0.01), 表明与超重/肥胖相比, 中青年人群对瘦的认同感强烈, 对瘦的渴望也较强;D瘦分数(亲瘦的反应时间指标)为0.26分(95%置信区间:0.12~0.39, P<0.01), 表明中青年人群认同瘦时反应速度更快, 渴望变瘦;D胖分数(反胖的反应时间指标)为-0.09分(95%置信区间:-0.21~0.03, P>0.05), 表明中青年人群对超重/肥胖没有偏见。结论中青年人群普遍具有内隐偏瘦的表现, 对瘦的渴望强烈, 对超重无隐性偏见。 展开更多
关键词 身体意象 心理测试 偏见 META分析
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Joint Communication and Processor Frequency Selection for Low-Energy Systems under Timing Constraints 被引量:3
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作者 WANG Yingfeng LIU Zhijing 《China Communications》 SCIE CSCD 2010年第4期132-136,共5页
This paper presents a method to reduce the energy consumption of multi-core systems characterized by processor cores and buses with discrete frequency levels under timing constraints.The proposed method takes the tran... This paper presents a method to reduce the energy consumption of multi-core systems characterized by processor cores and buses with discrete frequency levels under timing constraints.The proposed method takes the transformations of the original task graphs,which include dependent tasks located in different iterations,as inputs.The proposed method utilizes mapping selection as well as joint processor and communication frequency scaling to implement energy reduction.We conduct experiments on several random task graphs.Experimental results show that the proposed method can achieve substantial energy reduction compared with previous work under the same hard timing constraints. 展开更多
关键词 Green Computing Dynamic Voltage Scaling MULTI-CORE Adaptive body bias
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一种利用体偏置改善温度特性的电流源 被引量:2
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作者 张仁梓 陈迪平 陈卓俊 《重庆工商大学学报(自然科学版)》 2020年第6期7-12,共6页
基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内... 基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 电流源 体偏置 温度系数
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《伤寒杂病论》中“家”的含义 被引量:2
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作者 赵腾宇 周晓洁 +1 位作者 闫博文 周妍妍 《河南中医》 2022年第10期1472-1474,共3页
《伤寒杂病论》中,“家”可以表示脏腑系统或功能系统,多与相关脏腑名词相连,如脾家、胃家等;可以表示疾病系列,如湿家、咳家、支饮家、诸黄家、呕家等,此含义的家在《伤寒论》中出现较少,在《金匮要略》中出现较多;可以表示症状,如冒... 《伤寒杂病论》中,“家”可以表示脏腑系统或功能系统,多与相关脏腑名词相连,如脾家、胃家等;可以表示疾病系列,如湿家、咳家、支饮家、诸黄家、呕家等,此含义的家在《伤寒论》中出现较少,在《金匮要略》中出现较多;可以表示症状,如冒家、失精家等;可以表示身体偏性,如喘家、衄家、疮家等;可以与体质相关,如喘家、淋家、衄家等;一个词可以有多个含义,如中寒家。家在不同的语境中含义不同,用单词单字了解和揣测“家”的含义不够准确,应当把“家”组成的词汇放入条文之中分析,再得出其所指代的含义,如此则更能符合仲景本意。 展开更多
关键词 “家” 脏腑系统 疾病系列 症状 身体偏性 体质 《伤寒论》 《金匮要略》 张仲景
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Systematic Approaches of UWB Low-Power CMOS LNA with Body Biased Technique
6
作者 Meng-Ting Hsu Kun-Long Wu Wen-Chen Chiu 《Wireless Engineering and Technology》 2015年第3期61-77,共17页
This paper presents research on a low power CMOS UWB LNA based on a cascoded common source and current-reused topology. A systematic approach for the design procedure from narrow band to UWB is developed and discussed... This paper presents research on a low power CMOS UWB LNA based on a cascoded common source and current-reused topology. A systematic approach for the design procedure from narrow band to UWB is developed and discussed in detail. The power reduction can be achieved by using body biased technique and current-reused topology. The optimum width of the major transistor device M1 is determined by the power-constraint noise optimization with inner parasitic capacitance between the gate and source terminal. The derivation of the signal amplification S21 by high frequency small signal model is displayed in the paper. The optimum design of the complete circuit was studied in a step by step analysis. The measurements results show that the proposed circuit has superior S11, gain, noise figure, and power consumption. From the measured results, S11 is lower than -12 dB, S22 is lower than -10 dB and forward gain S21 has an average value with 12 dB. The noise figure is from 4 to 5.7 dB within the whole band. The total power consumption of the proposed circuit including the output buffer is 4.6 mW with a supply voltage of 1 V. This work is implemented in a standard TSMC 0.18 μm CMOS process technology. 展开更多
关键词 body bias Common Source LOW Noise Amplifier (LNA) LOW Power RFCMOS ULTRA-WIDEBAND (UWB)
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应用于升压电荷泵的自适应衬偏电路 被引量:1
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作者 付秀兰 高艳丽 庞遵林 《中国集成电路》 2016年第4期18-22,共5页
本文设计了一种应用于升压电荷泵的自适应衬偏电路,主要解决电荷泵开关管的电气性能的可靠性问题。该电路主要采用迟滞比较器和触发器相结合的结构,保证PMOS开关管的衬底电位始终和源极、漏极中较高电压保持一致。仿真结果表明,在二倍... 本文设计了一种应用于升压电荷泵的自适应衬偏电路,主要解决电荷泵开关管的电气性能的可靠性问题。该电路主要采用迟滞比较器和触发器相结合的结构,保证PMOS开关管的衬底电位始终和源极、漏极中较高电压保持一致。仿真结果表明,在二倍压电荷泵上应用此衬偏电路,衬底电压始终保持在对应开关管的最佳电位,漏电流可以降低90%,电荷泵的工作效率可以提高4%。 展开更多
关键词 电荷泵 衬底电位 体效应 比较器
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FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比
8
作者 王剑 于芳 +3 位作者 赵凯 李建忠 杨波 徐烈伟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2430-2436,共7页
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57. 8~206 MHz的范围内进行调节,... 针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57. 8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24. 4~90. 4μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92. 8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67. 8~129μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。 展开更多
关键词 体偏 体硅 背偏 FDSOI 环阵(RO)
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线性化的X波段CMOS低功耗高效率功放
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作者 刘江帆 朱华 +4 位作者 曹诚 夏青 王哲 李昱冰 李秀萍 《移动通信》 2019年第2期71-73,共3页
设计了一个X波段的高效率高线性度的宽带功率放大器。应用并联共源共栅结构减小三阶交调和三次谐波分量。应用体偏置技术,提高了功放的功率附加效率,降低了功耗。结合反馈技术,输入端采用双谐振网络,拓展了带宽。仿真结果表明,该功率放... 设计了一个X波段的高效率高线性度的宽带功率放大器。应用并联共源共栅结构减小三阶交调和三次谐波分量。应用体偏置技术,提高了功放的功率附加效率,降低了功耗。结合反馈技术,输入端采用双谐振网络,拓展了带宽。仿真结果表明,该功率放大器具有33%的相对带宽,14.5dBm的饱和输出功率,PAE_(max)达到45%,输入三阶交调点为6 dBm,同时功耗仅为28.5 mW。 展开更多
关键词 功率放大器 并联共源共栅 双谐振 体偏置
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基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化方法
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作者 孙朝珊 黄琨 骆祖莹 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第12期2237-2241,共5页
随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管的面积,对广泛应用的RBB优化漏电流技术提出一种新方法.基于双阈值CMOS电路设计,在输入最小漏电流向量的... 随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管的面积,对广泛应用的RBB优化漏电流技术提出一种新方法.基于双阈值CMOS电路设计,在输入最小漏电流向量的条件下,仅将反向偏置电压VRBB加到处于决定态的低阈值电压MOS管上,通过大幅度减小应用VRBB的晶体管数量来降低VRBB控制管的面积开销.在基于22 nm工艺ISCAS85基准电路上与单纯RBB方法进行比较的实验结果表明,该方法以损耗27.94%的漏电功耗优化效果为代价,降低了84.91%的面积开销. 展开更多
关键词 漏电功耗 衬底偏置 输入向量控制
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A Low Power SRAM/SOI Memory Cell Design
11
作者 于洋 赵骞 邵志标 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期318-322,共5页
A modified four transistor (4T) self-body-bias structured SRAM/SOI memory cell is proposed. The structure is designed and its parameters are obtained by performance simulation and analysis with TSUPREM4 and MEDICI.T... A modified four transistor (4T) self-body-bias structured SRAM/SOI memory cell is proposed. The structure is designed and its parameters are obtained by performance simulation and analysis with TSUPREM4 and MEDICI.The structure saves area and its process is simplified by using the body resistor with buried p^+ channel beneath the nMOS gate instead of the pMOS of 6T CMOS SRAM. Furthermore, this structure can operate safely with a 0.5V supply voltage, which may be prevalent in the near future. Finally, compared to conventional 6T CMOS SRAM,this structure's transient responses are normal and its power dissipation is 10 times smaller. 展开更多
关键词 SRAM/SOI memory cell self body bias low power
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泡桐坪隧道进出口浅埋段偏压条件下施工
12
作者 刘维平 刘德善 《铁道建筑技术》 2009年第8期65-67,共3页
浅谈泡桐坪隧道进出口堆积体及严重风化岩段在洞口浅埋、偏压条件下的隧道施工技术,重点对该段的地表加固、小导管施工、堆积体及强风化岩段的开挖与支护等技术作了详细阐述。
关键词 铁路隧道 堆积体 浅埋 偏压
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体偏置对SOI CMOS器件单粒子瞬态特性的影响
13
作者 宋文斌 王莉 +2 位作者 宗杨 毕津顺 韩郑生 《功能材料与器件学报》 CAS 2018年第2期112-115,共4页
将不同线性能量转移的碳到铜等五种粒子注入晶体管或电路,研究了NMOS和PMOS在不同重离子浓度下的归一化收集电荷。利用TCAD三维仿真研究了体偏置对绝缘体上硅(SOI)CMOS技术单粒子瞬态(SET)的影响。结果发现,单次瞬态特性,包括电荷收集... 将不同线性能量转移的碳到铜等五种粒子注入晶体管或电路,研究了NMOS和PMOS在不同重离子浓度下的归一化收集电荷。利用TCAD三维仿真研究了体偏置对绝缘体上硅(SOI)CMOS技术单粒子瞬态(SET)的影响。结果发现,单次瞬态特性,包括电荷收集和瞬态脉冲宽度,可以通过合理的体偏置来大幅改善。这一结果可为空间和军事应用中的集成电路加固提供了一种来减轻单粒子瞬态效应的新方法。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 单粒子瞬态 衬底偏置 归一化电荷 线性能量转移
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全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介
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作者 赵晓松 顾祥 +2 位作者 张庆东 吴建伟 洪根深 《电子与封装》 2022年第6期77-85,共9页
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FD... 随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FDSOI)技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向。 展开更多
关键词 全耗尽绝缘层上硅 超薄埋氧 体偏置
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青少年学生形体认知偏差与自尊、生活满意感的关系 被引量:15
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作者 高红艳 王进 胡炬波 《体育科学》 CSSCI 北大核心 2007年第11期30-36,77,共8页
形体认知偏差定义为自我体型认知与实际生理体型产生的差值,差值越大,偏差越大。基于社会认知理论,对青少年学生形体认知偏差与自尊、生活满意感的关系进行探讨与分析。被试者600名大、中学生填写了一般自尊量表、身体自尊量表、生活满... 形体认知偏差定义为自我体型认知与实际生理体型产生的差值,差值越大,偏差越大。基于社会认知理论,对青少年学生形体认知偏差与自尊、生活满意感的关系进行探讨与分析。被试者600名大、中学生填写了一般自尊量表、身体自尊量表、生活满意感量表、BMI表。研究结果表明,青少年学生对形体认知偏差在不同体型、年龄和性别之间存在着显著差异。形体认知偏差与身体自尊和一般自尊存在着显著相关关系,主要体现在女生群体中。形体认知偏差能够对身体自尊和一般自尊进行可靠的预测。但无论男、女生,形体认知偏差与生活满意感之间不存在相关关系,即不能对生活满意感产生预测效应。路径分析表明,形体认知偏差对生活满意感的影响是通过身体自尊和一般自尊这两个中间变量间接实现的。 展开更多
关键词 青少年学生 形体认知偏差 身体自尊 一般自尊 生活满意感
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瘦身广告对身体意象失调女性注意偏向的影响 被引量:18
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作者 尉玮 王建平 +1 位作者 梁媛 刘丹阳 《中国临床心理学杂志》 CSSCI CSCD 北大核心 2012年第4期457-460,456,共5页
目的:研究身体意象失调女性的注意偏向,并探讨瘦身广告对个体在不同类身体信息注意偏向上的影响。方法:使用负面身体自我量表胖分量表(NPSS-F)筛选出身体意象失调个体28人和控制组被试30人,以积极、消极、形似、隐喻四类身体信息为实验... 目的:研究身体意象失调女性的注意偏向,并探讨瘦身广告对个体在不同类身体信息注意偏向上的影响。方法:使用负面身体自我量表胖分量表(NPSS-F)筛选出身体意象失调个体28人和控制组被试30人,以积极、消极、形似、隐喻四类身体信息为实验材料,在观看瘦身广告的前后分别完成点探测任务。结果:身体意象失调女性对身体信息存在显著的注意偏向(t(27)=2.274,P<0.05),控制组不存在注意偏向(t(29)=-0.181,P=0.858),且两组注意偏向值有显著差异(F(1,56)=4.155,P<0.05);观看瘦身广告后,两组被试对积极词的注意偏向都有一定程度的增加(F(1,56)=3.256,P=0.077)。结论:身体意象失调个体对身体信息存在注意偏向,瘦身广告对个体在积极词上的注意偏向有促进作用。 展开更多
关键词 身体意象失调 瘦身广告 身体信息 注意偏向 点探测任务
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基于22 nm FDSOI RVT工艺的宽范围体偏置调节电路设计
17
作者 蓝浩源 蔡述庭 +6 位作者 熊晓明 王治安 张小辉 王建萍 郭金才 李建忠 李彬鸿 《广东工业大学学报》 CAS 2024年第6期39-44,共6页
泄漏功耗是集成电路应用中的关键问题,体偏置调节技术是最常用的功耗调节技术之一。传统的体偏置调节电路具有偏置电压范围小、多电源电压等问题,不仅增加了整个系统的成本,还限制了体偏置调节技术的优化效果。基于22 nm FDSOI(Fully De... 泄漏功耗是集成电路应用中的关键问题,体偏置调节技术是最常用的功耗调节技术之一。传统的体偏置调节电路具有偏置电压范围小、多电源电压等问题,不仅增加了整个系统的成本,还限制了体偏置调节技术的优化效果。基于22 nm FDSOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)RVT(Regular Voltage Threshold)工艺,本文提出一种适用于22 nm FDSOI RVT数字集成电路的宽范围体偏置调节电路,该电路具有可编程的(0 V,±2 V)宽电压输出范围,可实现50 mV的偏置电压分辨率,而且不需要额外的电源输入。基于22 nm FDSOI工艺实现了测试电路,仿真结果表明,本文提出的体偏置调节电路可将测试电路的待机泄漏降低34%~92%,并具有较宽的性能跟踪范围。 展开更多
关键词 22 nm FDSOI 体偏置调节 泄漏功耗 反向偏置
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2.4 GHz CMOS低噪声放大器设计 被引量:5
18
作者 程远垚 宋树祥 蒋品群 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第3期7-13,共7页
本文采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了两款可工作在2.4GHz频率上的窄带低噪声放大器(LNA)。两款LNA的电路结构分别为Cascode电路结构应用电流复用技术,以及应用正体偏置效应的折叠Cascode结构。所设计的两款窄带LNA的仿真结果表明,在2.... 本文采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了两款可工作在2.4GHz频率上的窄带低噪声放大器(LNA)。两款LNA的电路结构分别为Cascode电路结构应用电流复用技术,以及应用正体偏置效应的折叠Cascode结构。所设计的两款窄带LNA的仿真结果表明,在2.4 GHz工作频率上,Cascode结构LNA在1.5V供电电压下电路功耗为4.9mW,增益为23.5dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB与-16.3dB,噪声系数为0.72dB且IIP3为3.12dBm;折叠Cascode结构LNA可在0.5V供电电压下工作,功耗为1.83mW,增益为23.8dB,输入输出反射系数分别为-28.2dB与-24.8dB,噪声系数为0.62dB且IIP3为-7.65dBm,适用于低电压低功耗应用。 展开更多
关键词 CMOS 窄带 低噪声放大器 CASCODE 电流复用 正体偏置
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基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究 被引量:4
19
作者 孟鹤立 邓二平 +1 位作者 应晓亮 黄永章 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第3期1084-1092,共9页
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,... 长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。 展开更多
关键词 栅极氧化老化 偏置温度不稳定性 体效应 碳化硅(SiC)MOSFET 高温栅偏
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短视频使用情绪启动对大学新生体像烦恼的影响
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作者 王婷 王加好 《校园心理》 2024年第3期213-220,共8页
目的探讨短视频使用、情绪启动对大学新生体像烦恼的影响。方法采用短视频使用量表、青少年学生体像烦恼问卷调查380名某医科大学大一学生,同时采用情绪启动法探究情绪对体像烦恼的影响。结果①短视频使用与体像烦恼呈负相关(r=-0.25,P&... 目的探讨短视频使用、情绪启动对大学新生体像烦恼的影响。方法采用短视频使用量表、青少年学生体像烦恼问卷调查380名某医科大学大一学生,同时采用情绪启动法探究情绪对体像烦恼的影响。结果①短视频使用与体像烦恼呈负相关(r=-0.25,P<0.05);②体像烦恼组消极情绪启动更明显(t=2.147,P<0.05);③组别与词性交互作用显著(F=4.079,P<0.05),情绪启动与注意偏向成分交互作用显著(F=4.427,P<0.05),词性、情绪启动和注意偏向成分交互作用显著(F=4.910,P<0.05),组别、词性、情绪启动和注意偏向成分交互作用显著(F=5.552,P<0.05)。结论短视频使用与体像烦恼得分存在负相关;体像烦恼者消极情绪启动更明显;在注意早期,体像烦恼者对消极体像信息表现为注意解除困难;在注意晚期,积极情绪下体像烦恼者对积极体像信息表现为注意解除困难,在消极情绪下对消极体像信息表现为注意解除困难。 展开更多
关键词 短视频 体像烦恼 情绪 注意偏向
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