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一种高温段指数曲率补偿电压基准源 被引量:9
1
作者 马超 刘永根 +1 位作者 薛卫东 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期436-439,共4页
设计了一种全双极电压基准源结构,利用BJT反向饱和电流的温度特性,对一阶补偿的基准电压进行指数曲率补偿,改善了基准输出电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-25~130℃范围内,补偿后的基准电压温度系数从14.3 ppm/℃减小到8.4 ppm/... 设计了一种全双极电压基准源结构,利用BJT反向饱和电流的温度特性,对一阶补偿的基准电压进行指数曲率补偿,改善了基准输出电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-25~130℃范围内,补偿后的基准电压温度系数从14.3 ppm/℃减小到8.4 ppm/℃。仿真结果与理论分析相吻合。从工艺及电路设计的角度,对仿真结果进行了较为深入的分析研究。 展开更多
关键词 双极集成电路 电压基准源 指数曲率补偿
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锂离子电池充电器中基准源的设计 被引量:5
2
作者 樊晓燕 王兴君 《现代电子技术》 2004年第24期27-29,共3页
分析了双极型和 CMOS型基准电压源的特点 ,在此基础上提出了一种新型的 BI CMO S基准电压源 ,并对他的工作原理进行了分析。
关键词 带隙基准源 BI-CMOS 集成电路 双极型基准电压源 CMOS型基准电压源
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双相情感性精神障碍患者再入院的诊断分型 被引量:4
3
作者 张岿 王世纪 连晓兰 《中华精神科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期36-38,共3页
目的 探讨美国精神障碍诊断与统计手册第 4版 (DSM IV)中双相情感障碍各亚型的临床特点及在临床应用的可行性。方法 对以往诊断为双相情感性精神障碍的 6 2例患者 ,应用中国精神疾病分类方案与诊断标准第 2版修订本 (CCMD 2 R)重新诊... 目的 探讨美国精神障碍诊断与统计手册第 4版 (DSM IV)中双相情感障碍各亚型的临床特点及在临床应用的可行性。方法 对以往诊断为双相情感性精神障碍的 6 2例患者 ,应用中国精神疾病分类方案与诊断标准第 2版修订本 (CCMD 2 R)重新诊断 ;对维持原诊断者 ,依据DSM Ⅳ标准分出亚型并分析比较各型的临床资料。结果 双相Ⅱ型平均发病年龄 [(2 1± 4)岁 ]较双相Ⅰ型[(2 8± 6 )岁 ]提前了 7岁 ,病程长 5年 (中位数分别为 11年和 6年 ) ,平均发作次数 [(6 +2 )次 ]较双相Ⅰ型 [(4 +1)次 ]多 2次 ;其一、二级亲属中患精神疾病的阳性率 (分别为 41%和 32 %)均高于双相Ⅰ型(均为 6 %) ;双相Ⅱ型自杀行为的发生率 (5 5 %)高于双相Ⅰ型 (3%) ,而双相Ⅰ型肇事行为发生率(4 8%)高于Ⅱ型 (9%) ;双相Ⅱ型的显效率 (6 4%)低于双相Ⅰ型 (94%) ;以上差异均有显著性 (P <0 0 1或P <0 0 5 )。结论 DSM Ⅳ将双相情感障碍分为双相Ⅰ型和双相Ⅱ型 ,对此病的进一步研究具有重要意义 ;建议在我国精神疾病分类中加以采用。 展开更多
关键词 双相情感性精神病 诊断 参考标准 病人再入院
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一种带双极性基准的双R-2R电阻网络结构 被引量:3
4
作者 张俊安 李勇 +2 位作者 张加斌 高煜寒 黄兴发 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期345-348,共4页
介绍了一种带双极性基准(±10 V)的双R-2R电阻网络结构。该结构充分利用双极性基准的优势,减少了双极性输出所需运算放大器的数量,提高了D/A转换器的精度;同时又降低了电路对工艺绝对精度的要求。经过理论推算和电路模拟仿真,在相... 介绍了一种带双极性基准(±10 V)的双R-2R电阻网络结构。该结构充分利用双极性基准的优势,减少了双极性输出所需运算放大器的数量,提高了D/A转换器的精度;同时又降低了电路对工艺绝对精度的要求。经过理论推算和电路模拟仿真,在相同工艺精度条件下,采用该结构的12位D/A转换器,其精度优于其他两种采用常规双极性输出结构的D/A转换器。 展开更多
关键词 双R-2R电阻网络 双极性基准 D/A转换器
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高端基准电流源的设计 被引量:1
5
作者 辛晓宁 王妉 梁洁 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2009年第4期471-476,共6页
针对集成电路中需要多路不同基准电流的问题,设计了一种高性能的双极型基准电流源.分析了传统带隙基准源的基本原理,并对传统电流源的电路结构进行改进与优化,实现了温度补偿,大大降低了电路的温度系数,提高了电路的电源抑制比.... 针对集成电路中需要多路不同基准电流的问题,设计了一种高性能的双极型基准电流源.分析了传统带隙基准源的基本原理,并对传统电流源的电路结构进行改进与优化,实现了温度补偿,大大降低了电路的温度系数,提高了电路的电源抑制比.在BL双极工艺模型下,采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,在一40—85℃温度范围内基准电流源的温度系数降至百万分之五每摄氏度,电源抑制比可以达到104dB,很好地实现了基准电流源低温度系数、高电源抑制比的性能. 展开更多
关键词 基准电流源 温度补偿 温度系数 电源抑制比 双极工艺 模拟电路 温漂 带隙基准
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集成双极性神经刺激脉冲发生器设计
6
作者 赵天宇 李效龙 李小伟 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第9期92-94,98,共4页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种幅度、频率、占空比可调的集成双极性神经刺激脉冲发生器。利用带隙基准电流源产生基准电流,通过两级电流镜级联将电流复制和放大以实现幅度范围可调。采用脉冲宽度调制(PWM)信号控制H桥开关管的... 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种幅度、频率、占空比可调的集成双极性神经刺激脉冲发生器。利用带隙基准电流源产生基准电流,通过两级电流镜级联将电流复制和放大以实现幅度范围可调。采用脉冲宽度调制(PWM)信号控制H桥开关管的通断实现频率、占空比可调的双极性信号。利用Cadence仿真软件,对电路进行了仿真。结果表明:当电源电压为5 V,在-40~100℃下,基准电流温漂系数为5.38×10^(-6)/℃;系统可产生幅度为0.01~10 mA,频率为1 Hz~2 kHz,脉冲宽度为20~1 000μs范围内可调的双极性脉冲信号。 展开更多
关键词 双极性 带隙基准 电流镜 脉冲宽度调制 H桥
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宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计 被引量:6
7
作者 王辉 王松林 +2 位作者 来新泉 代国定 郭宝龙 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期272-276,共5页
采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅... 采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTL BUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1 V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动.该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3~14 V的范围内时,其基准电压摆动小于2 mV;启动时间为20μs左右.与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60%,启动时间缩短了40%. 展开更多
关键词 bipolar CMOS DMOS(BCD) 电压基准 快速启动
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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
8
作者 娄义淳 杜承钢 +3 位作者 闵睿 郑倩 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期742-748,共7页
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基... 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。 展开更多
关键词 双极型 带隙基准源 超低温漂 Brokaw模型 二阶补偿
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关于早产儿床旁视频脑电图监测方法的探讨 被引量:3
9
作者 徐娜 黄志 +2 位作者 唐夕琴 曹洁 冯成功 《重庆医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期716-720,共5页
目的:探讨更适合新生儿、早产儿床旁视频脑电图(video electroencephalogram,VEEG)监测的导联方法。方法:对22例不同受孕龄的早产儿同时采用单极、平均参考、双极导联进行VEEG监测。将同一时段中产生的伪迹进行分类,并计数每种伪迹,同... 目的:探讨更适合新生儿、早产儿床旁视频脑电图(video electroencephalogram,VEEG)监测的导联方法。方法:对22例不同受孕龄的早产儿同时采用单极、平均参考、双极导联进行VEEG监测。将同一时段中产生的伪迹进行分类,并计数每种伪迹,同时从组成早产儿脑电图背景活动的各要素及畸形波形态进行比较分析。结果:单极导联与平均参考及双极导联存在统计学差异的有同化现象(P=0.000、0.000)、电极伪迹(P=0.000、0.000)、环境伪迹(P=0.000、0.001)、心电伪迹(P=0.000)、线路/交流电伪迹(P=0.002、0.004)。而各种脑波的波幅在3种导联中无统计学差异(P=0.172、0.099、0.145),频率均同步一致。另外,平均参考导联记录的脑波形态、位相以及空间分布更接近真实情况,优于双极导联。结论:平均参考导联记录的EEG不仅伪迹较少,而且能更清晰、可靠的反映出早产儿背景活动及异常波的形态。 展开更多
关键词 视频脑电图 早产儿 单极导联 双极导联 平均参考导联 新生儿重症监护病房
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具有带隙结构的迟滞比较器电路设计 被引量:2
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作者 徐静萍 《现代电子技术》 2011年第6期160-162,共3页
基于LED驱动的微功耗DC-DC转换器,针对低压高稳定性的要求设计了一款具有带隙结构的迟滞比较器电路,它的最低输入电压为1.2 V,其核心电路有带隙基准比较器、射极跟随器和迟滞比较器。整个电路采用Bipolar工艺设计,利用HSpice软件对所设... 基于LED驱动的微功耗DC-DC转换器,针对低压高稳定性的要求设计了一款具有带隙结构的迟滞比较器电路,它的最低输入电压为1.2 V,其核心电路有带隙基准比较器、射极跟随器和迟滞比较器。整个电路采用Bipolar工艺设计,利用HSpice软件对所设计的电路进行了仿真与验证。结果表明,迟滞比较器的迟滞电压为8 mV,翻转门限电压随输入电压和温度的变化均很小。 展开更多
关键词 DC-DC转换器 带隙基准 迟滞比较器 bipolar
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基于汽车环境的带隙基准电压源的设计 被引量:1
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作者 辛晓宁 谢飞 于文涌 《国外电子元器件》 2008年第12期66-68,共3页
比较了传统带运算放大器的带隙基准电压源电路与采用曲率补偿技术的改进电路,设计了一种适合汽车电子使用的带隙基准电压源,该设计电路基于上海贝岭2μm 40 V bipolar工艺,采用一阶曲率补偿技术,充分考虑了汽车空间有限、温差大、噪声... 比较了传统带运算放大器的带隙基准电压源电路与采用曲率补偿技术的改进电路,设计了一种适合汽车电子使用的带隙基准电压源,该设计电路基于上海贝岭2μm 40 V bipolar工艺,采用一阶曲率补偿技术,充分考虑了汽车空间有限、温差大、噪声多的环境特点,没有使用运放,避免其复杂的结构以及所引起的失调,因此降低了电路成本并改善性能,设计中还引入了启动电路,大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre对电路仿真,结果表明,电路温度特性好,抗干扰能力强,有较高的电源抑制比(PSRR),达到预期指标。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 bipolar工艺 温度特性 电源抑制比 汽车
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一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源 被引量:1
12
作者 段吉海 邓东宇 +1 位作者 徐卫林 韦保林 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第7期152-156,共5页
提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应... 提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应对电路的影响.采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计和仿真,结果表明,电路的温度系数为90,芯片面积0.006,功耗仅为54nW.该电路适用于低功耗移动电子设备. 展开更多
关键词 电压基准 极低功耗 无电阻 bipolar晶体管
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一种实用的带隙参考电压源曲率校正方法
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作者 柏晓鹤 陆铁军 胡贵才 《机电产品开发与创新》 2007年第3期124-126,共3页
在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可... 在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可取得很好的曲率校正效果。仿真结果表明,本电路结构实现了在整个工作温度范围内(-40℃~120℃)电压的变化只有0.001V。 展开更多
关键词 带隙参考电压源 温度系数 曲率校正
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