矿井无轨架线辅助运输系统漏电检测方案

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作者 郭志俊 《煤矿安全》 CAS 北大核心 2018年第7期112-115,共4页

针对无轨架线辅助运输系统环节众多,漏电检测相互干扰,定位不准的问题,通过分析各子系统的电路组成和结构,分别提出了交直流供配电系统、架空接触网、架线电驱车辆的漏电检测方法,介绍了一种长达几千米的直流接触网漏电检测方案。研究... 针对无轨架线辅助运输系统环节众多,漏电检测相互干扰,定位不准的问题,通过分析各子系统的电路组成和结构,分别提出了交直流供配电系统、架空接触网、架线电驱车辆的漏电检测方法,介绍了一种长达几千米的直流接触网漏电检测方案。研究结果表明:交流高低压回路采用选择性漏电保护,整流能馈回路采用差流法漏电保护,接触网回路采用补偿切换电桥漏电保护,架线车辆采用二次绝缘加母线绝缘检测,可以实现漏电分级断电保护,减小故障范围。 展开更多

关键词 漏电检测 漏电闭锁 单极漏电 双极漏电 运输系统

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燃料电池仿生密封结构的设计与仿真

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作者 席凯凯 葛鹏 袁亨通 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期213-220,共8页

针对目前质子交换膜燃料电池密封不严导致的电化学性能低和泄漏等问题,从仿生学角度出发,以自然界的鲨鱼牙齿和扇贝壳作为仿生原型,对燃料电池的密封双极板结构进行仿生结构设计,提出4种仿生密封双极板结构,并建立密封双极板的接触力学... 针对目前质子交换膜燃料电池密封不严导致的电化学性能低和泄漏等问题,从仿生学角度出发,以自然界的鲨鱼牙齿和扇贝壳作为仿生原型,对燃料电池的密封双极板结构进行仿生结构设计,提出4种仿生密封双极板结构,并建立密封双极板的接触力学模型,最后在有限元分析软件ABAQUS和ANSYS Fluent中开展仿生密封双极板与常规密封双极板的仿真对比试验。结果表明:仿生密封双极板接触面上的应力更大,两接触面的结合更加紧密;仿生密封双极板一凸一凹的镶嵌结合方式,减小了泄漏通道的有效高度,增大了泄漏阻力,可有效防止泄漏的发生;仿生密封双极板具有流固耦合密封效应,在双极板之间存在多个阻断面和空腔,可对流体造成明显的压差损失,能有效避免流体的泄漏。 展开更多

关键词 燃料电池 密封结构 仿生 双极板 泄漏

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电解槽垫片腐蚀泄漏原因分析

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作者 王福林 《齐鲁石油化工》 2009年第4期316-318,共3页

介绍中国石化齐鲁分公司氯碱厂50kt/a离子膜电解槽密封垫片泄漏情况,分析腐蚀原因,提出密封垫片材质和尺寸、电解槽组装方法改进等措施,实施后电解槽密封垫片腐蚀泄漏问题得到有效解决。

关键词 电解槽 复极元件 垫片 泄漏 腐蚀

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双极膜电渗析技术在高盐废水处理中的应用 被引量：19

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作者 黄灏宇 叶春松 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期4-8,共5页

介绍了双极膜电渗析技术在高盐废水处理领域的研究进展。对比分析了3种操作模式的优缺点,并针对离子交换膜同离子泄漏引起的酸碱产物含量较低问题,探讨了同离子泄漏机理及不同解决途径的利弊。认为“进料-出料”操作模式是现阶段更适用... 介绍了双极膜电渗析技术在高盐废水处理领域的研究进展。对比分析了3种操作模式的优缺点,并针对离子交换膜同离子泄漏引起的酸碱产物含量较低问题,探讨了同离子泄漏机理及不同解决途径的利弊。认为“进料-出料”操作模式是现阶段更适用于连续化工业应用的操作模式。目前一般通过研制高性能阻酸膜减弱质子泄露、优化工艺过程及探寻产物就地利用途径等方法,解决酸碱产物含量过低造成产物难以充分利用的问题。 展开更多

关键词 双极膜电渗析 高盐废水 操作模式 产物含量 质子泄漏

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双极膜电渗析再生酸碱过程中的阴膜漏氢研究 被引量：10

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作者 王倩 丛威 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期436-441,共6页

对3种阴离子钠盐三室双极膜电渗析再生酸碱过程中的酸室漏氢现象进行了研究.结果表明,NaCl和Na2SO4双极膜电渗析过程中始终存在阴膜H+泄漏现象,而C6O7H5Na3阳膜OH-泄漏与阴膜H+泄漏先后发生.3种钠盐漏氢程度顺序为Na2SO4>NaCl>C6O... 对3种阴离子钠盐三室双极膜电渗析再生酸碱过程中的酸室漏氢现象进行了研究.结果表明,NaCl和Na2SO4双极膜电渗析过程中始终存在阴膜H+泄漏现象,而C6O7H5Na3阳膜OH-泄漏与阴膜H+泄漏先后发生.3种钠盐漏氢程度顺序为Na2SO4>NaCl>C6O7H5Na3.漏氢导致盐室溶液pH值下降,Na2SO4盐室pH值降幅达3.02,Na2SO4再生酸和碱的平均电流效率分别仅为C6O7H5Na3的38.4%和48.2%,能耗则为C6O7H5Na3的1.68和1.36倍.造成阴膜漏氢的根本原因是盐室中成盐阴、阳离子迁移速度不同,缓解漏氢的关键在于强化阴离子的迁移. 展开更多

关键词 双极膜电渗析 钠盐 阴离子交换膜 漏氢 离子迁移 电荷平衡

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高频手术设备双极高频漏电流检测方法探讨

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作者 曾安妮 杜秋楠 侯建勋 《医疗卫生装备》 CAS 2024年第4期88-92,共5页

依据GB 9706.202—2021《医用电气设备第2-2部分:高频手术设备及高频附件的基本安全和基本性能专用要求》中的测试方法,采用不同设备和不同连接方式的组合,分别对2台高频手术设备进行了双极高频漏电流检测,指出了高频分析仪仅作为测试... 依据GB 9706.202—2021《医用电气设备第2-2部分:高频手术设备及高频附件的基本安全和基本性能专用要求》中的测试方法,采用不同设备和不同连接方式的组合,分别对2台高频手术设备进行了双极高频漏电流检测,指出了高频分析仪仅作为测试电阻和/或电流表接入电路时测量结果是相对准确的,为高频手术设备双极高频漏电流检测提供了参考。 展开更多

关键词 高频手术设备 双极 高频漏电流 高频分析仪 漏电流检测

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PEMFC密封结构的泄漏机理模型及应力松弛影响 被引量：3

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作者 肖彪 刘水 +1 位作者 黄晓明 张永 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期116-121,共6页

针对质子交换膜燃料电池(PEMFC)的金属双极板的压缩密封结构,提出一套泄漏率理论预测方法.该方法以基于粗糙间隙流动数值分析的泄漏机理模型为基础,耦合了粗糙元微观力学变形特性分析和橡胶垫片宏观力学变形特性分析,由于不依赖任何经... 针对质子交换膜燃料电池(PEMFC)的金属双极板的压缩密封结构,提出一套泄漏率理论预测方法.该方法以基于粗糙间隙流动数值分析的泄漏机理模型为基础,耦合了粗糙元微观力学变形特性分析和橡胶垫片宏观力学变形特性分析,由于不依赖任何经验参数,因此可以定量评价各种因素对密封结构密封性能的影响,包括密封材料的长期应力松弛行为.与已有实验研究相比较,所提出的泄漏率预测模型具有较高的精度.根据进一步的计算分析,为维持长期泄漏率在20 mL/s以下,密封结构参数可参考如下方案:双极板粗糙度低于15μm,硅橡胶平垫片邵氏硬度在50~60范围内,初始压缩率在15%以上.研究结果可为PEMFC密封结构设计提供理论指导. 展开更多

关键词 质子交换膜燃料电池(PEMFC) 金属双极板 硅橡胶 密封设计 泄漏率预测

原文传递

IGBT集电极漏电流特性及影响分析 被引量：3

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作者 汪波 胡安 +1 位作者 唐勇 陈明 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2011年第10期128-130,共3页

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极漏电流是评价其性能的一个重要电气参数,反映的是正向阻断特性,与阻断电压和温度相关。基于IGBT结构和PN结反向电流原理,分析了IGBT集电极漏电流的组成特性,在低温阶段以阻断电压引起的产生电流为主,在... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极漏电流是评价其性能的一个重要电气参数,反映的是正向阻断特性,与阻断电压和温度相关。基于IGBT结构和PN结反向电流原理,分析了IGBT集电极漏电流的组成特性,在低温阶段以阻断电压引起的产生电流为主,在高温阶段以温度引起的扩散电流为主,低温至高温的转变温度约为125℃,并从热平衡角度分析了集电极漏电流急剧增大带来的不利影响,最后通过实验验证了IGBT集电极漏电流的温度特性以及高温时引起热电正反馈导致器件损坏的不利影响。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 集电极漏电流 温度

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ESTABLISHMENT　AND　VERIFICATION　OF　MATHEMATICAL　MODEL　FOR　CURRENT　LEAKAGE　IN　BIPOLAR　MULTI－COMPARTMENT　CELL

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作者 Yang Jianhong Zhang +2 位作者 Qingxiang Wang Huazhang Liu Yexiang(Department of Metallurgy, Central South University of Technology, Changsha 410083) 《中国有色金属学会会刊：英文版》 CSCD 1995年第1期29-35,共7页

ＥＳＴＡＢＬＩＳＨＭＥＮＴＡＮＤＶＥＲＩＦＩＣＡＴＩＯＮＯＦＭＡＴＨＥＭＡＴＩＣＡＬＭＯＤＥＬＦＯＲＣＵＲＲＥＮＴＬＥＡＫＡＧＥＩＮＢＩＰＯＬＡＲＭＵＬＴＩ－ＣＯＭＰＡＲＴＭＥＮＴＣＥＬＬＹａｎｇ；ＪｉａｎｈｏｎｇＺ... ＥＳＴＡＢＬＩＳＨＭＥＮＴＡＮＤＶＥＲＩＦＩＣＡＴＩＯＮＯＦＭＡＴＨＥＭＡＴＩＣＡＬＭＯＤＥＬＦＯＲＣＵＲＲＥＮＴＬＥＡＫＡＧＥＩＮＢＩＰＯＬＡＲＭＵＬＴＩ－ＣＯＭＰＡＲＴＭＥＮＴＣＥＬＬＹａｎｇ；ＪｉａｎｈｏｎｇＺｈａｎｇ；ＱｉｎｇｘｉａｎｇＷａｎ... 展开更多

关键词 bipolar multi-compartment cell current leakage equivalent circuit MATHEMATICAL MODEL MODEL VERIFICATION

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基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计 被引量：1

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作者 王鹏 《微处理机》 2016年第3期13-16,共4页

针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动... 针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动态基极漏电流补偿电路设计技术等提高标准CMOS工艺下低压带隙基准电路抗电离总剂量辐射能力的方法。 展开更多

关键词 总剂量辐射 互补型金属氧化物半导体 带隙基准 三极管 基极漏电流 动态电流补偿

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IGBT器件栅极漏电问题研究 被引量：1

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作者 巨峰峰 姚伟明 +1 位作者 翁长羽 刘道广 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期738-742,共5页

IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极... IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 漏电 短路 二极管特性 磷硅玻璃(PSG) 栅氧(GOX)

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国产化复极槽的发展过程 被引量：1

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作者 郭立德 《氯碱工业》 CAS 2000年第3期12-14,共3页

叙述了国产化复极槽的六个发展阶段 ,并结合发展过程中遇到的问题及相应的解决办法叙述了一些内部结构的演变过程。

关键词 复极槽 电极 膜针孔 泄漏 离子膜电解 电解槽

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一种基于BIFET工艺的采样保持电路

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作者 周远杰 罗寻 +4 位作者 何峥嵘 王成鹤 范国亮 杨阳 徐佳丽 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第4期317-322,共6页

基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保... 基于双极兼容PJFET(BIFET)工艺,设计了一种单片采样保持电路,介绍了采样保持电路总体架构以及工作原理。电路内部包含输入级运算放大器、电压比较器、模拟开关、输出级运算放大器以及偏置电路等单元。对保持电路中的环路稳定性设计、保持模式下低漏电设计等关键技术进行了分析。芯片流片测试结果表明,该采样保持电路在±15V工作电压条件下,增益误差≤0.005%,失调电压≤3 mV,电源电流≤6.5 mA,电源抑制比≥80 dB,-3 dB带宽≥10 MHz,捕捉时间≤10μs,满足高精度数模转换器(ADC)前端对信号采样保持的应用需求。 展开更多

关键词 BIFET工艺 采样保持电路 环路稳定性 保持低漏电

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铝线键合工艺对FS-IGBT器件耐压及漏电特性的影响

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作者 江伟 敖利波 +1 位作者 梁赛嫦 刘勇强 《现代信息科技》 2018年第12期41-43,共3页

随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双... 随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FSIGBT)的键合技术。通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。 展开更多

关键词 铝线键合 绝缘栅双极型晶体管 耐压 漏电

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双极功率集成器件的优化

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作者 吴郁 王浩 +1 位作者 程序 亢宝位 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1168-1174,共7页

以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响... 以400 V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器件中横向寄生晶体管所带来的影响,以及主晶体管与内二极管的不同间距又如何影响寄生晶体管所起作用等问题.最后给出了主晶体管与内二极管间距的优化设计值.这些为理解问题进而设计出主晶体管与内二极管之间新的隔离措施奠定了理论基础. 展开更多

关键词 双极功率集成器件 主晶体管 内二极管 漏电流 反向恢复时间

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